黑龙江光伏靶材项目申请报告.docx
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1、泓域咨询/黑龙江光伏靶材项目申请报告目录第一章 市场预测7一、 全球光伏靶材市场规模预测7二、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展7第二章 背景及必要性11一、 应用趋势:预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔11二、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲14三、 加强创新能力建设16四、 抢抓机遇融入国内大循环16第三章 项目基本情况18一、 项目名称及项目单位18二、 项目建设地点18三、 可行性研究范围18四、 编制依据和技术原则19五、 建设背景、规模20六、 项目建设进度21七、 环境影响22八、 建设投资估算22九、 项目主要技术经济指标22主要
2、经济指标一览表23十、 主要结论及建议24第四章 项目投资主体概况26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据29公司合并资产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨31七、 公司发展规划31第五章 建筑技术方案说明34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标36建筑工程投资一览表36第六章 项目选址分析38一、 项目选址原则38二、 建设区基本情况38三、 加快构建科技创新平台42四、 项目选址综合评价42第七章 SWOT分析说明44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)4
3、5三、 机会分析(O)46四、 威胁分析(T)46第八章 发展规划分析54一、 公司发展规划54二、 保障措施55第九章 运营管理58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职责58三、 各部门职责及权限59四、 财务会计制度62第十章 节能方案说明66一、 项目节能概述66二、 能源消费种类和数量分析67能耗分析一览表68三、 项目节能措施68四、 节能综合评价69第十一章 项目实施进度计划71一、 项目进度安排71项目实施进度计划一览表71二、 项目实施保障措施72第十二章 环境保护方案73一、 编制依据73二、 建设期大气环境影响分析74三、 建设期水环境影响分析75四、 建设期固体
4、废弃物环境影响分析75五、 建设期声环境影响分析76六、 环境管理分析77七、 结论79八、 建议79第十三章 投资方案80一、 投资估算的依据和说明80二、 建设投资估算81建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85固定资产投资估算表87四、 流动资金87流动资金估算表88五、 项目总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表90第十四章 经济效益及财务分析92一、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表93固定资产折旧费估算表94无形资产和其他资产摊销估算表95利润及利润分配表97二、 项目
5、盈利能力分析97项目投资现金流量表99三、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101第十五章 风险风险及应对措施103一、 项目风险分析103二、 项目风险对策105第十六章 总结说明108第十七章 补充表格110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表1
6、23项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125第一章 市场预测一、 全球光伏靶材市场规模预测预计2025年全球太阳能电池靶材市场规模有望达到112亿美元。2020-2025年CAGR为28.8%。HIT方面,参考CPIA预测,假设HIT的市场份额将从2020年的3%增加至2025年的20%左右,同时假设参考前瞻产业研究院HIT成长变化情况,假设HIT靶材成本缓慢递减。2025年下降到0.041元/w,薄膜电池方面,由于碲化镉薄膜电池的成功商业化,预计全球薄膜电池渗透率有望继续触底回升,每年提升0.5%,同时鉴于2020年薄膜电池内部结构变化相对已趋于稳定,选取20
7、20年薄膜电池成本为2021-2025年基数,预计2025年全球太阳能电池靶材市场规模有望达到112亿美元。2020-2025年CAGR为28.8%。二、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸
8、到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射
9、靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由
10、于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据SEMI数据显示,如今12英寸晶圆约占64%,8英寸晶圆占比达26%,其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通
11、常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发
12、优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。第二章 背景及必要性一、 应用趋势:预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔显示面板用靶材的发展趋势是:大尺寸、低电阻、高纯度、高密度化,高效率化。平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N(99.999%)以上。在溅射靶材应用领域中,半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等最为严苛。相较于半导体芯片,平板显示器对于溅射靶材的纯度
13、和技术要求略低一筹,但随着靶材尺寸的增大,对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。钼溅射靶材作为OLED显示屏中的关键核心原材料,预计未来会有较快幅度的增长,据DSCC测算,到2025年,中国大陆的Gen6OLED产线将消耗约248Ton高纯Mo。钼靶及其合计靶材作为OLED阴极常用材料,通常来看是OLED屏幕使用最多的靶材原料,2019年之前,钼溅射靶材由国外供应商独家供应,国产化率极低,钼靶原材料的瓶颈也阻碍这我国OLED显示行业的发展。但近年来,金钼股份等国内企业已突破了钼溅射靶材行业壁垒。如2020年,金钼股份通过自主进行工装技术设计、改造,先后攻克了超宽幅钼靶所用钼板坯
14、的规格设计、钼基板板型控制、大规格板坯机加工精度控制等技术难题,成功制备出宽1800mm,长度2300mm的G6代钼靶材,产品各项指标已经达到国际先进水平,成功将G6代钼整靶推向全球最先进的OLED生产线使用,如三星、京东方。且公司主要产品已经量产,并具有超大(宽幅1800mm,单重超600Kg)、超纯(Mo99.97%)、超细晶粒等特点,制备难度大,精度要求高。据悉2019年金钼股份钼靶材产品销售同比增长222%,跻身成为三星全球第二大供应商。2020年钼靶材产品销量同比增加47%。预计随着OLED的快速崛起,钼靶未来将保持较高增长。参考DSCC数据,预计2025年,中国大陆的Gen6OLE
15、D产线大约需要消耗46Ton的Al和248Ton高纯Mo。其中京东方、深天马和华星大致会消耗总量的37%、20%和17%。此外,得益于优异的电学性能,铜靶将在显示屏生产得到广泛运用,据DSCC测算,中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求会从2021年599吨,逐步增加到2025年的976吨。G8.5+产线对高纯Cu的需求将会超过8000吨。据悉,为满足超高清电视性能需要和未来4K、8K产业规划,现在国内所有的Gen10.5代产线均已采取铜制程。同时,也为了进一步增加高端IT产品的刷新率和分辨率,一些较小的产线也逐步开始进行Cu制程的改建,不少Gen8.5和Gen8.5代线也在逐渐的全部或者
16、部分转向Cu制程。预计到2025年,所有G8.5+的产线均会采用Cu制程。随着Cu制程的进一步推广,显示面板厂对Cu的需求和依赖也会进一步推高。根据DSCC测算,中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求将会从2021年599吨,逐步增加到2025年的976吨。若考虑到G8.5+产线,预计中国大陆G8.5+产线每年对高纯Cu的需求会超过8000吨与Al不同,Cu的氧化物不能形成致密保护膜,耐腐蚀较差且扩散性较强,所以在采取Cu工艺时,一般会用Mo和Ti进行保护。据DSCC测算,假设Gen10.5代线均以Ti来保护Cu线,则在2025年大致一年会消耗38吨的高纯Ti。若考虑到G8.5+产线,假设
17、在2025年,G8.5+的产线一半采用Mo,而一般采用Ti,则在2025年,大约需要消耗640吨高纯Mo,372吨高纯Ti。面板ITO靶材:预计整体需求相对稳定,但高端ITO靶材国产替代需求强劲。ITO靶材技术难壁垒高,长期以来一直被外商高度垄断,国产化进展十分缓慢。目前中国ITO靶材供应超一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场;而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO等靶材几乎全部从日本、韩国进口。据ResearchInChina数据显示,2018中国ITO靶材需求已超过1000吨。但其中一半仍需进口,其中多为高端ITO靶材,本土企业实现进口替代的空间很大。但考虑到OLED
18、产业对于ITO靶材需求相对较小,预计未来面板用ITO靶材市场将维持相对稳定。二、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着
19、半导体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率
20、、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT
21、电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。三、 加强创新能力建设落实国
22、家战略性科学计划和科学工程,推进科研院所、高校科研力量优化配置和资源共享,加强原始创新、集成创新、引进消化吸收再创新。支持发展高水平研究型大学,加强应用基础研究人才培养。瞄准科技前沿和未来产业发展,支持重点高校、科研院所和创新型企业对接国家科技研发需求,在前瞻性领域实现成果突破。提高企业技术创新能力,加大对企业投入技术创新政策支持力度,对企业实施技术创新实行税收优惠,发挥大企业技术创新的引领支撑作用。四、 抢抓机遇融入国内大循环未来一个时期,国内市场主导国民经济循环特征会更加明显,经济增长的内需潜力会不断释放,为我们发展提供了重大机遇。依托强大国内市场,充分发挥绿色有机食品和生态康养旅游等高品
23、质产品服务供给能力、在国内占有重要地位的国宝级装备制造企业、经受住新冠肺炎疫情考验的坚韧稳定产业链供应链的优势,实施增品种、提品质、创品牌战略,提高供给体系对国内需求的适配性和竞争力,扩大市场占有率。破除妨碍商品服务流通的体制机制障碍,贯通生产、分配、流通、消费各个环节,实现上下游产供销有效衔接,降低全社会交易成本。完善扩大内需政策支撑体系,强化服务保障,提升企业开拓市场能力,加快提高集群配套水平。第三章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称:黑龙江光伏靶材项目项目单位:xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约74.00亩。项目拟定建设区
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