晶体管放大器设计优秀课件.ppt
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1、晶体管放大器设计晶体管放大器设计第1页,本讲稿共35页一、学习要求一、学习要求学习晶体管放大电路的设计方法;学习晶体管放大电路的设计方法;掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整方法;掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整方法;掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及安装掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及安装与调试技术。与调试技术。了解负反馈对放大电路性能的影响。了解负反馈对放大电路性能的影响。学习用学习用pSpice软件对电路进行模拟仿真。软件对电路进行模拟仿真。晶体管放大器设计第2页,本讲稿共35页二、设计课题二、设计课题单级阻容耦合晶体管放大器设计单级阻容耦合晶体管放大器设计n已知条件l
2、+VCC=+12VlRL=2klVi=10mV(有效值)lRs=50n技术指标要求lAV30lRi2klRo3klfL20HzlfH500kHzl电路稳定性好。第3页,本讲稿共35页三、电路设计流程三、电路设计流程提出设计指标提出设计指标拟定电路方案拟定电路方案设定器件参数设定器件参数电路安装和调试电路安装和调试结果测量结果测量指标满足要求指标满足要求电路设计结束电路设计结束Y修改电路方案修改电路方案修改电路参数修改电路参数是否要修改电路方案是否要修改电路方案YNN第4页,本讲稿共35页四、共射放大器原理与设计举例四、共射放大器原理与设计举例 三极管放大器中广三极管放大器中广泛应用的是分压式射
3、泛应用的是分压式射极偏置电路。电路的极偏置电路。电路的Q点稳定,点稳定,Q点点主要由主要由RB1、RB2、RE、RC及及+VCC所所决定。决定。温度温度T IC IE IC VE、VBQ不变不变 VBE IB(反馈控制)(反馈控制)若若I1 IBQ,VBQ VBE1、工作原理、工作原理 第5页,本讲稿共35页2、电路参数的确定:、电路参数的确定:工作点稳定的必要条件:I1IBQ,VBQVBE 一般取 RE愈大,直流负反馈愈强,电路的稳定性愈好。愈大,直流负反馈愈强,电路的稳定性愈好。一般取一般取第6页,本讲稿共35页2、电路参数的确定:、电路参数的确定:设计小信号放大器时,一般取 ICQ=(0
4、.52)mA,VEQ=(0.20.5)VCC RC由由RO或或AV确定:确定:RC RO或或RC第7页,本讲稿共35页2、电路参数的确定:、电路参数的确定:如果放大器下限频率fL已知,可按下列表达式估算电容CB、CC和CE:n 通常取通常取CB=CC,用上面两式算出电容值,取较大的作,用上面两式算出电容值,取较大的作为为CB(或(或CC)。)。第8页,本讲稿共35页3、设计举例、设计举例 例例 设计一阻容耦合单级晶体管放大器。设计一阻容耦合单级晶体管放大器。n已知条件l+VCC=+12 VlRL=3 klVi=10 mV(有效值)lRs=600 n技术指标要求lAV40lRi1 klRo3 k
5、lfL100 HzlfH100 kHz。第9页,本讲稿共35页解:解:(1)拟定电路方案拟定电路方案选择电路形式及晶体管选择电路形式及晶体管采用采用分压式射极偏置电路分压式射极偏置电路,可以获得稳定的静态,可以获得稳定的静态工作点。工作点。因放大器上限频率因放大器上限频率fH100 kHz,要求较高,要求较高,故选用高频故选用高频小功率管小功率管3DG100,其特性参数,其特性参数 ICM=20mA,V(BR)CEO20V,fT 150MHz 通常要求通常要求 的值大于的值大于AV的值,故选的值,故选第10页,本讲稿共35页(2)设置设置Q点并计算元件参数点并计算元件参数 要求要求Ri 1k,
6、而,而取取ICQ=1.5 mA 依据指标要求指标要求、静态工作点范围静态工作点范围、经验值经验值进行计算若取若取VBQ=3V,得,得 取标称值,取标称值,RE=1.5 kW W 第11页,本讲稿共35页(2)设置设置Q点并计算元件参数点并计算元件参数 因因 ,依据指标要求指标要求、静态工作点范围静态工作点范围、经验值经验值进行计算 为使静态工作点调整方便,为使静态工作点调整方便,RB1由由30kW W固定电阻与固定电阻与100kW W电位器相串联而成电位器相串联而成。第12页,本讲稿共35页(2)设置设置Q点并计算元件参数点并计算元件参数 依据指标要求指标要求、静态工作点范围静态工作点范围、经
7、验值经验值进行计算综合考虑,取标称值,综合考虑,取标称值,RB1.5 kW W。因因 ICQ1.5mA,n 要求要求AV40,由由 得得第13页,本讲稿共35页(2)设置设置Q点并计算元件参数点并计算元件参数 计算计算电容电容为:为:取标称值,取标称值,CC=CB=10m mF取标称值,取标称值,CE=100m mF 第14页,本讲稿共35页(3)画出画出电路带参数的电路图电路带参数的电路图 根据上述设计,得到放大器的电路图如下:根据上述设计,得到放大器的电路图如下:第15页,本讲稿共35页五、电路安装与调试五、电路安装与调试n首先在面包板上组装好电路,参考上图搭接好实验测试首先在面包板上组装
8、好电路,参考上图搭接好实验测试平台。平台。n然后进行电路调试:然后进行电路调试:静态调试静态调试动态调试动态调试第16页,本讲稿共35页1.静态调试:静态调试:Q点测量与调整点测量与调整 (1)接通电源,将电路输入端接地,测量电路的静)接通电源,将电路输入端接地,测量电路的静态工作点。态工作点。(2)用万用表直流电压档,分别测量晶体管的)用万用表直流电压档,分别测量晶体管的B、E、C极对地电压极对地电压VBQ、VEQ及及VCQ。(3)一般)一般VBQ(35)V,VCEQ正几伏。正几伏。如果出现如果出现VCQ VCC,说明晶体管工作在,说明晶体管工作在截止截止状态;状态;如果出现如果出现VCEQ
9、 0.5V,说明晶体管已经,说明晶体管已经饱和饱和。(4)调节电位器)调节电位器RP1,使,使VCEQ正几伏,此时说明晶正几伏,此时说明晶体管基本工作在线性放大状态。但体管基本工作在线性放大状态。但Q点不一定是最佳的,点不一定是最佳的,还要进行动态波形观测。还要进行动态波形观测。第17页,本讲稿共35页1.动态调试:动态调试:Q点测量与调整点测量与调整 (5)给放大器送入规定的输入信号,如)给放大器送入规定的输入信号,如ViPP=28mV,fi=1kHz的正弦波。的正弦波。(6)用示波器观察放大器的输出vo。若若vo波形的顶部被压缩,这种现象称为波形的顶部被压缩,这种现象称为截止失真截止失真,
10、说明,说明Q点偏低,点偏低,应增大基极偏流应增大基极偏流IBQ,即增大,即增大ICQ。若若vO波形的底部被削波,这种现象称为波形的底部被削波,这种现象称为饱和失真饱和失真,说明,说明Q点偏点偏高,应减小高,应减小IBQ,即减小,即减小ICQ。第18页,本讲稿共35页2.动态调试:动态调试:Q点测量与调整点测量与调整 (5)给放大器送入规定的输入信号,如)给放大器送入规定的输入信号,如ViPP=30mV,fi=1kHz的正弦波。的正弦波。(6)用示波器观察放大器的输出vo。(8)增大输入信号(如ViPP=120mV),vo无明显失真,或者逐渐增大输入信号时,vo顶部和底部差不多同时开始畸变,说明
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- 关 键 词:
- 晶体管 放大器 设计 优秀 课件
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