模电双极型三极管优秀课件.ppt
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1、模电课件双极型三极管第1页,本讲稿共16页半导体三极管半导体三极管半导体三极管半导体三极管 晶体管晶体管晶体管晶体管(transistortransistor)双极型三极管或简称三极管双极型三极管或简称三极管双极型三极管或简称三极管双极型三极管或简称三极管制作材料:制作材料:制作材料:制作材料:分类分类分类分类 :它们通常是组成各种电子电路的核心器件。它们通常是组成各种电子电路的核心器件。它们通常是组成各种电子电路的核心器件。它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极结型三极管又称双极结型三极管又称双极结型三极管又称双极结型三极管又称为为为为 :硅或锗硅或锗硅或锗硅或锗NPNNPN型型型型PN
2、PPNP型型型型下页下页上页上页首页首页2 2第2页,本讲稿共16页一、三极管的结构三个区三个区三个区三个区发射区:发射区:发射区:发射区:杂质浓度很高杂质浓度很高杂质浓度很高杂质浓度很高基基基基 区:区:区:区:杂质浓度低且很薄杂质浓度低且很薄杂质浓度低且很薄杂质浓度低且很薄集电区:集电区:集电区:集电区:无特别要求无特别要求无特别要求无特别要求发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结集电区集电区集电区集电区基区基区基区基区发射区发射区发射区发射区c cb be eNPN型三极管的结构和符号两个两个两个两个PNPN结结结结发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结三个电极三个电
3、极三个电极三个电极发射极发射极发射极发射极 e e基极基极基极基极 b b集电极集电极集电极集电极 c c集电极集电极集电极集电极 c ccollectorcollector基极基极基极基极 b bbasebase发射极发射极发射极发射极 e eemitteremitterN NP PN N下页下页上页上页首页首页3 3第3页,本讲稿共16页R Rb bR Rc cV VBBBBV VCCCCe ec cb b发射极电流发射极电流二、三极管中载流子的运动和电流分配关系1.1.发射发射发射发射:发射区大量电子向基区发射。发射区大量电子向基区发射。发射区大量电子向基区发射。发射区大量电子向基区发射
4、。2.2.复合和扩散:复合和扩散:复合和扩散:复合和扩散:电子在基区中复合扩散。电子在基区中复合扩散。电子在基区中复合扩散。电子在基区中复合扩散。3.3.收集:收集:收集:收集:将扩散过来的电子收将扩散过来的电子收将扩散过来的电子收将扩散过来的电子收集到集电极。集到集电极。集到集电极。集到集电极。同时形成反向饱和电流同时形成反向饱和电流同时形成反向饱和电流同时形成反向饱和电流I ICBO CBO。I IE EI IC CI IB BI ICNCNI IENENI IBNBNI ICBOCBO集电极电流集电极电流基极电流基极电流下页下页上页上页首页首页动画动画4 4第4页,本讲稿共16页R Rb
5、 bR Rc cV VBBBBV VCCCCe ec cb bI IE EI IC CI IB BI ICNCNI IENENI IBNBNI ICBOCBOI IC C =I ICn Cn+I ICBOCBOI IE E =I ICn Cn+I IBnBnI IC C =I IE E+I ICBOCBO当当当当I ICBOCBO I IC C时,可得时,可得时,可得时,可得 I IC CI IE E I IEnEn =I ICn Cn+I IBnBnI IE E =I IEn En I IE E =I IC C+I IB B下页下页上页上页将将将将 代入代入代入代入I IC C =I ICn
6、 Cn+I ICBO CBO 得得得得I ICnCn =I IE E通常将通常将通常将通常将定义为定义为定义为定义为共基直流电流共基直流电流共基直流电流共基直流电流放大系数。放大系数。放大系数。放大系数。首页首页5 5第5页,本讲稿共16页 I IC CI IB BI IE E =I IC C+I IB BI IC C =I IE E+I ICBOCBO代入代入代入代入 得得得得I IC C =1 1-I IB B+1 1-1 1I ICBOCBO=1 1-令令令令可得可得可得可得I IC C =I IB B+(1 1+)I ICBO CBO I IC C =I IB B+I ICEO CEO
7、 当当当当I ICEOCEO 1 1 时的一条输入特性来代表。时的一条输入特性来代表。时的一条输入特性来代表。时的一条输入特性来代表。u uBEBE/V/Vi iB B/A AO O 三极管的输入特性下页下页上页上页u uBEBEiB+-u uCECE=0=0V VBBBBR Rb bb be ec c 三极管的输入回路首页首页8 8第8页,本讲稿共16页2.2.输出特性输出特性输出特性输出特性i iC C/mA/mAO Ou uCECE/V/Vi iB B=806040200i iC C=f f(u uCECE)i iB B=常数常数常数常数饱和区饱和区饱和区饱和区放放放放大大大大区区区区1
8、.1.截止区:截止区:截止区:截止区:i iB B 0 0的区域,的区域,的区域,的区域,i iC C 0 0,发射结和集电结都反偏。发射结和集电结都反偏。发射结和集电结都反偏。发射结和集电结都反偏。3.3.饱和区:饱和区:饱和区:饱和区:发射结和集电结都正偏,发射结和集电结都正偏,发射结和集电结都正偏,发射结和集电结都正偏,u uCECE较小较小较小较小,i iC C 基本不随基本不随基本不随基本不随i iB B 而变化。而变化。而变化。而变化。当当当当u uCECE=u uBEBE 时,为临界饱和;当时,为临界饱和;当时,为临界饱和;当时,为临界饱和;当u uCECE u uBEBE 时过
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