实际电容的特性152424.pdf

《实际电容的特性152424.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《实际电容的特性152424.pdf（3页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、欢迎您阅读并下载本文档，本文档来源于互联网整理，如有侵权请联系删除!我们将竭诚为您提供优质的文档！实际电容的特性 正确使用电容进展电源退耦，必须了解实际电容的频率特性。理想电容器在实际中是不存在的，这就是为什么经常听到“电容不仅仅是电容的原因。实际的电容器总会存在一些寄生参数，这些寄生参数在低频时表现不明显，但是高频情况下，其重要性可能会超过容值本身。图 4 是实际电容器的 SPICE 模型，图中，ESR 代表等效串联电阻，ESL 代表等效串联电感或寄生电感，C 为理想电容。图 4 电容模型 等效串联电感寄生电感无法消除，只要存在引线，就会有寄生电感。这从磁场能量变化的角度可以很容易理解，电流

2、发生变化时，磁场能量发生变化，但是不可能发生能量跃变，表现出电感特性。寄生电感会延缓电容电流的变化，电感越大，电容充放电阻抗就越大，反响时间就越长。等效串联电阻也不可消除的，很简单，因为制作电容的材料不是超导体。讨论实际电容特性之前，首先介绍谐振的概念。对于图 4 的电容模型，其复阻抗为：公式3 当频率很低时，远小于，整个电容器表现为电容性，当频率很高时，大于，欢迎您阅读并下载本文档，本文档来源于互联网整理，如有侵权请联系删除!我们将竭诚为您提供优质的文档！电容器此时表现为电感性，因此“高频时电容不再是电容，而呈现为电感。当 时，此时容性阻抗矢量与感性阻抗之差为 0，电容的总阻抗最小，表现为纯

3、电阻特性。该频率点就是电容的自谐振频率。自谐振频率点是区分电容是容性还是感性的分界点，高于谐振频率时，“电容不再是电容，因此退耦作用将下降。因此，实际电容器都有一定的工作频率范围，只有在其工作频率范围内，电容才具有很好的退耦作用，使用电容进展电源退耦时要特别关注这一点。寄生电感等效串联电感是电容器在高于自谐振频率点之后退耦功能被消弱的根本原因。图 5 显示了一个实际的 0805封装陶瓷电容，其阻抗随频率变化的曲线。图 5 电容阻抗特性 电容的自谐振频率值和它的电容值及等效串联电感值有关，使用时可查看器件手册，了解该项参数，确定电容的有效频率范围。下面列出了 AVX 生产的陶瓷电容不同封装的各项

4、参数值。封装 ESLnH ESR欧姆 0402 0.4 0.06 电容的等效串联电感和生产工艺和封装尺寸有关，同一个厂家的同种封装尺寸的电容，其等欢迎您阅读并下载本文档，本文档来源于互联网整理，如有侵权请联系删除!我们将竭诚为您提供优质的文档！效串联电感根本一样。通常小封装的电容等效串联电感更低，宽体封装的电容比窄体封装的电容有更低的等效串联电感。既然电容可以看成 RLC 串联电路，因此也会存在品质因数，即 Q 值，这也是在使用电容时的一个重要参数。电路在谐振时容抗等于感抗，所以电容和电感上两端的电压有效值必然相等，电容上的电压有效值 UC=I*1/C=U/CR=QU，品质因数 Q=1/CR，

5、这里 I 是电路的总电流。电感上的电压有效值UL=LI=L*U/R=QU，品质因数Q=L/R。因为：UC=UL 所以Q=1/CR=L/R。电容上的电压与外加信号电压 U 之比 UC/U=I*1/C/RI=1/CR=Q。电感上的电压与外加信号电压 U 之比 UL/U=LI/RI=L/R=Q。从上面分析可见，电路的品质因数越高，电感或电容上的电压比外加电压越高。图 6 Q 值的影响 Q 值影响电路的频率选择性。当电路处于谐振频率时，有最大的电流，偏离谐振频率时总电流减小。我们用 I/I0表示通过电容的电流与谐振电流的比值，即相对变化率。表示频率偏离谐振频率程度。图 6 显示了 I/I0与 关系曲线。这里有三条曲线，对应三个不同的 Q 值，其中有 Q1Q2Q3。从图中可看出当外加信号频率 偏离电路的谐振频率 0 时，I/I0均小于 1。Q 值越高在一定的频偏下电流下降得越快，其谐振曲线越锋利。也就是说电路的选择性是由电路的品质因素 Q 所决定的，Q 值越高选择性越好。在电路板上会放置一些大的电容，通常是坦电容或电解电容。这类电容有很低的 ESL，但是 ESR 很高，因此 Q 值很低，具有很宽的有效频率范围，非常适合板级电源滤波。