《固体结构》PPT课件.ppt
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1、 晶体结构和类型晶体结构和类型第十章第十章 固体结构固体结构 层状晶体层状晶体 分子晶体分子晶体 离子晶体离子晶体 金属晶体金属晶体本章重点:1、晶胞参数晶胞参数 a,b,c,;2、晶胞、球的密堆积;晶胞、球的密堆积;3、晶体类型晶体类型(金属晶体、原子晶体、离子晶体、金属晶体、原子晶体、离子晶体、分子晶体)分子晶体)4、三种典型的离子晶体(三种典型的离子晶体(NaCl、CsCl、ZnS)5、离子的极化率离子的极化率()、离子的极化力离子的极化力(f)6、分子间作用力(分子间作用力(色散力、色散力、诱导力、取向力)诱导力、取向力)10.1.1 晶体结构的特征与晶格理论晶体结构的特征与晶格理论
2、晶体结构和类型晶体结构和类型10.1.4 晶体类型晶体类型10.1.3 球的密堆积球的密堆积10.1.2 晶体缺陷晶体缺陷 非晶体非晶体 晶胞:晶体的最小重复单元,通过晶胞在空间平移无隙地堆砌而成晶体。由晶胞参数a,b,c,表示,a,b,c 为六面体边长,分别是bc,ca,ab 所组成的夹角。10.1.1 晶体结构的特征与晶格理论晶体结构的特征与晶格理论晶胞的两个要素:1.晶胞的大小与形状:2、晶胞的内容:粒子的种类,数目及它在晶胞中的相对位置。按晶胞参数的差异将晶体分成七种晶系。按带心型式分类,将七大晶系分为14种型式。例如,立方晶系分为简单立方、体心立方和面心立方三种型式。金属晶体中粒子的
3、排列方式常见的有三种:六方密堆积(Hexgonal Close Packing);面心立方密堆积(Face-Centred Cubic Close Packing);体心立方堆积(Body-Centred Cubic Packing)。1、六方密堆积:(Hexgonal Close Packing)hcp配位数:12空间占有率:74.05%第三层与第一层对齐,产生ABAB方式。10.1.3 球的密堆积球的密堆积2、面心立方密堆积:(Face-Centred Cubic Close Packing)fcc配位数:12空间占有率:74.05%第三层与第一层有错位,以ABCABC方式排列。3.体心立
4、方堆积:(Body-Centred Cubic Packing)bcc配位数:8空间占有率:68.02%密堆积层间的两类空隙四面体空隙:一层的三个球与上或下层密堆积的球间的空隙。八面体空隙:一层的三个球与错位排列的另一层三个球间的空隙。晶体的分类10.1.4 晶体类型晶体类型10.2.1 金属晶体的结构金属晶体的结构 金属晶体金属晶体10.2.3 金属合金金属合金10.2.2 金属键理论金属键理论 金属晶体是金属原子或离子彼此靠金属键结合而成的。金属键没有方向性,金属晶体内原子以配位数高为特征。金属晶体的结构:等径球的密堆积。10.2.1 金属晶体的结构金属晶体的结构10.3.1 离子晶体的特
5、征结构离子晶体的特征结构 离子晶体离子晶体10.3.3 离子极化离子极化10.3.2 晶格能晶格能离子晶体:密堆积空隙的填充。阴离子:大球,密堆积,形成空隙。阳离子:小球,填充空隙。规则:阴阳离子相互接触稳定;配位数大,稳定。10.3.1 离子晶体的特征结构离子晶体的特征结构1、三种典型的离子晶体NaCl型晶胞中离子的个数:晶格:面心立方配位比:6:6(红球Na+,绿球Cl-)CsCl型晶胞中离子的个数:(红球Cs+,绿球Cl-)晶格:简单立方配位比:8:8晶胞中离子的个数:ZnS型(立方型)晶格:面心立方(红球Zn2+,绿球S2-)配位比:4:4半径比(r+/r-)规则:NaCl晶体其中一层
6、横截面:理想的稳定结构(NaCl)配位数构型0.225 0.414 4ZnS 型0.414 0.732 6NaCl 型0.732 1.00 8CsCl 型 半径比规则 定义:在标准状态下,按下列化学反应计量式使离子晶体变为气体正离子和气态负离子时所吸收的能量称为晶格能,用U 表示。U10.3.2 晶格能晶格能MaXb(s)aMb+(g)+bXa-(g)(g)Cl+(g)NaNaCl(s)-+例如:1、Born-Haber循环K(g)Br(g)U-+KBr(s)+升华焓电离能气化热电子亲和能则:Umol-1=89.2kJmol-1=418.8kJmol-1=15.5kJmol-1=96.5kJm
7、ol-1=-324.7kJmol-1=-689.1kJmol-1=295.3kJmol-1上述数据代入上式求得:+=2、Born-Lande公式 式中:R0正负离子核间距离,Z1,Z2 分别为正负离子电荷的绝对值,A Madelung常数,与晶体类型有关,n Born指数,与离子电子层结构类型有关。A的取值:CsCl型 ANaCl型 AZnS型 An的取值:3、公式:晶体分子式中正离子的个数:晶体分子式中负离子的个数影响晶格能的因素:离子的电荷(晶体类型相同时)离子的半径(晶体类型相同时)晶体的结构类型 离子电子层结构类型Z,U 例:U(NaCl)U(CaO)离子电荷数大,离子半径小的离子晶体
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