《常用半导体传感器》PPT课件.ppt
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1、第一节第一节第一节第一节 霍尔传感器霍尔传感器霍尔传感器霍尔传感器 一、霍尔效应一、霍尔效应 在金属或半导体薄在金属或半导体薄片的两端通过控制片的两端通过控制电流电流I,I,并在薄片的并在薄片的垂直方向施加磁感垂直方向施加磁感应强度为应强度为B B的磁场的磁场,+IUHBFLFEv 那么那么,在垂直于电流和磁在垂直于电流和磁场方向上将产生电动势场方向上将产生电动势U UH H(霍尔电压)(霍尔电压).d为霍尔元件的厚度洛伦兹力:洛伦兹力:FL=-ev B 电荷聚集,电荷聚集,UH产生产生静电场产生反力:静电场产生反力:FE=-e EU=-e UH/b平衡时:平衡时:FL=FE,-ev B=-e
2、 UH/b UH=bvB I 为控制电流:为控制电流:I=dQ/dt=b d v n(-e)b v=I/d n(-e)则:则:UH=I B/d n(-e)取取 RH=1/n(-e)霍尔常数霍尔常数,由半导体材料决定由半导体材料决定则:则:UH=RH I B/d取取 KH=RH/d 则:则:UH=KH I B 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果:中洛伦兹力作用的结果:UH=KHIBb为霍尔元件的宽度n为单位体积内自由电子数 UH=KH I B 霍尔电势的大小正比于控制电流霍尔电势的大小正比于控制电流I I和磁感应强度和磁感应强度B B的乘积。
3、的乘积。K KH H称为霍尔元称为霍尔元件的灵敏度,它是表征在单位磁感应强件的灵敏度,它是表征在单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电压大小度和单位控制电流时输出霍尔电压大小的重要参数的重要参数 当控制电流方向或磁场方向改变时,当控制电流方向或磁场方向改变时,输出电动势方向也将改变输出电动势方向也将改变二、灵敏度二、灵敏度1 1)材料电阻)材料电阻与载流子浓度与载流子浓度n n和其迁移率和其迁移率相关,相关,RH=(,)(,)(RH=1/n(-e)2)KH=RH/d,则则d要小,霍尔片要薄(要小,霍尔片要薄(1mm)3)霍尔片长边)霍尔片长边/短边短边4,输出不受影响(一般长,输出不受影响(
4、一般长边边/短边短边=2,短边通以电流,长边输出短边通以电流,长边输出UH)建立霍尔效应的时间很短:建立霍尔效应的时间很短:10-2 10-14控制电流用交流时,频率可以很高(几千兆赫)控制电流用交流时,频率可以很高(几千兆赫)接触要求:欧姆接触(无接触要求:欧姆接触(无PNPN结)结)老式:焊接老式:焊接 新方法:离子注入工艺新方法:离子注入工艺 溅射工艺溅射工艺 霍尔元件外形及结构:霍尔元件外形及结构:尺寸:尺寸:4 41324由于建立霍尔效应的时间很短,因此控制电流用交流时,频率可以很高(几千兆赫)在磁场作用下,负载上有电压输出。在磁场作用下,负载上有电压输出。实际使用时实际使用时,以以
5、I I或或B,B,或同时作为输入信号,而或同时作为输入信号,而输出信号则正比于输出信号则正比于I I或或B,B,或两者的乘积。或两者的乘积。三、基本电路三、基本电路 控制电流由控制电流由E E供给供给 R RP P为调节电阻为调节电阻 R Rf为负载电阻为负载电阻 四、电磁特性四、电磁特性 1 1)HI特性:特性:UH=KH I B 在磁场和环境温度一定时,霍尔输出电动势在磁场和环境温度一定时,霍尔输出电动势UH与控与控制电流制电流I之间呈线性关系,直线的斜率称为控制电流灵敏之间呈线性关系,直线的斜率称为控制电流灵敏度用度用KI表示。表示。KI=KH B UH=KI I(线性)(线性)KH K
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