中国光刻机行业市场现状、行业格局及发展趋势分析[图].docx
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1、中国光刻机行业市场现状、行业格局及发展趋势分析图 光刻技术指利用光学-化学反应原理,将电路图转移到晶圆表面的工艺技术,光刻机是光刻工序中的一种投影曝光系统。其包括光源、光学镜片、对准系统等。在制造过程中,通过投射光束,穿过掩膜板和光学镜片照射涂敷在基底上的光敏性光刻胶,经过显影后可以将电路图最终转移到硅晶圆上。光刻工艺步骤繁多数据来源:公开资料整理 一、市场现状及行业格局 光刻机分为无掩模光刻机和有掩模光刻机。(1)无掩模光刻机可分为电子束直写光刻机、离子束直写光刻机、激光直写光刻机。电子束直写光刻机可以用于高分辨率掩模版以及集成电路原型验证芯片等的制造,激光直写光刻机一般是用于小批量特定芯片
2、的制造。(2)有掩模光刻机分为接触/接近式光刻机和投影式光刻机。接触式光刻和接近式光刻机出现的时期较早,投影光刻机技术更加先进,图形比例不需要为1:1,减低了掩膜板制作成本,目前在先进制程中广泛使用。 随着曝光光源的改进,光刻机工艺技术节点不断缩小。光刻设备从光源(从最初的g-Line,i-Line发展到EUV)、曝光方式(从接触式到步进式,从干式投影到浸没式投影)不断进行着改进。光刻机经历了五代发展数据来源:公开资料整理 目前光刻机主要可以分为IC前道制造光刻机(市场主流)、IC后道先进封装光刻机、LED/MEMS/PowerDevices制造用光刻机以及面板光刻机。其中IC前道光刻机需求量
3、和价值量都最高,但是技术难度最大。而封装光刻机对于光刻的精度要求低于前道光刻要求,面板光刻机主要用在薄膜晶体管制造中,与IC前道光刻机相比技术难度更低。 IC前道光刻机技术最为复杂,光刻工艺是IC制造的核心环节也是占用时间比最大的步骤,光刻机是目前晶圆制造产线中成本最高的半导体设备。光刻设备约占晶圆生产线设备成本27%,光刻工艺占芯片制造时间40%-50%。高精度EUV光刻机的使用将使die和wafer的成本进一步减小,但是设备本身成本也会增长。光刻机是晶圆制造产线中的高投入型设备数据来源:公开资料整理利用高端光刻机实现的先进制程可以进一步降低芯片尺寸和成本,但是设备成本会增长数据来源:公开资
4、料整理 光刻设备量价齐升带动光刻设备市场不断增长。一方面,随着芯片制程的不断升级,IC前道光刻机价格不断攀升。目前最先进的EUV设备在2018年单台平均售价高达1.04亿欧元,较2017年单台平均售价增长4%。另一方面,晶圆尺寸变大和制程缩小将使产线所需的设备数量加大,性能要求变高。12寸晶圆产线中所需的光刻机数量相较于8寸晶圆产线将进一步上升。同时预计2020年随着半导体产线得到持续扩产,光刻机需求也将进一步加大。12寸晶圆产线需要的光刻设备更多数据来源:公开资料整理 光刻机采购节奏是内资产线资本支出的关键信号。内资产线一般会优先采购价值量和技术难度最高的光刻机。从长江存储、华力微、华虹无锡
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