氧化铝陶瓷基板行业分析报告 2022年氧化铝陶瓷基板行业发展前景及规模分析.docx
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1、氧化铝陶瓷基板行业分析报告 2022年氧化铝陶瓷基板行业发展前景及规模分析产品概述氧化铝陶瓷基板的核心成分是氧化铝陶瓷,具有良好的导电性、机械强度和耐高温性能。氧化铝基板由于其优越的性能,在现代社会得到了广泛的应用,满足了日常使用和特殊性能行业的需求。一般来说,氧化铝陶瓷基板是以氧化铝为主要原料,主要以氧化铝的结晶相存在,占各类陶瓷的75%以上。是一种综合性能良好的陶瓷基板材料,如原料丰富、成本低、机械强度和硬度高、绝缘性能好、抗热震性好、耐化学腐蚀性高、尺寸精度高、与金属的附着力好等。氧化铝基板广泛应用于电子行业,占陶瓷基板总量的90%,已成为电子行业不可或缺的材料。虽然氧化铝衬底产量大,应
2、用广泛,但其热导率高于单晶硅,因此在高频、大功率和超大规模集成电路中的应用受到限制。陶瓷基板的现状与发展分析随着近年来科技的不断升级,芯片的输入功率越来越高。对于大功率产品,封装基板应具有高电绝缘、高导热、热膨胀系数与芯片匹配等特性。随着功率器件(包括LED、LD、IGBT、CPV等)的发展。),散热成为影响器件性能和可靠性的关键技术。对于电子器件来说,温度每升高10c,器件的有效寿命就会下降30% 50%,因此发展功率器件的技术瓶颈是选择合适的封装材料和工艺,提高器件的散热能力。以大功率LED封装为例,由于输入功率的70%-80%转化为热量(只有约20%-30%转化为光能),且LED芯片面积
3、小,器件功率密度很高(100W/cm2以上),因此散热成为大功率LED封装必须解决的关键问题。如果芯片产生的热量不能及时散发,LED内部会聚集大量的热量,芯片的结温会逐渐升高,一方面会降低LED的性能(如发光效率降低、波长红移等。),另一方面会在LED器件内部产生热应力,引起一系列可靠性问题(如使用寿命、色温变化等。).陶瓷基板主要包括平面陶瓷基板和多层陶瓷基板。制造高纯度的陶瓷基板非常困难。大多数陶瓷的熔点和硬度都很高,这就限制了陶瓷加工的可能性。因此,低熔点玻璃常被掺入陶瓷基板中进行助熔或粘接,使得最终产品易于加工。Al2O3、BeO和AlN衬底的制备过程非常相似。将基料研磨成直径几微米的
4、粉末,混合不同的玻璃助熔剂和粘结剂(包括粉末的MgO和CaO)。另外在混合物中加入一些有机粘合剂和不同的增塑剂,然后球磨防止团聚,使成分均匀。生瓷件成型,最后高温烧结。陶瓷基板按工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。目前国内常用的陶瓷基板材料主要是Al2O3、AlN和Si3N4。Al2O3陶瓷基板主要采用DBC工艺,AlN陶瓷基板主要采用DBC和AMB工艺,Si3N4陶瓷基板大多采用AMB工艺。近年来,随着半导体照明和新型传感器市场的不断扩大,对陶瓷基板的需求不断增加。特别是采用激光打孔和电镀填孔技术制备的DPC陶瓷基板,具有图形精度高、垂直封装的优点,大大提高了电子器
5、件的封装集成度,有望在未来的功率器件封装中发挥更大的作用。高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)HTCC又称高温共烧多层陶瓷基板。在制备过程中,先在陶瓷粉体中加入有机粘结剂,然后均匀混合成糊状浆料,再用刮刀将浆料刮成片状,然后通过干燥工艺将片状浆料制成生坯;然后根据每一层的设计,钻通孔,用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔,最后将所有的生坯层叠放在高温炉(1600)中烧结。在这种制备工艺中,由于烧结温度高,金属导体材料的选择受到限制(主要是钨、钼、锰等熔点高但导电性差的金属),制造成本高,导热系数一般为20 200 w/(m3)。低温共烧陶瓷基板(LTCC)LTCC又称低温共烧陶瓷基板,其制备工艺与HT
6、CC相似,只是在陶瓷粉体中掺入30%50%的低熔点玻璃粉,将烧结温度降至850900。因此,导电性好的金和银可以用作电极材料和布线材料。LTCC采用丝网印刷技术制作金属电路,可能会因丝网拉伸造成对准误差;而且多层陶瓷层压烧结时存在收缩率差异的问题,影响成品率。为了提高LTCC的导热性能,可以在贴片区域增加导热孔或导电孔,但成本会增加。厚膜陶瓷基板(TFC)与LTCC和HTCC相比,TFC是一种后烧陶瓷基板。利用丝网印刷技术将金属浆料涂覆在陶瓷基板表面,然后干燥并在高温(700800)下烧结。金属浆料一般由金属粉末、有机树脂、玻璃等成分组成。高温烧结后,树脂粘结剂被烧掉,剩下的几乎是纯金属,由于
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