《变频器基础知识》PPT课件.ppt





《《变频器基础知识》PPT课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《《变频器基础知识》PPT课件.ppt(59页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、公式公式:公式:R为电枢绕组内阻,e为旋转电动势Km:系数;:磁通;:电枢电流f:旋转速度;N:线圈匝数;:磁通晶闸管的结构与工作原理常用常用晶闸管的结构晶闸管的结构螺栓型晶闸管晶闸管模块平板型晶闸管外形及结构(C)1.4典型全控型器件引言常用的常用的典型全控型器件典型全控型器件(B)GTR、电力MOSFET和IGBT等器件的常用封装形式常用封装形式。1.4.3电力场效应晶体管电力电力MOSFET的结构的结构 是单极型晶体管单极型晶体管。导电机理与小功率 MOS管相同,但结构上多采用垂直垂直 导电结构导电结构,又称为VMOSFET。采用多元集成结构多元集成结构,不同的生产厂家采用了不同设计。图
2、 a)为垂直导电双扩散结构,即VDMOSFET。图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号(B)a)b)绝缘栅双极晶体管1)IGBT的结构和工作原理的结构和工作原理三端器件:栅极栅极G、集电极集电极C和发射极发射极E。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,具有很强的通流能力。图1-22IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)等效电路c)简化等效电路d)电气图形符号(B)功率模块与功率集成电路例:部分功率模块、例:部分功率模块、IPM、电力半导体器件及驱动电路、电力半导体器件及驱动电路(A)逆逆变变电电路路最最基基本本的的工工作作原原理理改变两组开关切换频率
3、,可改变输出交流电频率。图5-1 逆变电路及其波形举例a)b)tuoiot1t2电电阻阻负负载载时,负载电流 io 和 uo 的波形相同,相位也相同。阻阻感感负负载载时,io 相位滞后于 uo,波形也不同。单相桥式逆变电路单相桥式逆变电路S1S4是桥式电路的 4 个臂,由电力电子器件及辅助电路组成。(B B)76.1PWM控制的基本思想重要理论基础重要理论基础面积等效原面积等效原理理 采样控制理论中的一个重要结论:采样控制理论中的一个重要结论:冲量冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同效果基本相同。冲量冲量窄脉冲的面积效果基本相同效果基本相同环节的输出响应波形基本相同
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 变频器基础知识 变频器 基础知识 PPT 课件

限制150内