《ESD教育训练》PPT课件.ppt
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1、ESD ESD 培訓教材培訓教材4目錄靜電產生原理4ESDElectro Static Discharge(靜電防護)4產生原理:靜電產生原理e-7P+7P+7P+7P+e-e-e-e-e-e-e-平衡原子平衡原子 1e-平衡原子平衡原子 2帶負電原子帶負電原子 帶正電原子帶正電原子e-e-e-e-e-e-e-摩摩擦擦e-e-e-e-e-e-e-e-e-e-e-e-靜電產生原理e-+-+靜電的危害 ESD破壞之原因:1.功率產生:如熱崩潰、金屬被熔融2.電壓產生:如介電質崩潰、表面崩潰3.潛在性故障:如功能劣化、降級4將微塵吸附到半導體元件表面.降低品質,影響功能靜電的危害 ESD破壞之型態1
2、.接面崩熔(Junction Burnout)過大的電流通過接面時,產生極大的熱量,使得接面崩熔。此種破壞是屬於接面短路,2.氧化層貫穿針引線(Oxide Punch Through)通常在金屬氧化層半導體(MOS)上可以發現此類型之破壞,這是由於外加的靜電壓超過了氧化層的崩潰電壓所致。其現象亦是短路。EBCEBC靜電的危害43.金屬層崩熔(Metalization Burnout)由於過大的電流流經金屬層,並在較脆弱的地方產生,由於此種破經常是伴隨著接面短路或是氧化層短路之後發生故屬於所謂的二次崩潰(Secondary Breakdown)。而其現象為斷路。靜電的累積破壞 負傷而行 負傷而行
3、(Walking Wounded)許多實驗證實靜電能使半導體負傷,但不玫立即完全破壞其功能,而且有多數這些負傷而行的元件都能通過測試直到這些元件送到客戶之後,隨時會從負傷而行變成完全失效。靜電的危害接合窗放大10,000之後可見貫穿現象金屬接合窗橫 切 面 放 大(2,000)橫 切 面 放 大(10,000)靜電放電形式41.HBM(Human Body Model)人體充放電42.CDM(Changed Device Model)充電元件摸式4電子元件摩擦充電后碰觸到手金屬等導電材料上產生放電43.FIM(Field Induced Model)電場感應模式4電子元件感應充電放電人 體元
4、件靜電防護措施4本方法乃是靜電防護最好的辦法,但在設計半導體的抗靜電電路時,必須考慮到電路產生熱的影響、反應時間、最大電壓、能量傳導、寄生電容等等因子,故並非隨心所欲可以辦到。因此靜電防護仍必須靠一些治標的方法。4二靜電的防護的基本原則1.避免靜電產生 2.疏導或中和所產生之靜電 3.摒蔽靜電場靜電防護措施41.避免靜電產生(A)潮溼法(Moisturizing)水氣本身會有導電現象,故可降低絕綠體表面電阻,達到靜電防護目的,如人走過地毯,相對濕度10%,可產生35000V靜電,55%時,可產生5000V靜電,80%時,可產生1500V靜電 (B)抗靜電塗佈法(Anti-Static Coat
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