《光电子发射探测器》PPT课件.ppt
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1、第三章光电探测器第三章光电探测器3.1 光电探测器的物理基础光电探测器的物理基础3.2 光电子发射探测器光电子发射探测器3.3 光电导探测器光电导探测器3.4 光伏探测器光伏探测器3.5 热电探测器热电探测器3.6 光电成像器件光电成像器件3.7 各类光电探测器的性能各类光电探测器的性能及应用比较及应用比较1光电子发射探测器光电子发射探测器真空光电器件是基于真空光电器件是基于外光电效应外光电效应的光电探测器。的光电探测器。滨淞光子滨淞光子(Hamamatsu)R3896光电倍增管光电倍增管 2真空光电器件光电管光电倍增管特点特点:灵敏度高、稳定性好、响应速度快:灵敏度高、稳定性好、响应速度快和
2、噪声小。和噪声小。缺点缺点:结构复杂,工作电压高,体积大。:结构复杂,工作电压高,体积大。3半导体的光电子发射半导体的光电子发射1.1.费米能级、真空能级、逸出功费米能级、真空能级、逸出功2.2.金属材料与半导体材料的光电子发射比较金属材料与半导体材料的光电子发射比较1 1)反射系数小,吸收系数大;)反射系数小,吸收系数大;2 2)光电子运动中能量损失小,补充容易;)光电子运动中能量损失小,补充容易;3 3)存在大量发射中心;)存在大量发射中心;4 4)逸出功小。)逸出功小。3.3.电子亲和势电子亲和势、半导体材料的逸出功(、半导体材料的逸出功(i i,n n,p p)4.4.半导体光电发射的
3、半导体光电发射的三个步骤三个步骤4光光电阴极阴极一、一、光光电阴极阴极的主要参数的主要参数1.灵敏度灵敏度光光谱灵敏度灵敏度:光:光电阴极阴极对于一定波于一定波长辐射射光的灵敏度就称光的灵敏度就称为光光谱灵敏度。灵敏度。光照灵敏度光照灵敏度:对于复合光于复合光(或称白光或称白光)的灵的灵敏度就称敏度就称为积分灵敏度分灵敏度(通常光照灵敏皮就通常光照灵敏皮就是指是指积分灵敏度分灵敏度)。5.量子效率量子效率它表示它表示一定波长一定波长的光子入射到光的光子入射到光电阴极阴极时,该阴阴极所极所发射的射的光光电子数子数Ne()与入射的与入射的光子数光子数Np()之比。也称量子之比。也称量子产额Q()。
4、3.光光谱响响应曲曲线.热电子子发射射:引起暗引起暗电流和暗噪声,从而限制探流和暗噪声,从而限制探测灵敏度。灵敏度。61.银氧氧铯(Ag-O-Cs)光光电阴极阴极峰值波长:350nm,800nm光谱响应范围约光谱响应范围约300-1000nm300-1000nm;量子效率约量子效率约;使用温度使用温度100100CC;暗电流大。暗电流大。二、二、常规光电阴极常规光电阴极72.单碱碱锑化物光化物光电阴极阴极金属金属锑与碱金属与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,能形中的一种化合,能形成具有成具有稳定光定光电发射的射的发射体。射体。最常用的是最常用的是锑化化铯(CsSb),其阴极灵敏度最高,量子
5、效),其阴极灵敏度最高,量子效率率为1525,长波限波限为:600nm。广泛用于。广泛用于紫外紫外和和可可见光区光区的光的光电探探测器中。器中。3.多碱多碱锑化物光化物光电阴极阴极当当锑和几种碱金属形成化合物和几种碱金属形成化合物时,具有更高的响,具有更高的响应率。率。长波限可达波限可达930nm,扩展到近展到近红外外。84.紫外光紫外光电阴极阴极通常来通常来说对可可见光灵敏的光光灵敏的光电阴极阴极对紫外光也有紫外光也有较高的量子效率。有高的量子效率。有时,为了消除背景了消除背景辐射的影响,要射的影响,要求光求光电阴极只阴极只对所探所探测的紫外的紫外辐射信号灵敏,而射信号灵敏,而对可可见光无响
6、光无响应。紫外光紫外光电阴极阴极碲化碲化铯(CsTe,320nm,峰,峰值波波长250nm,量子效率:,量子效率:)碘化碘化铯(CsI,200nm,峰,峰值波波长120nm,量子效率:,量子效率:20)9三、三、负电子子亲和和势光光电阴极阴极常常规的光的光电阴极属于阴极属于正正电子子亲和和势(PEA)类型,型,即表面的真空能即表面的真空能级位于位于导带之上。之上。如果如果给半半导体的表面作特殊体的表面作特殊处理,使表面区域能理,使表面区域能带弯曲,真空能弯曲,真空能级降低到降低到导带之下,从而使有效的之下,从而使有效的电子子亲和和势为负值,经过特殊特殊处理的阴极称作理的阴极称作负电子子亲和和势
7、光光电阴极阴极(NEA)。10EA1Eg1Eg2EA2Ev1Ec1E0Ec2Ev2SiCs2O对于于P型型Si的的发射射阈值是是Ed1=EA1+Eg1,电子子进入入导带后需要克服后需要克服亲和和势EA1才能逸出表面。由于表才能逸出表面。由于表面存在面存在n型薄型薄层,使耗尽区的,使耗尽区的电位下降,表面位下降,表面电位降低位降低Ed。光。光电子在表面受到耗尽区子在表面受到耗尽区电场的作用。的作用。1.1.原理原理11Ev1EC1EfEAeE0EdEA2Ev2+-Si-CsO2光光电阴极:在阴极:在p型型Si基上涂一基上涂一层金属金属Cs,经过特特殊殊处理而形成理而形成n型型Cs2O。在交界区形
8、成耗尽在交界区形成耗尽层,耗尽,耗尽区的区的电位下降位下降Ed,造成能造成能带弯弯曲。曲。从从Si的的导带底部漂移到表面底部漂移到表面Cs2O的的导带底部。此底部。此时,电子只需克服子只需克服EA2就能逸出表面。就能逸出表面。对于于P型型Si的光的光电子需子需克服的有效克服的有效亲和和势为EAe=EA2-Ed由于能由于能级弯曲,使弯曲,使EdEA2,这样就形成了就形成了负电子子亲和和势。122.与正与正电子子亲和和势阴极的阴极的区区别1)参与)参与发射的射的电子是子是导带的的热化化电子,或子,或称称为“冷冷”电子;子;)NEA阴极中阴极中导带的的电子逸入真空不需子逸入真空不需作功。作功。133
9、.特点特点1)高吸收,低反射性)高吸收,低反射性质;2)高量子效率,)高量子效率,50%60%,长波到达波到达9%;3)光)光谱响响应可以达到可以达到1m以上;以上;4)冷)冷电电子子发发射光射光谱谱能量分布能量分布较较集中,接近高斯分布集中,接近高斯分布5)光)光谱谱响响应应平坦;平坦;6)暗)暗电电流小;流小;7)在可)在可见见、红红外区,能外区,能获获得高响得高响应应度;度;8)工)工艺艺复复杂杂,售价昂,售价昂贵贵。143.2.2 3.2.2 光电管与光电倍增管的工作原理光电管与光电倍增管的工作原理一、真空光电管一、真空光电管1、结构与工作原理结构与工作原理真空光电管由玻壳、光电阴极和
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