《发光二极管》PPT课件.ppt

《《发光二极管》PPT课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《发光二极管》PPT课件.ppt（139页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、 发光二极管2.1 引言1、定义：发光二极管（LED）是一种固态发光，是利用半导体或类似结构把电能转换成光能的元件，属于低场下的注入式电致发光。2、特点：B高，室温下，全色LED大屏幕，500010000cd/m2工作电压低，15V，可与Si逻辑电路匹配响应速度快，107 1 09s彩色丰富，已研制出红绿蓝和黄橙的LED尺寸小，寿命长（十万小时）视角宽，96年，达80度；97年，达140度3、缺点：电流较大，对七段式LED数码管，10mA/段功耗大，装配大型矩阵屏时散热问题突出4、简史1923年，由Losev在产生p-n结的SiC中发现注入式电致发光60年代末，LED得到迅速发展1964年，G

2、vimmeiss和Scholz以GaP间接带材料隙得到橙、黄、绿的LED80年代，蓝光的LED研制出来，用宽带隙n型或半绝缘的GaN、ZnS或ZnSe上形成肖特基势垒形成 Current LED TechnologyAxial Intensity100101400 450 500 550 600 650 700Wavelength in nmSiC0.1GaInNGaInNGaInNGaP:NGaP:NGaAsPGaAsPGaAsPAl In GaPAl In GaPAl In GaPGaA I As(DH)2.2 LED的发光机理PN结断面示意图What happens when p-typ

3、e&n-type semiconductors are connected?Holes and es migrate across p/n junction.holes104 V/cm electric field atjunction limits size of depletionregion2.2.1 LED的物理基础 复合理论一.载流子的激发半导体中的发光是原子能态之间辐射跃迁的结果。辐射复合速率是由高能态的电子密度、空着的低能态密度以及这两种能态之间的跃迁几率三者乘积决定的。因为半导体中相邻原子的间隔小（5），它们的轨道电子的波函数相互作用，因此形成允许的能带而不足形成分离的能级（如

4、在孤立的原子中），发光产生与带间的跃迁，因此不是单色的，而是扩展遍及一般为几百宽的波长间距半导体中发光是产生浓度超过热平衡值的电子和空穴的复合激发载流子的方式有四种：（1）光致发光：是由能量大于半导体能带间隙的入射光吸收产生少数载流子的过程。它在研究半导体材料时常用（2）阴极的射线发光：剩余载流子的产生是由高能电子电离的电子空穴队而来的。每一个入射的电子产生的电子空穴对数目是非常大的（对于一个10kev的电子，其典型数为103）（3）放射线发光：由各种高能粒子轰击发光物体产生电子空穴对而引起发光（4）电致发光：它是由于外加电场而产生少数载流子的过程利用这种现象制成的器件有LED、LD、EL等二

5、、复合过程 电子空穴对一旦由上面提到的某种激发过程产生，电子将回到它的较低能量的平衡态并与空穴复合。这种复合能够通过两种途径发生：辐射复合，非辐射复合1.辐射复合辐射复合可直接由带间电子和空穴复合产生，也可通过由晶体自身的缺陷掺入的杂质和杂质的聚合物所形成的中间能级来产生；这些缺陷或杂质就叫做发光中心。按电子跃迁的方式可把辐射分成两种带间复合带间复合是指导带中的电子直接与价带中空穴复合，产生的光子能量易接近等于半导体材料的禁带宽度。半导体材料如GaAs,Inp等，由于价带极大与导带极小对应于同一位置（零动量位置）这种半导体材料的能带称为直接带隙半导体能带，也即是说，在直接带隙半导体的电子能量E

6、（k)与波数K关系曲线中，导带极小与价带极大具有相同的K 值，电子与空穴在这种材料中的复合为二体过程，辐射效率不高。如果半导体材料的E（k)K曲线中，导带极小与价带极大对应于不同的K值，称为间接带隙半导体能带。带间复合必需涉及一个第三者的粒子以保持动量守恒。声子（晶格振动)就是这里的第三者。但是这种三粒子过程中电子空穴复合的几率比直接带隙材料中小23个数量级，Si、Ge、GaP等都属于间接带隙，这类材料将两种带间复合的能带示于下图EgKE（k）hEg 直接带隙半导体能带 两种带间复合电子吸收光子的跃迁过程必须满足能量和动量守恒，电子在跃迁过程中波矢保持不变(在波矢k空间必须位于同一垂线上）直接

7、跃迁直接跃迁和间接跃迁直接跃迁和间接跃迁常见半导体GaAs就属于此类：直接带隙半导体直接跃迁中吸收系数 和光子能量的关系为（A为一基本常数）KE（k）hEg Ep间接带隙半导体能带hEgEp Eg间接跃迁：动量不守恒，电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的振动能量，即放出或吸收一个声子从而达到动量守恒.光吸收系数（1-103 cm-1）比直接跃迁（104-106 cm-1)小得多。Si：间接带隙 半导体非间接复合施主和受主杂质不仅决定于材料的导电类型和电阻率，而且当杂质是发光中心时，它们还支配着辐射复合过程，杂质取代晶体内部的基质原子，其位置不规则，因而委形成周期性排列。杂质能级在动量空间扩

8、展开，特别是出现在K0处，（说明杂质能级于半导体的价带顶或导带低具有相同的动量）。这说明为何含有杂质能级的跃迁能如此有效，复合的辐射部分可以发生在从导带到受主或从施主到价带，跃迁更经常发生在施主和受主能态之间，因为它们分别单独为电子和空穴提供低能态。在半导体-族化合物如GaP中，选用特定的杂质通常是从 族施主Te、Se、和S，以及从 族受主Zn、Cd和Mg当中进行挑选。这种半导体材料（GaP）在常温下通过激子(是指电子处于激发状态但不能自由行动，被空穴所产生的库仑场俘获的原子或分子)来进行非间带复合跃迁。如果在-族化合物中选用与基质晶体同样电子结构的元素搀杂，使之置换基质晶体元素的晶格点，由于

9、它与基质晶体元素的电子亲和力不同，而对电子或空穴产生吸引作用，这样的势阱叫做等电子势阱，这种材料是通过等电子势阱来进行带间复合跃迁。如GaP中搀N，N置换P，因为N和P为同一族，置换后呈电中性，由于N比P对电子的亲和力大，会俘获电子，其后又以库仑场俘获空穴，因此N也称为等电子受主。对于各种特定的搀杂剂和半导体的组合，最佳的杂质浓度通常是以高效发光为目的的经验来决定。一般情况下，杂质浓度不能太小，因为：注入少数载流子的复合几率直接正比于将要与之复合的多数载流子的浓度（即发光中心浓度）较高的串联电阻是由于低的载流子浓度的缘故，在大电流下，能引起过多的发热和大的电压降。另一方面，杂质浓度不能太大，由

10、于“浓度悴灭”，在浓度接近杂质溶解度极限时会引起诸如沉淀和金属络合物等冶金学缺陷，使半导体根本不会发光，因此浓度不能太大。对于所搀施主杂质，浓度范围为10171018个cm3，受主杂质在10181019个cm32、非辐射复合电子与空穴的复合为非辐射性时，则不发光，在半导体材料中最主要的非辐射复合过程有两种：通过缺陷或杂质中心的复合内部量子辐射复合就是在那里发生缺陷（以及Fe、Cu一类的污染）引起的，深复合中心并跟着发生红外发射或非辐射复合。这是由于杂质在表面处有一能态的连续区（或准连续区）可以把导带和价带连接起来，在表面态处的复合由声子发射耗散掉多余的能量通过俄歇效应的非辐射复合俄歇电子发射是

11、下图所示的一个过程。VacM等L2,3L1KEF 初始态0EVacM等L*2,3L1KEF 终态M等L*2,3L1EFVacK 激发与发射EpEk2、2、2 p-n结注入式电致发光机理（结型电致发光）按照半导体材料不同形成的p-n结来进行电致发光的情况，可分为两类：同质p-n结注入式电致发光异质p-n结注入式电致发光一、同质p-n结注入电致发光At the junction,free electrons from the N-type material fill holes from the P-type material.This creates an insulating layer in

12、 the middle of the diode called the depletion zone.无外加电压p-type&n-type semiconductor LED的发光原理PN结(PN-junction)二、异质p-n结注入电致发光能带如图所示PNEc1Ev1EFEv2Ec2Eg1Eg2未加偏压下的PN结能带图PEg1Eg2NEg2Eg1Ec2Ec1Ev1EFp加正向偏压下的PN结能带图发光区注入源Potential 势垒异质结(Hetero-junction)2、3 Light Emitting Diode(LED)2、3、1 结构与材料一、结构采用半导体工艺在衬低上制作p-n结

13、，然后制作Al电极，接着在半导体衬低一面蒸镀AuGe电极，制得芯片，封装芯片，焊到管座上，由超声波焊接或热压焊引出电极，最后涂覆透明的环氧树脂。其形状和折射率对LED发光有很大的影响Phosphor Coated LEDs二、材料LED对材料的要求：1.Eg较大，因为晶体发光的EmaxEg1.72ev,Eg大，则便于发能量较大的蓝光或绿光2.纯度高，晶格完整性好，以减小非辐射复合3.直接带隙的半导体，其跃迁效率高4.能容易与Al、Au等金属形成良好的欧姆接触5.稳定性好，价格便宜重要半导体的带隙重要半导体的带隙对于LED材料的要求体现在LED特性上有二个重要的优质：一是外量子效率。另一个引入亮

14、度B2.3.2 LED的制造工艺结型发光器件工艺和一般半导体器件相似，但由于它是发光器件，因此必须充分注意其电学、光学特性的统一效果。半导体发光材料通常是用外延材料制作的，GaAsP基片是由气相外延制造的，单晶晶片上切割下来的，而GaP和AlGaAs则采用的液相外延技术。相应的器件制作都是采用n型掺杂的材料，用Zn扩散方法，进行局部受主扩散形成pn结，这里以GaAsPLED为例，对制作工艺加以说明。单晶的制作单晶的制作采用水平布里奇曼法（Bridgman）采用保护旋转提拉法平面结型LED工艺NGaAs（100）掺 P、Te外延NGaAs（100）NGaAs 1x PxSi3N4掩模NGaAs（

15、100）NGaAs 1x Px Si3N4掩模 光刻Si3N4掩模NGaAs（100）NGaAs 1x Px Zn扩散NGaAs（100）NGaAs 1x Px LED的制作工艺的制作工艺蒸铝电极NGaAs（100）NGaAs 1x Px Al光刻Al电极NGaAs（100）NGaAs 1x Px AlNGaAs（100）NGaAs 1x Px Al蒸 金锗 电 极划片、测试选片、封装外延技术：外延技术：LPE(liquid phase epitaxy)VPE(vapor phase epitaxy)MBE(molecular beam epitaxy)MOCVD(metal-organic

16、chemical vapor deposition)Liquid-Phase Epitaxy(LPE)LPE is the simplest technique mechanically.It is an excellent technique for the production of the very thick layers used in some high-brightness LED structures.Molecular Beam Epitaxy(MBE)MBE is the most powerful technique for the production of super

17、lattice and quantum-well structures.MBE can be used for the growth of a wide range of materials,but a notable shortcoming is the difficulty experienced with the growth of the phosphides.Organometallic Vapor-Phase Epitaxy(OMVPE)OMVPE is the most versatile technique for the production of III-V materia

18、ls and structures for eletronic and photonic device.It is also the most recent technique to be devoloped for the production of high-quality III-V semiconductors.台面结型LED工艺NGaAs（100）掺 P、Te外延NGaAs（100）NGaAs 1x PxZn扩散NGaAs（100）NGaAs 1x PxP GaAs 1x Px蒸Al电极光刻NGaAs（100）NGaAs 1x PxP GaAs 1x PxNGaAs（100）NGaA

19、s 1x PxP GaAs 1x PxAl1.减薄、抛光2.蒸AuGe电极 NGaAs（100）NGaAs 1x PxP GaAs 1x Px封装AuGe2.3.3 LED的特性1、IV特性其正向IV特性与普通二极管大致相同Diode V-I CharacteristicFor ideal diode,current flows only one wayReal diode is close to idealIdeal DiodeP-N Junction-V-I characteristicsVoltage-Current relationship for a p-n junction(dio

20、de)The Ideal Diode Equation2、BV特性和BI特性LED的发光亮度B与电压V的关系，用下式表示：LED的BI特性用下式表达：注意：发红光的GaP与上式不同，B呈现饱和。材料中心通过Zn-O对进行的，当少数载流子密度达到一定的数值时会使发光中心饱和，而发绿光的GaP中辐射复合时通过浅施主能级进行，即使施主浓度很大也不会出现饱和3、发光效率、发光效率内量子效率外量子效率由于材料的折射率高，发射和吸收的损失大，辐射复合产生的光子不会全部射出设射出的光子数目NT，注入的电子空穴对G，则显然，外量子效率小于内量子效率一般，内量子效率可达50；而外量子效率为0.112%功率效率对

21、理想的p-n结LED,V外全部加在p-n结上.但在实际上,在电极和LED接触处,LED半导体层本身都有电阻,称为串联电阻Rs.一般直接带隙-族化合物半导体LED中,Rs=13欧姆;间接带隙除-族化合物半导体LED,Rs=10欧姆.Rs上的压降不影响量子效率,但减小了功率效率.功率效率的可以表示为:提高功率效率,则Rs下降,掺杂浓度升高.单不能太高(因为要影响LED的结晶完整性),一般取1018cm-3为宜.提高LED效率的途径a.选择适当的掺杂浓度在p-n结加上正向偏压以后，注入结区的载流子有一部分被晶格缺陷和有害杂质俘获，形成空间非辐射复合。这种复合尽量避免，因俘获中心有限，可加大注入电流使

22、其饱和，扩散电流jd开始起主要作用在LED中，只有一种扩散电流对发光贡献大。在红光GaP中，主要是jdn在p区的复合，要增加注入效率，就要提高jdn在全部扩散电流中的比例，因为施主杂质浓度（ND）大于受主杂质浓度（NA），要适当提高NA。但是NA和 ND不能太高，否则因缺陷过多造成过多的光子吸收，减少电子迁移率和增加空穴向N区注入，这些都会降低注入效率，所以NA，ND 都有一个最佳值，一般都在1018cm-3这个数量级上。b.选择适当的结深辐射复合发出的光从p-n结到达晶体表面之前会受到较大的吸收，为了减小吸收，把结做得薄一些，但是太浅了又会使注入的载流子在体内来不及充分复合就到达电极流走了。

23、因此结深也有一个最佳值，其计算公式：c.改进LED的结构由于-族材料的折射率大（n34），即使垂直入射到空气界面的光也有50的发射，与界面的法线大于16度（全反射临界角）的光完全发射回器件内部。只有 c立体角内的光才能出射出器件之外，将c度代入，得外量子效率约0.03,即到达表面的光只有3%左右可以出射出来。但是由于晶体本身在光的传输过程中还有很强的吸收作用，因而实际的外量子效率比计算值低。用球面发射表面结构这种结构减小了界面发射，但使材料内部光程增大，在增加了吸收为了提高外量子效率，可采取下列措施：为了提高外量子效率，可采取下列措施：用折射率较大的介质做成圆顶光窗，以增大半导体内的全发射临界

24、角。LED-Optical Properties-Light Escape ConeTotal internal reflection at the semiconductor air interface reduces the external quantum efficiency.The angle of total internal reflection defines the light escape cone.sinc=nair/nsArea of the escape cone=2r2(1-cosc)Pescape/Psource=(1-cosc)/2=c2/4=(nair2/ns

25、2)/4LED-Optical Properties-Emission SpectrumLight intensity in air(Lambertian emission pattern)is given byIair=(Psource/4r2)X(nair2/ns2)cosIndex contrast between the light emitting material and the surrounding region leads to non-isotropic emission patternLED-Optical Properties-Epoxy encapsulantsLig

26、ht extraction efficiency can be increased by using dome shaped encapsulants with a large refractive index.Efficiency of a typical LED increases by a factor of 2-3 upon encapsulation with an epoxy of n=1.5.The dome shape of the epoxy implies that light is incident at an angle of 90o at the epoxy-air

27、interface.Hence no total internal reflection.在p-n结背面设置合适的反射面，可以利用正面发出的光，也可以使后面的光得到有效的利用反射面反射面电极与p-n结的欧姆接触处具有高的吸收系数，应减小接触面积，但会增加串联电阻Rs和降低热导，因而可采用折中的办法，用绝缘层（SiO2）覆盖在二极管表面，同时在其上开一小窗口作欧姆接触。采用此法的红光GaAsP的LED，其吸收系数由700/cm下降到230/cm,相应亮度提高了23倍。对于GaAs红外LED，可采用掺硅将其辐射波长向长波长方向偏移以减小吸收损耗选择适当的p-n结半导体材料，使发射光谱与视觉曲线有最

28、大的重叠。即使矩形结构的LED，会可采取折射率大，吸收小的透明材料封装LED，可增加出射光，入对于GaAsP的LED用环氧树脂封装（nr 1.55),c度，出射光增加了倍，用低熔点玻璃封装（nr 2.42.6)，则外发光效率可提高47倍。High extraction efficiency structuresShaping of the LED die is critical to improve their efficiency.LEDs of various shapes;hemispherical dome,inverted cone,truncated cones etc have

29、been demonstrated to have better extraction efficiency over conventional designs.However cost increases with complexity.High extraction efficiency structuresThe TIP LED employs advanced LED die shaping to minimize internal loss mechanisms.The shape is chosen to minimize trapping of light.TIP LED is

30、a high power LED,and the luminous efficiency exceeds 100 lm/W.TIP devices are sawn using beveled dicing blade to obtain chip sidewall angles of 35o to vertical.High internal efficiency LED designsRadiative recombination probability needs to be increased and non-radiative recombination probability ne

31、eds to be decreased.High carrier concentration in the active region,achieved through double heterostructure(DH)design,improves radiative recombination.R=BnpDH design is used in all high efficiency designs today.Doping of the active regions and that of the cladding regions strongly affects internal e

32、fficiency.Active region should not be heavily doped,as it causes carrier spill-over in to the confinement regions decreasing the radiative efficiencyDoping levels of 1016-low 1017 are used,or none at all.P-type doping of the active region is normally done due to the larger electron diffusion length.

33、Carrier lifetime depends on the concentration of majority carriers.In low excitation regime,the radiative carrier lifetime decreases with increasing free carrier concentration.Hence efficiency increases with doping.At high concentration,dopants induce defects acting as recombination centers.High int

34、ernal efficiency LED designsP-N junction displacementDisplacement of the P-N junction causes significant change in the internal quantum efficiency in DH LED structures.Dopants can redistribute due to diffusion,segregation or drift.Doping of the confinement regionsResistivity of the confinement regio

35、ns should be low so that heating is minimal.High p-type conc.in the cladding region keeps electrons in the active region and prevents them from diffusing in to the confinement region.Electron leakage out of the active region is more severe than hole leakage.Non radiative recombinationThe concentrati

36、on of defects which cause deep levels in the active region should be minimum.Also surface recombination should be minimized,by keeping all surfaces several diffusion lengths away from the active region.Mesa etched LEDs and lasers where the mesa etch exposes the active region to air,have low internal

37、 efficiency due to recombination at the surface.Surface recombination also reduces lifetime of LEDs.Lattice matchingCarriers recombine non-radiatively at misfit dislocations.Density of misfit dislocation lines per unit length is proportional to lattice mismatch.Hence the efficiency of LEDs is expect

38、ed to drop as the mismatch increases.4、温度特性温度上升，亮度下降；温度增加1度，发光效率减小1，当LED消耗功率大，则结温上升，输出亮度下降，所以减小功耗，改良散热条件很重要。Causes include non-radiative recombination via deep levels,surface recombination,and carrier loss over heterostucture barriers.5、发射光谱LED的发射光谱由半导体禁带宽度以及杂质浓度决定。描述光谱分布的两个主要参量是峰值波长max与半高宽。对GaAs1-x

39、Px和Ga1-xAlxAs由于x不同，max620680nm，2030nm；对GaP（红）:max700nm，10nm；对GaP（绿）:max570nm，25nm。器件工作时的温度 会影响发射光谱，随着温度升高，变大，max也会发生漂移度，在光通信中是一个很重要的参量。6、响应时间在快速显示，快速调制时，器件对信息的反应速度，即对启亮和熄灭时间有一定的要求，LED响应时间由以下因素决定：LED的上升（启亮）与I有关。随着I上升，启亮时间近似指数增长，这与发光中心和其它陷阱俘获载流子的情况有关，而LED的衰减与I无关。因为LED是少子注入的正向偏置的p-n结的自发辐射。响应时间与少子的寿命、结电

40、容、寄生电容有关，但是主要由寿命决定LED的响应时间很短，主要是由于载流子的直接跃迁复合时间较短。对GaP为100ns，GaAsP只有几个ns。7、寿命LED的寿命一般很长，j1A/cm2,寿命为106h，与j有关，近似表示为影响LED寿命的因素有：表面漏电流的增加象铜之类的沾污物的内扩散在p-n结附近形成非辐射复合中心。对于前面两个因素，可采用合适的钝化、封装以及清洗技术予以消除，对于后一个原因可以在制作LED时尽量保证晶格的完整性，降低其缺陷密度，来达到缓解非辐射复合中心产生的速度，但不能完全消除。2.3.4 LED显示器件常用材料性能1、GaAs：Eg1.43ev,直接带隙，max在红外

41、线范围，不能直接用于显示GaAs：Si max940nm；GaAs：Zn max900nm近年来研制成功的将稀土荧光粉LaF3：Y：Er涂于芯片上，可将红外转移到绿光这是利用多次连续机理原理实现的。选择适当的荧光粉可以得到气体颜色的光。其缺点是：发光不均匀，响应速度慢2、GaPEg2.25ev,间接带隙，这类器件有：max(nm)外量子效率（）颜色GaP:ZnO690315红光GaP：N、O5900.05黄光GaP：N5500.050.7绿光优点：透光性能好，颜色丰富，掺入不同的杂质，可发红、黄、绿光；缺点：外量子效率低现已采用合成熔融扩散技术和液相外延技术制成高效的绿色GaP的LED.3、G

42、aAs1-xPx由GaAs和GaP混晶制成，x：混晶比Eg随x变化 x0.45 器件为间接跃迁型掺N的GaAs1-xPx会使发光效率提高AlGaAsAlGaAs was the first material for which very high brightness LEDs were demonstrated.The AlGaAs system is nearly lattice-matched to the GaAs substrates for all compositions.When the Al content increases,the bandgap becomes larg

43、e and indirect.With increasing Al composition,the wavelength will also decrease.AlGaInPThe AlGaInP system was identified early as one of the most promising for high-performance LEDs.AlGaInP have high external quantum efficiency,like 20%at 630 nm,10%at 590 nm,and 2%at 570 nm.AlGaInNAlGaInN are very d

44、ifferently from the conventional III-V semiconductors.Due to they have large bond strengths,so they require high growth tempertures.They can be grown on SiC and sapphire,but the lattice match between GaN and SiC is much better than for sapphire.Tungsten(60W)Red FilteredRed FilteredEdisons First Ligh

45、t BulbHalogen(30W)Fluorescent(40W)Low-Pressure Sodium(18W)Yellow FilteredYellow FilteredGREENGaAs PGaP:Zn,OGaP:Zn,OGaP:N GREEN AlGaAs/GaAsAlGaAs/AlGaAsAlGaInP/GaAsAlGaInP/GaPRED-ORANGE-YELLOW BLUESiCBLUEPERFORMANCE(LUMENS/WATT)10010 1GaAsPGaAsP:NRED-ORANGE-YELLOW RED-ORANGE-YELLOW InGaNRED RED RED R

46、ED 1960 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 RED Evolution of the Visible-SpectrumEvolution of the Visible-SpectrumLight-Emitting DiodeLight-Emitting DiodeCourtesy of:Courtesy of:Green FilteredGreen FilteredInGaNInGaNYELLOWShaped AlGaInP/GaPRED-ORANGE-YELLOW 2.4 LED的应用LED具有工作电压低（13V），电流小（几几十mA），响

47、应速度快（10-6 10-9s),寿命长（105h），B高，可与半导体集成电路匹配，工艺简单，能实现多路驱动等特点，因此可以在以下方面得到很好的应用：一、指示灯普通的钨丝灯耐振动性差、易破碎等问题，LED指示灯不断更新换代，其寿命在数十万小时以上，而且功耗小，发光响应速度快，亮度高，小型耐振动等特点，在各种应用中占有明显的优势。常见的应用：电话、音响制品、家电制品、各种计测仪表以及集中控制盘等许多领域中，有着广泛的应用。LED显示屏的应用领域：证券交易、金融信息显示；机场航班等的动态显示等。White-light LEDsWhite light can be generated in seve

48、ral different ways.One way is to mix to complementary colors at a certain power ratio.Another way is by the emission of three colors at certain wavelengths and power ratio.Most white light emitters use an LED emitting at short wavelength and a wavelength converter.The converter material absorbs some

49、 or all the light emitted by the LED and re-emits at a longer wavelength.Two parameters that are important in the generation of white light are luminous efficiency and color rendering index.It is shown that white light sources employing two monochromatic complementary colors result in highest possib

50、le luminous efficiency.White-light LEDsWavelength converter materials include phosphors,semiconductors and dyes.The parameters of interest are absorption wavelength,emission wavelength and quantum efficiency.The overall energy efficiency is given by =ext(1/2)Even if the external quantum efficiency i