材料合成与制备的基本途径.ppt
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1、材料合成与制备材料合成与制备赵雷赵雷 李亚伟李亚伟 无机非金属材料系无机非金属材料系/12:54:242第二章第二章 材料合成与制备的基本途径材料合成与制备的基本途径p材料合成与制备的基本途径:材料合成与制备的基本途径:E基于基于液相液相固相固相转变的材料制备转变的材料制备E基于基于固相固相固相固相转变的材料制备转变的材料制备E基于基于气相气相固相固相转变的材料制备转变的材料制备/12:54:2432.1基于基于液相液相固相固相转变的材料制备转变的材料制备p基于液相基于液相固相转变的材料制备一般可分为两固相转变的材料制备一般可分为两类:类:(1)(1)是从是从熔体熔体出发,通过降温固化得到固相
2、材料,出发,通过降温固化得到固相材料,如果条件适合并且降温速率足够慢可以得到单如果条件适合并且降温速率足够慢可以得到单晶体,如果采用快冷技术可以制备非晶晶体,如果采用快冷技术可以制备非晶(玻璃玻璃态态)材料;材料;(2)(2)从从溶液溶液出发,在溶液中合成新材料或有溶液出发,在溶液中合成新材料或有溶液参与合成新材料,再经固化得到固相材料。参与合成新材料,再经固化得到固相材料。/12:54:2442.1.1 2.1.1 从熔体制备单晶材料从熔体制备单晶材料p单晶材料单晶材料Single crystal:atoms are in a repeating or periodic array over
3、 the entire extent of the material Polycrystalline material:comprised of many small crystals or grains.The grains have different crystallographic orientation.There exist atomic mismatch within the regions where grains meet.These regions are called grain boundaries./12:54:245单晶材料单晶材料Basic Characteris
4、tic of Crystals各向异性均一性 同质性 Homogeneity Under macroscopic observation,the physics effect and chemical composition of a crystal are the same.Anisotropy Physical properties of a crystal differ according to the direction of measurement./12:54:246Anisotropy Different directions in a crystal have differen
5、t packing.For instance,atoms along the edge of FCC unit cell are more separated than along the face diagonal.This causes anisotropy in the properties of crystals,for instance,the deformation depends on the direction in which a stress is applied./12:54:257p单晶材料的制备必须排除对材料性能有害的杂质原子和晶体缺陷。单晶材料的制备必须排除对材料性
6、能有害的杂质原子和晶体缺陷。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。(1)(1)从熔体中结晶从熔体中结晶 当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说,当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说,只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时结晶成冰;金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属晶体。结晶成冰;金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属晶体。(2)(2)从熔体中结晶从熔体中结晶 当溶液达到过饱和时,才能析出晶体。其方式当溶液达到过饱和时,才能析出晶体。其方式有:有:1)1)温度降低,如
7、岩浆期后的热桩越远离岩浆源则温度将渐次降温度降低,如岩浆期后的热桩越远离岩浆源则温度将渐次降低,各种矿物晶体陆续析出低,各种矿物晶体陆续析出.2)2)水分蒸发,如天然盐湖卤水蒸发,盐类矿物结晶出来水分蒸发,如天然盐湖卤水蒸发,盐类矿物结晶出来.3)3)通过化学反应,生成难溶物质。通过化学反应,生成难溶物质。/12:54:258Nonlinear Optical Crystal(LiB3O5)Scintillating Crystal(HgI).Scintillating Crystal(Bi4Ge3O12)Laser Crystals(YAl5O12)Electro-Optic Crystal
8、s(Bi12SiO20)Optical Crystals(CaF2)Nonlinear Optical Crystals(KNbO3)Nonlinear Optical Crystals(KNbO3)Nonlinear Optical Crystals(KTiOPO4)/12:54:259直拉法直拉法(Czochralski 法法)p特点特点是所生长的晶体的质量高,速度快。是所生长的晶体的质量高,速度快。p熔体置于坩埚中,一块小单晶,称为籽熔体置于坩埚中,一块小单晶,称为籽晶,与拉杆相连,并被置于熔体的液面处。晶,与拉杆相连,并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体加热器使
9、单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上,籽晶的温度的温度保持在材料的熔点以上,籽晶的温度在熔点以下,而液体和籽晶的固液界面处的在熔点以下,而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸伸(典型速率约为每分钟几毫米典型速率约为每分钟几毫米),熔体不断,熔体不断在固液界面处结晶,并保持了籽晶的结晶学在固液界面处结晶,并保持了籽晶的结晶学取向。取向。为了保持熔体的均匀和固液界面处温度为了保持熔体的均匀和固液界面处温度的稳定,籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转的稳定,籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转(转速约为每分钟数十转转速约为每分
10、钟数十转).).直拉法单晶生长示意图直拉法单晶生长示意图1 1:籽晶;:籽晶;2 2:熔体;:熔体;3 3、4 4:加热器:加热器高压惰性气体高压惰性气体(如如ArAr)常被通入单晶炉中防止污染并常被通入单晶炉中防止污染并抑制易挥发元素的逃逸抑制易挥发元素的逃逸./12:54:2510/12:54:2511This technique originates from pioneering work by Czochralski in 1917 who pulled single crystals of metals.Since crystal pulling was first develop
11、ed as a technique for growing single crystals,it has been used to grow germanium and silicon and extended to grow a wide range of compound semiconductors,oxides,metals,and halides.It is the dominant technique for the commercial production of most of these materials./12:54:2512坩埚下降法(定向凝固法)坩埚下降法(定向凝固法
12、)p基本原理使装有熔体的坩基本原理使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。梯度的温场。p开始时整个物料都处于熔开始时整个物料都处于熔融状态,当坩埚下降通过融状态,当坩埚下降通过熔点时,熔体结晶,随着熔点时,熔体结晶,随着坩埚的移动,固液界面不坩埚的移动,固液界面不断沿着坩埚平移,直至熔断沿着坩埚平移,直至熔体全部结晶。使用此方法,体全部结晶。使用此方法,首先成核的是几个微晶,首先成核的是几个微晶,可使用籽晶控制晶体的生可使用籽晶控制晶体的生长。长。坩埚下降法单晶生长装置和温场示意图坩埚下降法单晶生长装置和温场示意图1 1:容器;:容器;2 2:熔体;:熔体;3 3
13、:晶体;:晶体;4 4:加热器;:加热器;5 5:下降装置;:下降装置;6 6:热电偶;:热电偶;7 7:热屏:热屏/12:54:2513区熔法p沿坩埚的温场有一个峰值,沿坩埚的温场有一个峰值,在这个峰值附近很小的范围内在这个峰值附近很小的范围内温度高于材料的熔点。这样的温度高于材料的熔点。这样的温场由环形加热器来实现。在温场由环形加热器来实现。在多晶棒的一端放置籽晶,将籽多晶棒的一端放置籽晶,将籽晶附近原料熔化后,加热器向晶附近原料熔化后,加热器向远离仔晶方向移动,熔体即在远离仔晶方向移动,熔体即在籽晶基础上结晶。加热器不断籽晶基础上结晶。加热器不断移动,将全部原料熔化、结晶,移动,将全部原
14、料熔化、结晶,即完成晶体生长过程。即完成晶体生长过程。水平和悬浮区熔法单晶生长示意图水平和悬浮区熔法单晶生长示意图1 1:仔晶;:仔晶;2 2:晶体;:晶体;3 3:加热器;:加热器;4 4:熔体;:熔体;5 5:料棒;:料棒;6 6:料舟:料舟/12:54:2514区熔法p悬浮区熔法不用容器,污染较小,但不易得到大悬浮区熔法不用容器,污染较小,但不易得到大尺寸晶体。尺寸晶体。p利用溶质分凝原理,区熔法还被用来提纯单晶材利用溶质分凝原理,区熔法还被用来提纯单晶材料,多次区熔提纯后使晶体中的杂质聚集在材料料,多次区熔提纯后使晶体中的杂质聚集在材料的一端而达到在材料的其他部分提纯的目的。的一端而达
15、到在材料的其他部分提纯的目的。/12:54:2515液相外延液相外延(LPE)LPE)p选择合适的衬底,可以从熔体中得到单晶薄膜选择合适的衬底,可以从熔体中得到单晶薄膜.液相外延生长技术示意图液相外延生长技术示意图1 1:热电偶;:热电偶;2 2:石墨料舟;:石墨料舟;3 3:不同组分的熔:不同组分的熔体;体;4 4:衬底:衬底 料舟中装有待沉积的料舟中装有待沉积的熔体,移动料舟经过单熔体,移动料舟经过单晶衬底时,缓慢冷却在晶衬底时,缓慢冷却在衬底表面成核,外延生衬底表面成核,外延生长为单晶薄膜。在料舟长为单晶薄膜。在料舟中装人不同成分的熔体,中装人不同成分的熔体,可以逐层外延不同成分可以逐层
16、外延不同成分的单晶薄膜。的单晶薄膜。工艺简单,能够制备高纯度结晶优良的外延层,但不适合生长较薄的外延层。工艺简单,能够制备高纯度结晶优良的外延层,但不适合生长较薄的外延层。/12:54:25162.1.2 2.1.2 从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p高温熔体处于无序的状态,使熔体缓慢降温高温熔体处于无序的状态,使熔体缓慢降温到熔点,开始成核、晶核生长,结晶为有序到熔点,开始成核、晶核生长,结晶为有序的晶体结构。的晶体结构。p随着温度的降低,过冷度增加,结晶的速率随着温度的降低,过冷度增加,结晶的速率加快。当温度降到一定值时,结晶速率达到加快。当温度降到一定值时,结晶速率达到极大值。进一步
17、降低温度,因为熔体中原子极大值。进一步降低温度,因为熔体中原子热运动的减弱,成核率和生长速率都降低,热运动的减弱,成核率和生长速率都降低,结晶速率也因此而下降。结晶速率也因此而下降。/12:54:2517从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p如果能使熔体急速地降温,以至生长甚至成如果能使熔体急速地降温,以至生长甚至成核都来不及发生就降温到原子热运动足够低核都来不及发生就降温到原子热运动足够低的温度,这样就可以把熔体中的无序结构的温度,这样就可以把熔体中的无序结构“冻结冻结”保留下来,得到结构无序的固体材料,保留下来,得到结构无序的固体材料,即非晶,或玻璃态材料。即非晶,或玻璃态材料。p主要的急
18、冷技术有雾化法、急冷液态溅射、主要的急冷技术有雾化法、急冷液态溅射、表面熔化和自淬火法。表面熔化和自淬火法。/12:54:2518从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p雾化法是将熔融金属用气流、液体或机械方法破碎成小雾化法是将熔融金属用气流、液体或机械方法破碎成小液滴,随后凝固成粉末。冷却速率一般为液滴,随后凝固成粉末。冷却速率一般为103105103105K Ks s;p急冷液态溅射是将熔融金属或合金溅射到高速旋转的具急冷液态溅射是将熔融金属或合金溅射到高速旋转的具有高导热系数的辊面上,熔体在辊面上急速降温,形成有高导热系数的辊面上,熔体在辊面上急速降温,形成20502050mm mm 厚的
19、非晶薄带。厚的非晶薄带。急冷液态溅射法制备非晶薄带示意图急冷液态溅射法制备非晶薄带示意图1 1 一铜辊;一铜辊;2 2 一加热器;一加热器;3 3 一熔体;一熔体;4 4 一非晶薄带一非晶薄带熔体被气压溅射到高速旋转的熔体被气压溅射到高速旋转的铜辊面上,降温速率可达铜辊面上,降温速率可达105105105105K Ks s。/12:54:2519从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p表面熔化和自淬火法用激光束或电子束使合表面熔化和自淬火法用激光束或电子束使合金表面一薄层金表面一薄层(厚度厚度10 Ksp,沉淀沉淀 /共沉淀。共沉淀。方法方法 化学共沉淀法是把含有各种离子的水溶液加进碱化学共沉淀
20、法是把含有各种离子的水溶液加进碱类或沉淀剂,例如草酸等沉淀剂使水溶液形成氢类或沉淀剂,例如草酸等沉淀剂使水溶液形成氢氧化物或草酸盐沉淀,然后室温或升温陈化氧化物或草酸盐沉淀,然后室温或升温陈化(aging),使结构进一步稳定,最后煅烧。使结构进一步稳定,最后煅烧。/12:54:2736沉淀法、共沉淀法之优缺点沉淀法、共沉淀法之优缺点优点优点 1 1各种离子在沉淀物中以离子状态混合,混合程度各种离子在沉淀物中以离子状态混合,混合程度通常非常良好,在溶解度限内不会有局部成份不均通常非常良好,在溶解度限内不会有局部成份不均现象。现象。2 2沉淀物是非晶态氢氧化物或低分解温度的草酸盐,沉淀物是非晶态氢
21、氧化物或低分解温度的草酸盐,且因混合程度本已良好,可以降低煅烧温度。且因混合程度本已良好,可以降低煅烧温度。3 3由于低温煅烧,研磨时间可缩短,较易获得没有由于低温煅烧,研磨时间可缩短,较易获得没有受到磨球污染,粒径很细的粉末。受到磨球污染,粒径很细的粉末。4 4化学共淀法具有自清作用,一些有害的杂质可以化学共淀法具有自清作用,一些有害的杂质可以尽量避免沉淀下来,以提高沉淀物的纯度。尽量避免沉淀下来,以提高沉淀物的纯度。/12:54:2737沉淀法、共沉淀法之优缺点沉淀法、共沉淀法之优缺点缺点:缺点:1.1.化学共沉淀法所得非晶形沉淀物,其化学组成常受化学共沉淀法所得非晶形沉淀物,其化学组成常
22、受不同离子在同一不同离子在同一pH pH 下溶解度不同,或极其不易沉淀下溶解度不同,或极其不易沉淀物种物种(如如LiLi+1+1),或不同沉淀剂盐类或不同沉淀剂盐类(例如草酸盐例如草酸盐)的溶的溶解度不同,而影响沉淀物的组成。解度不同,而影响沉淀物的组成。2.2.化学共沉淀法所得沉淀物为非晶形,仍需要相当高化学共沉淀法所得沉淀物为非晶形,仍需要相当高温的煅烧。温的煅烧。3.3.比起固相反应法费时、费力、耗用水量过多,及生比起固相反应法费时、费力、耗用水量过多,及生产过程过份复杂,成本高,以致至今被采用的例子产过程过份复杂,成本高,以致至今被采用的例子不多。不多。/12:54:2738沉淀(共沉
23、)法合成技术沉淀(共沉)法合成技术随随着着无无机机非非金金属属材材料料,特特别别是是陶陶瓷瓷材材料料的的精精密密化化发发展展,材材料料成成分分的的均均匀匀性性显显得得越越来来越越重重要要。传传统统固固相相合合成成技技术术难难以以使使材材料料达达到到分分子子或或原原子子程程度度化化学学计计量量比比混混合合,采采用用化化学学共共沉沉淀淀法法(chemical chemical co-precipitation)co-precipitation)往往往往可可以以解解决决这这个个问问题题,从从而而达到较低生产成本、制备高性能陶瓷材料的目的。达到较低生产成本、制备高性能陶瓷材料的目的。化化学学共共沉沉淀
24、淀法法一一般般是是把把化化学学原原料料以以溶溶液液状状态态混混合合,并并向向溶溶液液中中加加入入适适当当的的沉沉淀淀剂剂(pH pH 调调整整剂剂或或难难溶溶化化合合物物生生成成剂剂),使使溶溶液液中中已已经经混混合合均均匀匀的的各各个个组组分分按按化化学学计计量量比比共共同同沉沉淀淀出出来来,或或者者在在溶溶液液中中先先反反应应沉沉淀淀出出一一种种中中间间产产物物(precursor precursor 前前驱驱物物),再把它煅烧,再把它煅烧(calcinationcalcination)分解,制备出微细粉末产品。分解,制备出微细粉末产品。/12:54:2739沉淀(共沉)法合成技术沉淀(共
25、沉)法合成技术常用方法是以水溶液形式,将阴离子导入易溶性化常用方法是以水溶液形式,将阴离子导入易溶性化合物的水溶液中作为沉淀剂,并与含有金属阳离子合物的水溶液中作为沉淀剂,并与含有金属阳离子的易溶性化合物发生反应,形成难溶性氢氧化物、的易溶性化合物发生反应,形成难溶性氢氧化物、碳酸盐或草酸盐而沉淀出来。由于反应在液相中,碳酸盐或草酸盐而沉淀出来。由于反应在液相中,可以均匀进行,获得在微观限度中按化学计量比混可以均匀进行,获得在微观限度中按化学计量比混合的产物。合的产物。/12:54:2740化学共沉淀法制备流程化学共沉淀法制备流程 采用化学共沉淀法制备粉体的方法很多,比较成熟并应采用化学共沉淀
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