《极管培训资料》PPT课件.ppt

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1、三极管培训资料三极管的分类。三极管的 类型。三极管的电路符号。MOS管的电路符号。双极性三极管的应用。单极性三极管的应用。三极管的计算/参数。三极管的选择原则。三极管类型的识别。与BJT比较，FET的特点。大功率MOS管。三极管的分类。根据导电载流子的种类分：单极性三极管和双极性三极管。单极性三极管(FET)只有一种载流子导电（空穴或者电子）.它是一种电压控制器件，即用输入电压控制输出电流。双极性三极管(BJT)中两种载流子同时参与导电.它是一种电流控制器件，用较小的输入电流控制较大输出的电流。三极管的 类型1。双极性三极管(BJT)有两种类型：NPN型和PNP型.2。单极性三极管（场效应管）

2、有两种类型.结型场效应管JFET,绝缘栅场效应管IGFET.：JFET分N沟道和P沟道两种类型；IGFET也分N沟道和P沟道两种类型。：N沟道IGFET和P沟道IGFET 又分增强型和耗尽型两种类型。三极管的电路符号P沟道JFETN沟道JFFTNPN型 PNP型MOS管电路符号增强型NMOS管增强型PMOS管耗尽型PMOS管耗尽型NMOS管双极性三极管的应用双极性三极管起放大作用的条件：有内部条件和外部条件。内部条件是：发射区的掺杂浓度高；基区很薄且掺杂浓度底；集电极的面积大。外部条件是：有外加直流电源，并且满足发射结正偏、集电结反偏。这两个条件同时满足，三极管才具有放大功能。双极性三极管的主

3、要应用是其放大作用。比如用三极管组成的共发射极电路、共集电极电路和共基极电路。共发射极电路既有电压放大作用，又有电流放大作用；共集电极电路有电流放大作用，但是没有电压放大作用；共基极电路有电压放大作用，但是没有电流放大作用。双极性三极管可以用做开关，此时基极和发射极加反向电压。三极管有三种状态：截止、放大和饱和。截止时相当于打开的开关；饱和时相当于闭合的开关。单极性三极管的应用单极性三极管可以做开关。单极性三极管放大时的偏置电压极性 UgsUdsN沟道JFET小于等于0大于0P沟道JFET大于等于0小于0N沟道增强型IGFET大于0大于0P沟道增强型IGFET小于0小于0N沟道耗尽型IGFET

4、可零，可正，可负大于0P沟道耗尽型IGFET可零，可正，可负小于0 三极管的计算BJT共发射极交流放大倍数=Ic/Ib,这个比值也是由BJTBJT电流放大能力的参数。BJT的详细计算要用到它的直流电路图和小信号交流图。直流电路图用来计算它的Q值，即静态工作点；小信号交流图用来计算它的电压放大倍数，输入输出电阻等。一。BJT共发射极直流放大倍数=Ic/Ib.这个比值是由BJT的内部结构所决定的.二。FET中:集电极电流为Gm*Ugs.FET的详细计算要用到它的直流电路图和小信号交流图。直流电路图用来计算它的Q值，即静态工作点；小信号交流图用来计算它的电压放大倍数，输入输出电阻。三极管的参数1。单

5、极性三极管的参数有性能参数和极限参数。性能参数：开启电压，它是增强型MOSFET的参数。夹断电压，它是耗尽型MOSFET的参数，包括JFET。饱和漏极电流Idss，耗尽型管子的参数。直流输入电阻Rgs。低频跨导Gm。极限参数：最大漏极电流；最大耗散功率；漏源击穿电压；栅源击穿电压。2。双极性三极管的参数有性能参数和极限参数。性能参数：电流放大倍数；极间反向饱和电流（Icbo Iceo)。极限参数：集电极最大允许电流；集电极最大允许功率消耗；反向击穿电压（集电极基极反向击穿电压，集电极发射极反向击穿电压，发射极基极反响击穿电压）。三极管的使用原则双极性三极管：必须保证BJT工作在安全区。当输入信

6、号频率高时，应选择高频管或超高频管；若用于开关电路，应选择开关管。当要求反向电流小、允许结温高、且工作在温度变化大的环境中时，应选硅管，而要求导通电压低时，可选锗管。对于同一型号的管子，优先选择反向电流小，而且值不易太大。单极性三极管：使用时，各极电源极性应按规定接入，特别要注意不要将JFET的栅、源电压极性接反，以免PN结因正偏过流而烧坏；各极限参数规定的数值绝不能超过。由于MOS管的输入电阻及高，使得栅极的感应电荷不宜释放，而导致在栅极中产生很高的感应电压，造成管子击穿。为此，应避免栅极悬空及减少外界感应。贮存时，应将管子的三个极短路；焊接管子所用的电烙铁必须接地良好，最好断电利用余热焊接

7、。JEFT可以在栅源极开路的状态下贮存，可以用万用表检查管子的质量；MOS管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极的短路线，取下时先将各电极短路，测试仪要有良好的接地。类型的识别一。单极性三极管的识别。（见附件）二。对双极性三极管而言。1。首先确定基极和管子的类型:用万用表的黑（红）表笔接三极管的一极,红（黑）表笔依次接另外两极，若两次测量值都较小，则本极为基极b，并且为NPN型（PNP型）三极管。2。确定集电极c和发射极e。对NPN型三极管而言，假设一极为集电极,在基极和集电极之间接一100K电阻,黑表笔接集电极,红表笔接另外一极,得一数值.再假设另外一极为集电极

8、,在基极和集电极之间接一100K电阻,黑表笔接集电极,红表笔另外一极,得一数值.比较两次数值，较小的一次假设正确。对PNP型三极管而言，假设一极为集电极,在基极和集电极之间接一100K电阻,红表笔接集电极,黑表笔接另外一极,记一数值.再假设另外一极为集电极,在基极和集电极之间接一100K电阻,红表笔接集电极,黑表笔另外一极,记一数值.比较两次数值，较小的一次假设正确。与BJT相比，FET的特点FET 是电压控制器件，栅极基本上不取电流，输入电阻高。在FET中参与导电的只是多子，而BJT中，两种载流子参与导电。所以FET不宜受温度、辐射等外界因素的影响。FET的噪声比BJT小，尤其是JFET。MOS管的制造工艺简单，所占用的面积小，而且功耗小，便于大规模集成。FET的源极和漏极若对称，则可以互换使用；而且耗尽型MOS管的栅-源电压可为正、负、零，所以使用时比BJT灵活。大功率MOS管VMOSFET:单极性电压控制器件，增强型，输入电阻高，驱动功率小，大功率，噪声低。目前VMOSFET管耐压可达1000伏，最大连续电流可达200安培。根据需要可以并联使用，所以允许电路流过的电流很大。它的跨导近似常数，所以其线性失真较小。另外还有CMOS管和DMOS管。