《极管及其特性》课件.ppt
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1、1.2 二极管及其特性二极管及其特性1.2.1 二极管的结构与类型二极管的结构与类型1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数点接触型点接触型 平面型平面型适用高频、小电流适用高频、小电流适用低频、大电流适用低频、大电流主要用于集成电路主要用于集成电路面接触型面接触型1.2.1 二极管的结构与类型二极管的结构与类型常见的普通二极管外形常见的普通二极管外形一、伏安方程一、伏安方程式中式中IS 反向饱和电流反向饱和电流UT 温度电压当量温度电压当量常温下常温下(T=300K):UT=26mVuD_iD1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性二、伏安
2、特性曲线二、伏安特性曲线n具有单向导电性,在电路中可具有单向导电性,在电路中可用作开关。用作开关。n导通后具有恒压特性。导通后具有恒压特性。n应避免工作于反向击穿区。应避免工作于反向击穿区。可见:可见:n死区死区电压电压Uth n导导通通电压电压U D(on)n反偏截止反偏截止n反向反向击击穿,穿,反向反向击击穿穿电压电压U(BR)*讨论:硅管和锗管的伏安特性有何异同?讨论:硅管和锗管的伏安特性有何异同?n硅管硅管死区电压较大,死区电压较大,反向反向电电流很小,反向工作流很小,反向工作电压较电压较高,允高,允许许的最高的最高结结温高。温高。实实用中多用硅管。用中多用硅管。n 死区电压死区电压
3、又称门坎电压又称门坎电压 Uth=0.5 V 0.1 V(硅管硅管)(锗管锗管)UD(on)0.7 V 硅管硅管 0.2 V 锗管锗管n 导通导通 电压电压温度升高温度升高时时,正向,正向导导通通压压降减小,反向降减小,反向电电流增大。流增大。n在室温附近,温度每升高在室温附近,温度每升高 1 C,正向导通压降约减,正向导通压降约减小小 2 2.5mV。n温度每升高温度每升高 10 C,反向,反向电流约增大一倍。电流约增大一倍。三、温度对二极管特性的影响三、温度对二极管特性的影响(1)最大整流电流最大整流电流IF(2)反向击穿电压反向击穿电压UBR和和最大反向工作电压最大反向工作电压URMUB
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