霍尔元件的结构及工作原理霍尔集成电路.ppt
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1、第八章第八章 霍尔传感器霍尔传感器 本章主要学习霍尔传感器本章主要学习霍尔传感器 的的工作原理工作原理、霍尔、霍尔集成电路集成电路的特的特性及其在检测技术中的性及其在检测技术中的应用应用,还,还涉及磁场测量技术。涉及磁场测量技术。霍尔元件是霍尔元件是一种四端元件一种四端元件10/28/20221第一节第一节 霍尔元件的结构及工作原理霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中,磁场方向的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流垂直于薄片,当有电流I 流过薄片时,在垂直于电流和磁流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势场的方向上将产生电动势EH
2、,这种现象称为霍尔效应。,这种现象称为霍尔效应。磁感应强度磁感应强度B B为零时的情况为零时的情况c cd da ab b10/28/20222磁感应强度磁感应强度B B 较大时的情况较大时的情况 作作用用在在半半导导体体薄薄片片上上的的磁磁场场强强度度B越越强强,霍霍尔尔电电势势也就越高。霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示:可用下式表示:EH=KH IB10/28/20223霍尔效应演示霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,作用,向内侧偏移,在半导体薄片向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端方向的端面之间建立起霍尔电势。面之间
3、建立起霍尔电势。c cd da ab b10/28/20224磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若若磁磁感感应应强强度度B B不不垂垂直直于于霍霍尔尔元元件件,而而是是与与其其法法线线成成某某一一角角度度 时时,实实际际上上作作用用于于霍霍尔尔元元件件上上的的有有效效磁磁感感应应强强度度是是其其法法线线方方向向(与与薄薄片片垂垂直直的的方方向向)的的分分量量,即即B Bcoscos,这时的霍尔电势为,这时的霍尔电势为 E EH H=K KH HIBIBcoscos 结论:霍尔电势与输入电流结论:霍尔电势与输入电流I、磁感应强度、磁感应强度B成正成正比,且当比
4、,且当B的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率的交变电势。的交变电势。10/28/20225霍尔元件的主要外特性参数霍尔元件的主要外特性参数 最大最大磁感应强度磁感应强度BM 上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯?高斯至正的多少高斯?线性区线性区10/28/20226霍尔元件的主要外特性参数(续)霍尔元件的主要外特性参数(续)最大最大激励电流激励电流IM:由于霍尔电势随激励电流增大而增大,由于霍尔电势随激励电
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