《电子技术基础》复习要点(共35页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上电子技术基础复习要点课程名称：电子技术基础适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：电子技术基础张志恒 主编 中国电力出版社复习要点第一章 半导体二极管1.本征半导体q 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。q 导电能力介于导体和绝缘体之间。q 特性：光敏、热敏和掺杂特性。q 本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 u 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填

2、补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。u 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。2杂质半导体q 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。u P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。u N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。q 杂质半导体的特性 u 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 u 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。u 在半导体

3、中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结q 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。q PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。q PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。u 正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。u 反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。u PN结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管q 普通的二极管内芯片

4、就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。u 单向导电性：正向导通，反向截止。 u 正向导通压降：硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。u 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。q 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:u 若 V阳 V阴 (正偏)，二极管导通(短路);u 若 V阳 u-时，uo=+Uom ，当u+0，则接入的反馈一定是正反馈。（ ） 26. 为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈。（ ）27.饱和失真、截止失真、交越失真和频率失真均属于非线性失真。（ ） 三计算填空题：1 根据元件N的已知功率，求下列各电路图中的电压V。（a）N产生功率=5W，V=

5、5/3V 。（b）N产生功率=10W，V= 10/3V 。2 求下列各电路中电压源或电流源的产生功率。（a）PIs= 45W ; (b) PVs= 4W ; 3求下列各电路的电流。（a）Is= 0.5A ; (b) I1= 0.25A ; (c) I= 2A (c)4求下列各电路的电压。（a）Vs= 26V ; (b) Vab= 8V ; 5 求下列电路中各点的电位。(a）Va= 10V ,Vb= 4V , Vc= 0 V .(b) Va= 4V 四. 分析计算题：1 将下列电路等效成电流源； (a)答案： （b）答案： 2 将下列电路等效成电压源； （a）答案 ： （b）答案： 3在图下中，

6、各方框泛指元件。已知I1=3A,I2=2A, I3= -1A,Va= -10V，Vb=8V，Vc=3V。 (1)欲验证I1、I2数值是否正确，问电流表在图中应如何连接? 并标明电流表极性。 (2)求Uab和Ubd，若要测量这两个电压，问电压表如何连接? 并标明电压表极性。答案：4。请计算下列电路图中i=? 。i=2.5mA5电路如图所示，t 0 时电路处于稳定，t = 0时开关由“1”扳向“2”，请用三要素法求电压uc(t) , 并画出其暂态过程曲线。 答案： =3/2 S61求题图2.1所示各电路的等效电阻Rab, 其中R1=R2=1 ，R3=R4=2，R5=4，G1=G2=1 S。答案：7

7、.计算下图所示电路中通过电阻R的电流。其中R1=R2=R3=10,IS=1A,US=10V,R=5答案：I=4/3A五、计算题放大电路如图2（a）所示，管子的特性曲线如图2（b）所示。 （1） 作出直流负载线，确定Q点；（2） 作出交流负载线，确定最大不失真输出电压振幅Uom；（3） 如果增大输入电压，将首先出现何种失真？试指出一种通过调整电路参数消除该类失真的方法。 （本题24分）图2（a） 图2（b） 略数字电子技术部份1. 已知逻辑函数真值表如图1所示，请写出它们的逻辑函数表达式。 Y=A+B Y=AB Y=图12. 已知逻辑符号如图2所示，请写出与它们对应的逻辑函数表达式。图2答案略3

8、已知4请画出三变量卡诺图和四变量的卡诺图。5图3是用卡诺图表示的逻辑函数，请将其化简为最简“与或”式：图36已知三变量的真值表如图4所示，求其最小项之和的表达式。图47. 用卡诺图化简下列各式：8写出图5所示各逻辑电路的逻辑函数表达式，并化简与或式。图59组合逻辑电路如图6所示，请写出它的逻辑功能表达式。图6答案略10已知74LS161引脚分布如图7所示， 试用复位法将其构成十进制计数器和十二进制计数器，要求画出计数状态示意图，画出电路接线图。答案略11试用数据选择器74LS151实现逻辑函数Y=AB+BC+AC。答案：由于函数Y中含有变量A、B、C， 函数Y的最小项表达式为其连线图：12 (1)脉冲幅度Um是指：脉冲电压的最大变化幅度； (2)脉冲宽度tw是指：从脉冲前沿0.5Um至脉冲后沿0.5Um的时间间隔； (3)上升时间tr是指：脉冲前沿从0.1Um上升到0.9Um所需要的时间；(4)下降时间tf是指：脉冲后沿从0.9Um下降到0.1Um所需要的时间； 13脉冲波形占空比的定义式为 tw/T 。14试用译码器74LS138实现逻辑函数：答案： 将逻辑函数变为最小项标准式:由于变量数为3个（A、B、C），因而选用3线-8线译码器，其输出表达式为将Y和Y比较后得到：画出相应的连线图专心-专注-专业