半导体器件半导体工艺氧化.ppt
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1、半导体工艺简介半导体工艺简介物理与光电工程学院物理与光电工程学院张贺秋张贺秋参考书:参考书:芯片制造半导体工艺制程芯片制造半导体工艺制程实用教程实用教程,电子工业出版社,赵树武,电子工业出版社,赵树武等译,等译,2004-10室内环境:要求很严,恒温、恒湿、气流室内环境:要求很严,恒温、恒湿、气流名称集成度(数字MOS集成电路)小规模集成电路(SSI)109环境级别最大颗粒尺寸(m)甚大规模集成电路生产车间10.1超大规模集成电路生产车间100.3封装区域1000100000.5住房100 000室外500 000硅热氧化目的目的1、列出硅器件中,二氧化硅膜层的基本用途。、列出硅器件中,二氧化
2、硅膜层的基本用途。2、描述热氧化的机制。、描述热氧化的机制。3、列出热氧化反应中的氧化剂及用途。、列出热氧化反应中的氧化剂及用途。4、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。二氧化硅层的用途1、表面钝化2、掺杂阻挡层3、表面绝缘体4、器件绝缘体O2O2O2100nm Tox=(Bt)1/2 抛物线阶段热氧化的机制受限反应,受限扩散反应Si(S)+O2(V)SiO2(S)Dry Oxidation Si(S)+O2(V)SiO2(S)Wet Oxidation(stream Oxidation)Si(S)+H2 O(V)SiO2(S)+H2(V)氧化率的影响90
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- 关 键 词:
- 半导体器件 半导体 工艺 氧化
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