压电式传感器和霍尔式传感器.ppt
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1、5.2 5.2 霍尔式传感器霍尔式传感器 利用霍尔元件的霍尔效应制成的传感器称为霍尔式传感器。霍尔式传感器是将电流、磁场、位移、压力等非电量信号转换成电动势输出的一种传感器。虽然它的转换率较低,受温度影响大,要求转换精度较高时必须进行温度补偿,但霍尔传感器结构简单,体积小,坚固,频率响应宽,动态范围大,无触点,使用寿命长,可靠性高,易微型化和集成电路化。霍尔元件的基本工作原理霍尔元件的基本工作原理 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,得到广泛的应用。可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。特点:特点:霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,
2、重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高,耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。1 霍尔效应霍尔效应 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。如图所示,半导体材料的长、宽、厚分别为 L、和d。在与x轴相垂直的两个端面C和D上各装一个金属电极,称为控制电极。在控制电极上外加电压u,材料中便形成一个沿x方向流动的电流 I,称为控制电流。在轴方向的磁场作用下,电子将受到一个沿轴负方向力的作用,这个力就是洛仑兹力。它的大小为:FL=qvB zxyIADBCBlLdUHA、B-霍尔电极 C、D-控制电极2 霍尔电势 电荷的
3、聚积必将产生静电场,即为霍尔电场,该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方向相反,将阻止电子继续偏转,其大小为式中EH为霍尔电场,q为载流子电荷,UH为霍尔电势。当FL=FE时,电子的积累达到动平衡,即所以5-1由上式式可见,霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度,它随载流体材料的不同而不同。材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征,所谓载流子迁移率是指在单位电场强度作用下,载流子的平均速度值。载流子迁移率用符号表示,=v/EI。其中EI是C、D两端面之间的电场强度。它是由外加电压U产生的,即 。因此可以把电子运动速度表示为 。这时上式可改写为当材料中的电子浓度为n时,有
4、如下关系式:I=nqbdv 即 (5-2)将5-2代入5-1,得令 RH 则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度,所以,半导体霍尔系数大于导体。3 霍尔系数及灵敏度则KH 为霍尔元件的灵敏度。由上式看出:霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关,还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好,霍尔元件灵敏度的公式可知,霍尔元件的厚度d与KH 成反比。令则1)霍尔电压UH与材料的性质有关 n 愈大,KH 愈小,霍尔灵敏度愈低;n 愈小,KH 愈大,但n太小,需施加极高的电压才能产生很小的电流。因此霍尔元件一般采用N型半导体材料通过以上分
5、析可知:通过以上分析可知:2)霍尔电压UH与元件的尺寸有关 d 愈小,KH 愈大,霍尔灵敏度愈高,所以霍尔元件的厚度都比较薄,但d太小,会使元件的输入、输出电阻增加。霍尔电压UH与控制电流及磁场强度成正比,当磁场改变方向时,也改变方向。3)霍尔电势与磁感应强度的方向有关 若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度,则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为B cos,因此 UH=KHIBcos4)P型半导体,其多数载流子是空穴,也存在霍尔效应,但极性和N型半导体的相反。5)霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比,只要测出UH,那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。4 霍尔元件的基本结构及特性1)1)霍尔元
6、件的基本结构组成霍尔元件的基本结构组成由霍尔片、四根引线和壳体组成,如下图示。由霍尔片、四根引线和壳体组成,如下图示。1,2控制电流端 3,4霍尔电势端2)2)额定控制电流额定控制电流I IC C和最大控制电流和最大控制电流I ICmCm霍尔元件在空气中产生10的温升时所施加的控制电流称为额定控制电流I IC C。在相同的磁感应强度下,I IC C值较大则可获得较大的霍尔输出。霍尔元件限制I IC C的主要因素是散热条件。一般锗元件的最大允许温升Tm80,硅元件的Tm175。当霍尔元件的温升达到Tm时的I IC C就是最大控制电流I ICmCm。3)输入电阻Ri和输出电阻R0Ri 是流过控制电
7、流的电极间的电阻值R0 是霍尔元件的霍尔电势输出电极间的电阻可以在无磁场即B0和室温(205)时,用欧姆表等测量。在额定控制电流 Ic 之下,不加磁场即B0时,霍尔电极间的空载霍尔电势UH0,称为不平衡(不等位)电势,单位为mV。一般要求霍尔元件的UH1mV,好的霍尔元件的UH小于。不等位电势和额定控制电流Ic之比为不等位电阻RM,即 4)4)不等位电势不等位电势U UMM和不等位电阻和不等位电阻R RMM 不平衡电势UH是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。如下图(a)所示。当控制电流I流过时,即使未加磁场,A、B两电极此时仍存在电位差,此电位差被称为
8、不等位电势(不平衡电势)UH。5 集成霍尔传感器 集成霍尔传感器是利用集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的一种传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限,实现了材料、元件、电路三位一体。集成霍尔传感器与分立相比,由于减少了焊点,因此显著地提高了可靠性。此外,它具有体积小、重量轻、功耗低等优点,正越来越爱到众的重视。集成霍尔传感器的输出是经过处理的霍尔输出信号。按照输出信号的形式,可以分为开关型集成霍尔传感器和线性集成霍尔传感器两种类型。(一)开关型集成霍尔传感器 开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。电路的工作原理是:1)图中的霍尔元件是在N
9、型硅外延层上制作的,N型硅的各项参数很适合做霍尔元件。2)由于在制造工艺中采用了光刻技术,电极的对称性好,零位误差大大减小。3)由于厚度d很小,提高了霍尔元件的灵敏度。4)T磁场作用下,元件开路时可输出20mV左右的霍尔电压。5)霍尔输出经前置放大的后送到史密特触发器,通过整形成为矩形脉冲输出。6)当B为0时,UH=0。1)集成霍尔传感器的导通磁感应强度和截止磁感应强度之间存在滞后效应。其回差宽度B为 B=B(HL)-B(LH)2)开关型集成霍尔传感器的这一特性,正是我们所需要的,它大大增强了开关电路的抗干扰能力,保证开关动作稳定,不产生振荡现象。(二)线性集成霍尔传感器 线性集成霍尔传感器是
10、把霍尔元件与放大线路集成在一起的传感器。其输出信号与磁感应强度成比例。通常由霍尔元件、差分放大、射极跟随输出及稳压四部分组成,其典型线路如下图所示。全电路的增益可设置到1000倍左右,与分立元件霍尔传感器相比,灵敏度大为提高。6 6 测量电路测量电路1)基本测量电路基本测量电路 激励电流由电压源E供给,其大小由可变电阻来调节。RL为输出霍尔电势UH的负载电阻,通常为显示仪表或放大器的输入阻抗。由于霍尔电动势随激励电流增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大,霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电动势的温漂增大,因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流,它的
11、数值从几毫安至几十毫安不等。为了获得较大的霍尔输出电势,可以采用几片叠加的连接方式。下图(a)为直流供电,控制电流端并联输出串联。下图(b)为交流供电,控制电流端串联变压器叠加输出。2)连接方式3)差分放大电路差分放大电路 霍尔元件的输出电压一般较小,需要用放大电路放大其输出电压。为了获得较好的放大效果,需采用差分放大电路。4)仪用放大电路 使用一个运算放大器时,霍尔元件的输出电阻可能会大于运算放大器的输入电阻,从而产生误差,采用下图所示的电路,则不存在这个问题。不等位电势是霍尔元件在加控制电流而不加外磁场时,而出现的霍尔电势称为零位误差。在分析不等位电势时,可将霍尔元件等效为一个电桥,如右图
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