太阳能电池制造工艺控制要点.ppt

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1、电池生产各岗位工艺控制点 罗姗罗姗 2011年年7月月8日日各岗位工艺卫生总体要求各岗位工艺卫生总体要求u所有岗位人员进入车间必须穿戴好工作服带好工作帽，口罩以及工作鞋，风淋20su全过程操作人员必须带乳胶手套和口罩操作，不得用手及纸制品直接接触电池片u所有生产设备、岗位工夹具按工艺生产要求进行清洗维护，石英制品定期进行清洗饱和以保证产品质量清洗装片u合格片中出现超过总批量的0.10%的裂纹片，进行异常分析u装片人员装片过程中在承载盒下放置缓冲海绵垫，以防止造成硅晶脱落。u装片人员定期更换薄膜手套u装片后制绒前在制品控制在1000pcs清洗制绒u制绒槽温度：802度；时间：25-30分钟u换液

2、频率：1次/12hu制绒表面状况分析 1.制绒后若出现雨点状斑点，加入少量乙醇或异丙醇即可消除 2.制绒后硅片上半部分光亮，表明液位不够，或粘稠度过大，是篮筐漂浮 3.若硅片表面有流水印，适当加大NaOH的用量 4.硅片表面出现黑斑，表明没有及时清洗（腐蚀后暴露在空气中时间过长）5.手指印，表明硅片表面脂肪酸沾污，需重新预清洗 6.硅片表面有药物残留，异丙醇加入过多，重新清洗u减薄量：单晶：;多晶：减薄量大小以腐蚀速率控制备注：清洗机刚换过液时，一般把减薄量控制在合格范围的下限并偏小u制绒过程中影响制绒效果的因素有 1.碱液浓度（影响金字塔体积大小）、异丙醇浓度（影响腐蚀速率和氢气泡的释放）2

3、.溶液温度、制绒时间长短（影响金字塔椎体形貌）3.槽体密封程度、异丙醇挥发程度 4.制绒槽内硅酸钠累积量（影响产品质量的稳定性和制绒液的可重复性）u制绒后扩散前在制品控制在5000pcs扩散u扩散后方块电阻范围 1.单晶（低阻：）：482（高阻：3-6）：423 2.多晶：572 备注：当班方块电阻会随工艺要求有所变动u扩散后同一炉方块电阻不均匀度10%u扩散后单片方块电阻不均匀度10%u影响扩散工艺的因素有 1.扩散时间长短（通源时间和驱入时间）2.扩散炉温度（温度高低决定硅片表面杂质浓度高低和P-N结结深）3.源的纯度u影响测试方块电阻的环境因素有 温度 光强 高频干扰u测方块电阻 1.抽

4、测顺序自炉口到炉内，便于后续调试对应温区温度 2.测前校准四探针测试仪：u方块电阻大小与对应温区成反比 1.调试比例：温度/方块电阻 单晶：1:11:1 ；多晶：1:21:2u扩散后刻蚀前在制品控制单晶2000pcs；多晶1000pcs刻蚀u冷热探针边缘导电性（万用表置200mV）任一边测试值必须30mVu关键工艺参数：射频功率（射频功率过低会导致等离子体不稳定分布不均匀某些区域过刻，某些区域刻蚀不足，从而导致RSH下降，影响EFF）和刻蚀时间（刻蚀时间过长导致电池正反面损伤较大，时间长到一定程度损伤延伸到P-N结区）u插片时承载盒放反，未分清扩散面导致后续J0片u刻蚀后去PSG前在制品控制在

5、2000pcs去PSGu配液成分：HCL、HF;每12h进行1次换液u各槽工艺温度参数 1.预热槽设定：90-99；实际达到：80-90 2.四副槽设定：85-90；实际达到：83-90 3.烘干槽设定：90-99；实际达到：90-99u烘干时间设定：360su去PSG后镀膜前在制品控制在2000pcsPECVDu膜厚 单晶：85-89nm ；多晶：83-87nmu折射率 单晶：2.01-2.03 ；多晶：u影响膜厚与折射率的主要因素 1.氨气与膜厚成正比，与折射率成反比 2.硅烷与膜厚成正比，与折射率成正比镀膜质量分析 1.镀膜偏薄，导致镀膜后表面发红 2.镀膜偏厚，导致镀膜后表面发白uPE

6、CVD氮化硅沉积温度：300-450 u石墨板清洗周期：120huOTB维护周期 单晶：60h 多晶：50hu镀膜前在制品囤积时间4h需重新去PSGu镀膜后印刷前在制品控制在5000片丝网印刷u浆料使用前采用卧式搅拌机搅拌36h，转速为20r/minu丝网一道网版寿命：80000pcsu丝网二道网版寿命：30000pcsu丝网三道网版寿命：70m6000pcs 100m10000pcsu高 宽 比：湿膜高20-40 湿膜宽70m-90 80m-100 90m-110 干膜高15-30 干膜宽70m-90 80m-100 90m-110 （备注：网版的选用应与所使用浆料型号对应）分类检测u电性能工艺监测参数 1.温度（T）：255 2.开路电压（VOC）：3.串联电阻（Rs）:1 4.并联电阻（Rsh）1000 5.填充因子（FF）：75%-79%6.光照强度（E）:950-1050wu工艺运行的分档文件与所测电池规格的一致性u分档文件的新建、编辑与修改The End !