《半导体存储器习题》PPT课件.ppt
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1、章目录章目录 试用试用ROM阵列图实现下列一组多输出逻辑函数阵列图实现下列一组多输出逻辑函数节目录节目录10/28/20221章目录章目录首先应将以上三个逻辑函数化成由最小项首先应将以上三个逻辑函数化成由最小项组成的标准组成的标准“与与-或或”式式,即即解解:或或节目录节目录10/28/20222章目录章目录采用有采用有3位地址、位地址、3位数据输出的位数据输出的8字节字节3位位ROM。将将A、B、C 3个变量分别接至地址输入端个变量分别接至地址输入端A2A1A0。按逻辑函数要求存入相应数据按逻辑函数要求存入相应数据,即可在数据输出即可在数据输出端端D0、D1、D2得到得到F1、F2和和F3,
2、其其ROM 阵列如阵列如下图所示。下图所示。节目录节目录10/28/20223章目录章目录111(D1)(D0)F2F1ABC题题 ROM 阵列阵列(D2)F3节目录节目录10/28/20224章目录章目录 试用位扩展方法,将试用位扩展方法,将2片片2564位的位的RAM组成一个组成一个2568位的位的RAM,画出电路图。,画出电路图。D0D1D2D3D4D5D6D7CSR/WAA07LL0AW/RCS7A2564(I)CSR/WAA07LL2564()题题 2564芯片位扩展芯片位扩展D0D1D2D3D0D1D2D3节目录节目录10/28/20225章目录章目录 用用2114构成构成2K8的
3、静态存储器,画出逻辑图。的静态存储器,画出逻辑图。解解:(1 1)确定芯片数:确定芯片数:(2)确定地址线数)确定地址线数D(3)用)用4片片1K 4位位2114RAM芯片,经字芯片,经字 位扩展构成的存储电路如图题所示。位扩展构成的存储电路如图题所示。2D=2048,D=11。10/28/20226章目录章目录Protel 画图示例画图示例1/3ADDR18.0ADDR15ADDR14ADDR13ADDR12ADDR11ADDR10ADDR9ADDR8ADDR18ADDR17ADDR16ADDR7ADDR6ADDR5ADDR4ADDR3ADDR2ADDR1ADDR010/28/20227章目
4、录章目录Protel 画图示例画图示例2/3EPPD7.0EPPD0EPPD7EPPD0EPPD710/28/20228章目录章目录Protel 画图示例画图示例3/310/28/20229章目录章目录CSR/WA1A7A9.0W/R2114(1)D0D1D2D3A6A5A3A2A4A0A9A8CSR/WA1A72114(2)D0D1D2D3A6A5A3A2A4A0A9A8D7.0CSR/WA1A7A9.0W/R2114(3)D0D1D2D3A6A5A3A2A4A0A9A8CSR/WA1A72114(4)D0D1D2D3A6A5A3A2A4A0A9A8D7.0A101D7D6D5D4D7D6D
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