晶体三极管及其基本放大电路.ppt
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1、Analog Electronics第第4章章 晶体三极管及其基本放大电路晶体三极管及其基本放大电路本章重点本章重点1.三极管的电流放大原理,特性曲线、微变等效电路三极管的电流放大原理,特性曲线、微变等效电路2.共射放大电路的静态工作点分析、失真分析和三种组态的特点共射放大电路的静态工作点分析、失真分析和三种组态的特点和静、动态参数计算。和静、动态参数计算。本章讨论的问题:本章讨论的问题:1.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?2.为什么晶体管的输入、输出特性说明它有放大作用?如为什么晶体管的输入、输出特性说明它有放大作用?如何将晶体管接入电路才能起
2、到放大作用?组成放大电路的何将晶体管接入电路才能起到放大作用?组成放大电路的原则是什么?有几种接法?原则是什么?有几种接法?3.晶体管三种基本放大电路各有什么特点?如何根据它们的晶体管三种基本放大电路各有什么特点?如何根据它们的特点组成派生电路?特点组成派生电路?Analog Electronics晶体三极管(双极型晶体管晶体三极管(双极型晶体管BJT)又称半导体三极管,或简称晶体管。又称半导体三极管,或简称晶体管。(Bipolar Junction Transistor)三极管有两种类型:三极管有两种类型:NPN 型和型和 PNP 型。型。主要以主要以 NPN 型为例进行讨论。型为例进行讨论
3、。图图 三极管的外形三极管的外形Analog Electronics晶体管的结构及类型晶体管的结构及类型常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。图图4.1.2a三极管的结构三极管的结构(a)平面型平面型(NPN)(b)合金型合金型(PNP)ebbecPNPNcNP二氧化硅二氧化硅发射区发射区集电区集电区基区基区基区基区发射区发射区集电区集电区Analog Electronics图图 4.1.2(b)三极管结构示意图和符号三极管结构示意图和符号NPN 型型ecb符号符号集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c
4、基极基极 b发射极发射极 eNNPAnalog Electronics集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c发射极发射极 e基极基极 bcbe符号符号NNPPN图图 4.1.2(C)三极管结构示意图和符号三极管结构示意图和符号(b)PNP 型型Analog Electronics类型类型1.按按结结构构区区分分:有NPN型和PNP型。2.按按材材料料区区分分:有硅三极管和锗三极管。3.按按工工作作频频率率区区分分:有高频三极管和低频三极管。4.按功率大小区分按功率大小区分:有大功率三极管和小功率三极管。NPNCBEBECNPN型型PNPCBEBECPNP型型A
5、nalog Electronics晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用以以 NPN 型三极管为例讨论型三极管为例讨论cNNPebbec表面看表面看三极管若实三极管若实现放大,必须从现放大,必须从三极管内部结构三极管内部结构和和外部所加电源外部所加电源的极性的极性来保证。来保证。不不具具备备放大作用放大作用Analog Electronics三极管内部结构要求:三极管内部结构要求:NNPebcN N NP P P1.发射区高掺杂。发射区高掺杂。2.基基区区做做得得很很薄薄。通通常常只只有有几几微微米米到到几几十十微微米米,而而且且掺掺杂杂较较少少。三三极极管管放放大大的的外外部部条条件件:外
6、外加加电电源源的的极极性性应应使使发发射射结处于正向偏置结处于正向偏置状态,而状态,而集电结处于反向偏置集电结处于反向偏置状态。状态。3.集电区面积大。集电区面积大。N N NAnalog Electronics晶体管基本共射放大电路Analog ElectronicsbecRcRb一、晶体管内部载流子的运动一、晶体管内部载流子的运动I EIB1.发射结加正向电压,扩散发射结加正向电压,扩散运动形成发射极电流运动形成发射极电流2.发射区的电子越过发射结发射区的电子越过发射结扩散到基区,基区的空穴扩散扩散到基区,基区的空穴扩散到发射区到发射区形成发射极电流形成发射极电流 IE(基区多子数目较少,
7、空穴电流基区多子数目较少,空穴电流可忽略可忽略)。2.扩扩散散到到基基区区的的自自由由电电子子与与空空穴穴的的复复合合运运动动形形成成基基极极电流电流电电子子到到达达基基区区,少少数数与与空空穴穴复复合合形形成成基基极极电电流流 Ibn,复复合合掉掉的的空穴由空穴由 VBB 补充补充。多数电子在基区继续扩散,到达多数电子在基区继续扩散,到达集电结的一侧。集电结的一侧。Analog ElectronicsbecI EI BRcRb3.集集电电结结加加反反向向电电压压,漂漂移移运动形成集电极电流运动形成集电极电流IC 集集电电结结反反偏偏,有有利利于于收收集集基基区区扩扩散散过过来来的的电电子子而
8、而形形成成集集电电极极电流电流 IC。I C另另外外,集集电电区区和和基基区区的的少少子子在在外外电电场场的的作作用用下下将将进进行行漂漂移移运运动动而而形形成成反反向向饱饱和电流和电流,用用ICBO表示表示。ICBO晶体管内部载流子的运动晶体管内部载流子的运动Analog ElectronicsbeceRcRb 二二.晶体管的电流分配关系和晶体管的电流分配关系和电流放大系数电流放大系数电流分配关系电流分配关系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBO IE=ICn+IBn+IEp =IEn+IEpIE=IC+IBIB=IEP+IBNICBO IBNICBOAnalog
9、 Electronics电流放大系数电流放大系数整理可得:整理可得:ICBO 称反向饱和电流称反向饱和电流ICEO 称穿透电流称穿透电流(1)共射直流共射直流电流放大系数电流放大系数(2)共射交流共射交流电流放大系数电流放大系数VCCRb+VBBC1TICIBC2Rc+共发射极接法共发射极接法Analog Electronics(3)共基直流共基直流电流放大系数电流放大系数或或(4)共基交流共基交流电流放大系数电流放大系数直直流流参参数数 与与交交流流参参数数 、的的含含义义是是不不同同的的,但但是是,对对于于大大多多数数三三极极管管来来说说,与与 ,与与 的的数数值值却却差别不大,计算中,可
10、不将它们严格区分。差别不大,计算中,可不将它们严格区分。5.与与 的关系的关系ICIE+C2+C1VEEReVCCRc共基极接法共基极接法Analog Electronicsc+euBBuCC-uBEiB+-uCEiCb共射极放大电路共射极放大电路 iB=f(uBE)UCE=const(2)当当UCE增大时,特性曲线右移。增大时,特性曲线右移。(3)当当UCE1V时时,三极管的特性曲线几乎与三极管的特性曲线几乎与UCE=1V时的输入特时的输入特 性曲线重合。性曲线重合。(1)当当UCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.1.输入特性曲线输入特性曲线
11、4.1.3 晶体管的共射特性曲线Analog Electronicsc+euBBuCC-uBEiB+-uCEiCb共射极放大电路共射极放大电路饱和区:饱和区:iC明显受明显受uCE控控制的区域,该区域内,制的区域,该区域内,一般一般uCE0.7V(硅管硅管)。此时,此时,发射结正偏,集发射结正偏,集电结也正偏电结也正偏。iC=f(uCE)IB=const2 2、输出特性曲线、输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区:截止区:iC接近零的接近零的区域,相当区域,相当iB=0的曲的曲线的下方。此时,线的下方。此时,uBE小于死区电压,小于死区电压,集电结反偏集电结反偏。放大区:放大区:iC平行于
12、平行于uCE轴的轴的区域,曲线基本平行等距。区域,曲线基本平行等距。此时,此时,发射结正偏,集电发射结正偏,集电结反偏结反偏。Analog ElectronicsiC=f(uCE)IB=const输出特性曲线输出特性曲线放大区:放大区:Je正偏,正偏,Jc反偏反偏。uBE Uon,硅管:,锗管:。uCEuBE,iC受iB的控制,iC=iB.截止区:截止区:Je反偏,反偏,Jc反偏反偏。uBEUon,IB=0,IC=ICEO,三极管几乎不导通 输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域饱和区:饱和区:Je正偏,正偏,Jc正偏正偏uBE Uon,硅管:0.60.8V,锗管:0.10.3V。uCE
13、uBE,iC UCES UCER U(BR)CEO U(BR)EBO3.极限参数极限参数(2)最大集电极电流最大集电极电流ICM 使使值明显减小的集电极电流。值明显减小的集电极电流。(1)最大集电极耗散功率最大集电极耗散功率PCM 集电极耗散功率集电极耗散功率:PC=iCuCE,为使集电结温度不超过规定为使集电结温度不超过规定值值,PC应受到限制应受到限制,不允许超过不允许超过最大集电极耗散功率最大集电极耗散功率PCM。UCER b、e间接电阻时间接电阻时c、e间的击穿电压。间的击穿电压。UCESb、e间短路时间短路时c、e间的击穿电压。间的击穿电压。UCEXb、e间反偏时间反偏时c、e间的击
14、穿电压。间的击穿电压。Analog Electronics 温度对晶体管特性和参数的影响温度对晶体管特性和参数的影响一、一、温度变化对温度变化对ICBO的影响的影响二、二、温度变化对输入特性曲线的影响温度变化对输入特性曲线的影响温度温度T ICBO 温度温度T 输入特性曲线左移输入特性曲线左移三、三、温度变化对温度变化对输出特性输出特性 的影响的影响温度升高温度升高 要增大。要增大。温度温度T 输出特性曲线族间距增大输出特性曲线族间距增大总之:总之:ICBO ICEO T 输入特性左移输入特性左移 IC Analog Electronics三极管工作状态的判断三极管工作状态的判断例例1:测量某
15、测量某NPN型硅型硅BJT各电极对地的电压值如下,各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域?试判别管子工作在什么区域?(1 1)V VC C 6V6V V VB B 0.7V0.7V V VE E 0V0V(2 2)V VC C 6V6V V VB B 4V4V V VE E(3 3)V VC C 3.6V3.6V V VB B 4V4V V VE E解:一般原则:一般原则:正偏反偏反偏集电结集电结正偏正偏反偏发射结发射结饱和放大截止对NPN管而言,放大时V VC C V VB B V VE E 对PNP管而言,放大时V VC C V VB B V VE E (1)放大区)放大区(2)
16、截止区)截止区(3)饱和区)饱和区Analog Electronics例例例例33:测测测测得得得得工工工工作作作作在在在在放放放放大大大大电电电电路路路路中中中中几几几几个个个个晶晶晶晶体体体体管管管管三三三三个个个个电电电电极极极极的的的的电电电电位位位位V V1 1、V V2 2、V V3 3分别为:分别为:分别为:分别为:(1 1)V V1 1=3.5V=3.5V、V V2 2=2.8V=2.8V、V V3 3=12V=12V (2 2)V V1 1=3V=3V、V V2 2=2.8V=2.8V、V V3 3=12V=12V (3 3)V V1 1=6V=6V、V V2 2=11.3V
17、=11.3V、V V3 3=12V=12V (4 4)V V1 1=6V=6V、V V2 2=11.8V=11.8V、V V3 3=12V=12V判断它是判断它是判断它是判断它是NPNNPN型还是型还是型还是型还是PNPPNP型?是硅管还是锗管?并确定型?是硅管还是锗管?并确定型?是硅管还是锗管?并确定型?是硅管还是锗管?并确定E E、B B、C C。(1 1)1 b1 b、2 e2 e、3 c NPN 3 c NPN 硅硅硅硅 (2 2)1 b1 b、2 e2 e、3 c NPN 3 c NPN 锗锗锗锗 (3 3)1 c1 c、2 b2 b、3 e PNP 3 e PNP 硅硅硅硅 (4
18、4)1 c1 c、2 b2 b、3 e PNP 3 e PNP 锗锗锗锗原则:先确定原则:先确定B,再求,再求|UBE|,若等于若等于0.6-0.8V,为硅管;若等于为硅管;若等于 0.1-0.3V,为锗管,从而为锗管,从而E、C确定。确定。根据发射结正偏,集电结反偏。根据发射结正偏,集电结反偏。NPN管管UBE0,UBC0,即即V VC C V VB B V VE E 。PNP管管UBE0,UBC 0,即即V VC C V VB B V VE E 。解:解:解:解:Analog ElectronicsIBQ=(VBB-UBEQ)/RbICQ=IBQUCEQ=VCC-ICQRc图中:UCE,放
19、大电路的组成原则放大电路的组成原则基本共射放大电路的工作原理基本共射放大电路的工作原理1.各元件作用各元件作用实现电压放大实现电压放大Analog Electronics2.2.设置静态工作点的必要性设置静态工作点的必要性 若不设置静态工作点,输出电压必然失真!若不设置静态工作点,输出电压必然失真!设置合适的静态工作点,首先解决了失真问设置合适的静态工作点,首先解决了失真问 题;另外题;另外Q点几乎影响着所有的动态参数!点几乎影响着所有的动态参数!无失真的放大信号是对放大电路的基本要求无失真的放大信号是对放大电路的基本要求,Q点不仅点不仅影响放大电路是否会失真,而且影响放大电路的几乎所有的影响
20、放大电路是否会失真,而且影响放大电路的几乎所有的动态参数,因而设置合适的动态参数,因而设置合适的Q点很有意义。点很有意义。Analog Electronics3.3.波形分析波形分析静态工作点如图中虚线所示管压降管压降:uCE=VCC-iCRciBuBEubeibiC uCEicuCE结论结论:基本共射放大电路的电压放大:基本共射放大电路的电压放大作用是利用晶体管的电流放大作用,作用是利用晶体管的电流放大作用,并依靠并依靠Rc将电流的变化转换成电压的将电流的变化转换成电压的 变化来实现的。变化来实现的。Analog Electronics4.2.2 放大电路的组成原则放大电路的组成原则1.组成
21、原则组成原则(1)必须有为放大管提供合适必须有为放大管提供合适Q点的直流电源。点的直流电源。保证晶体管工作在放大区。保证晶体管工作在放大区。(2)同时直流电源作为负载的能源。同时直流电源作为负载的能源。(3)输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。对于晶体管能产生对于晶体管能产生uBE,从而改变输入回路的电流,从而改变输入回路的电流,放大输入信号。放大输入信号。(4)当负载接入时,必须保证放大管的输出回路的动当负载接入时,必须保证放大管的输出回路的动态电流能够作用于负载,从而使负载获得比输入信号态电流能够作用于负载,从而使负载获得比输入信号大得多的信号电
22、流或信号电压。大得多的信号电流或信号电压。Analog Electronics2.常见的两种共射放大电路常见的两种共射放大电路(1)直接耦合共射放大电路直接耦合共射放大电路阻容耦合共射放阻容耦合共射放大电路大电路T(2)阻容耦合共射放大电路阻容耦合共射放大电路ICQ IBQUCEQ=VCC ICQ RC直接耦合共射放直接耦合共射放大电路大电路TR Rb1b1R Rb2b2UCEQ=VCC ICQ RCICQ IBQAnalog Electronics4.3 放大电路的基本分析方法直流通路和交流通路直流通路和交流通路 通常,放大电路中交流信号的作用和直流电源通常,放大电路中交流信号的作用和直流电
23、源的作用共存,这使得电路的分析复杂化。为简化分的作用共存,这使得电路的分析复杂化。为简化分析,引入直流通路和交流通路。析,引入直流通路和交流通路。直流通路直流通路 直流电源直流电源作用下直流电流流经的通路。作用下直流电流流经的通路。画法:画法:Us=0,保留,保留Rs;电容开路;电容开路;电感相电感相当于短路(线圈电阻近似为当于短路(线圈电阻近似为0)。)。交流通路交流通路 信号源作用下交流电流流经的通路。信号源作用下交流电流流经的通路。画法:画法:大容量电容相当于短路;大容量电容相当于短路;直流电源相直流电源相当于短路(内阻为当于短路(内阻为0)。)。Analog Electronics 直
24、接耦合共射放大电路及其直流通路和交流通路直接耦合共射放大电路及其直流通路和交流通路Analog Electronics阻容耦合共射放大电路的直流通路和交流通路阻容耦合共射放大电路的直流通路和交流通路Analog Electronics图解法图解法在在三三极极管管的的输输入入、输输出出特特性性曲曲线线上上直直接接用用作作图图的的方方法求解放大电路的工作情况。法求解放大电路的工作情况。1、静态分析、静态分析Analog ElectronicsuBE=VBB+uI-iBRb步骤步骤输入特性输入特性输出特性输出特性输入特性输入特性(1)求解电压放大倍数)求解电压放大倍数2.2.动态动态分析分析Anal
25、og Electronics(2)失真分析)失真分析 静态工作点合适且输入信号较小为正弦波的情况下,基本共射放大电路的波形分析Analog ElectronicsA)静静态态工工作作点点过过低低,引引起起 iB、iC、uCE 的的波形失真波形失真ibube结论:结论:iB 波形失真波形失真OQOttOuBE/ViB/AuBE/ViB/AIBQ 截止失真截止失真Analog ElectronicsiC、uCE(uo)波形失真波形失真NPN 管管截截止止失失真真时时的输出的输出 uo 波形。波形。uo 波形顶部失真波形顶部失真uo=uceOiCtOOQ tuCE/VuCE/ViC/mAICQUCE
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- 晶体三极管 及其 基本 放大 电路
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