模拟电子技术第5章.ppt

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1、5.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体（半导体（MOS）场效应管）场效应管5.3 结型场效应管（结型场效应管（JFET）*5.4 砷化镓金属砷化镓金属-半导体场效应管半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路放大电路1 1、MOSFET、JFET的分类及伏安关系2 2、MOSFET放大电路的原理及小信号分析法3 3、JFET放大电路的原理及小信号分析法4 4、场效应管应用注意事项重点：重点：场效应三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件

2、和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。1.结型场效应三极管JFETJFET (Junction type Field Effect Transistor)2.金属氧化物半导体三极管MOSFETMOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET）(MOSFETMOSFET也称绝缘栅型场效应三极管IGFET)IGFET)（Insulated Gate Field Effect Transistor)P沟道沟道耗尽型耗尽型P沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道增强型增强型N沟道沟道N沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FET场效应管场效应管JFET结型结型MOS

3、FET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)耗尽型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：场效应管的分类：5.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体半导体（MOS）场效应管）场效应管5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET5.1.3 P沟道沟道MOSFET5.1.4 沟道长度调制效应沟道长度调制效应5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET1.结构

4、结构（N沟道）沟道）L：沟道长度：沟道长度W：沟道宽度：沟道宽度tox：绝缘层厚度：绝缘层厚度通常通常 W L 5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET剖面图剖面图1.结构结构（N沟道）沟道）符号符号5.1.1 N沟道增强型MOSFET2.工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS0时 无导电沟道，d、s间加电压时，也无电流产生。当0vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。vGS越大，导电沟道越厚V VT T 称为开启电压称为开启电压2.工作原理工作原理（2）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用靠近漏极靠近漏极d d处的电位升高处的电位升高电场强度

5、减小电场强度减小 沟道变薄沟道变薄当当vGSGS一定（一定（vGS GS V VT T）时，）时，vDSDS I ID D 沟道电位梯度沟道电位梯度 整个沟道呈整个沟道呈楔形分布楔形分布预夹断后，预夹断后，vDSDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 I ID D基本不变基本不变2.工作原理工作原理（2）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用2.工作原理工作原理（3）vDS和和vGS同时作用时同时作用时 vDSDS一定，一定，vGSGS变化时变化时 给定一个给定一个vGS GS，就有一条不同，就有一条不同的的 iD D vDS DS 曲线。曲线。3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线

6、及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 截止区截止区当当vGSVT时时，导导电电沟沟道道尚尚未未形形成成，iD0，为为截截止止工工作状态。作状态。3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 可变电阻区可变电阻区 vDS（vGSVT）由于由于vDS较小，可近似为较小，可近似为rdso是一个受是一个受vGS控制的可变电阻控制的可变电阻 3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 可变电阻区可变电阻区 n：反型层中电子迁

7、移率：反型层中电子迁移率Cox：栅栅极极（与与衬衬底底间间）氧氧化层单位面积电容化层单位面积电容本征电导因子本征电导因子其中其中Kn为电导常数，单位：为电导常数，单位：mA/VmA/V2 23.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 饱和区饱和区（恒流区又称放大区）（恒流区又称放大区）vGS GS V VT T ，且，且vDSDS（v vGSGSV VT T）是是vGSGS2 2V VT T时的时的iD D V V-I I 特性：特性：3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性）转移特性5

8、.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理结构和工作原理（N沟道）沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET2.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程 （N N沟道增强型）沟道增强型）5.1.3 P沟道沟道MOSFET5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数NMOSNMOS增强型增强型1.1.开启电压开启电压V VT T （增强型参数）（增强型参数）2.2.夹断电

9、压夹断电压V VP P （耗尽型参数）（耗尽型参数）3.3.饱和漏电流饱和漏电流I IDSSDSS （耗尽型参数）（耗尽型参数）4.4.直流输入电阻直流输入电阻R RGSGS （10109 910101515 ）二、交流参数二、交流参数 1.1.输出电阻输出电阻r rdsds 当不考虑沟道调制效应时，当不考虑沟道调制效应时，0 0，rdsds 5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数2.2.低频互导低频互导g gm m 二、交流参数二、交流参数 考虑到考虑到 则则其中其中5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数三、极限参数三、极限参数 1.1.最大漏极电流最大漏极电流I IDMDM 2

10、.2.最大耗散功率最大耗散功率P PDMDM 3.3.最大漏源电压最大漏源电压V V（BRBR）DSDS 4.4.最大栅源电压最大栅源电压V V（BRBR）GSGS (1)、结型场效管的栅源电压不能接反，否则PN结会因正向偏置而使管子失去放大作用；(2)、结型场效管的漏极和源极可以互换使用；(3)、在输入电阻要求较高时，须防潮，以免使输入电阻减小。四四 场效管应用时注意事项场效管应用时注意事项B、MOS管应用时：(1)、MOS管的输入电阻很高，致使栅极的感应电荷不易泄放，极易造成管子击穿，所以存放时，将三个电极引线短接；(2)、MOS管的栅极与衬底间的绝缘层很薄，即使几伏的感应电压也会产生很高

11、的电场强度，以致击穿绝缘层，因此包装、运输、焊接时要特别小心，断电操作。(3)、MOS管的漏极和源极可以互换使用，但当管子内部将体极与源极连在一起时，则漏源两极不能对换使用。A、JFET管应用时：5.2 MOSFET放大电路放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算2.图解分析图解分析3.小信号模型分析小信号模型分析5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路）简单的共源极放大电路（N沟道）沟道）直流通路直流通路共源极放大电路共源极放大电路5.2.1 MO

12、SFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路）简单的共源极放大电路（N沟道）沟道）假设工作在饱和区，即假设工作在饱和区，即验证是否满足验证是否满足如果不满足，则说明假设错误如果不满足，则说明假设错误须满足须满足VGS VT，否则工作在截止区，否则工作在截止区再假设工作在可变电阻区再假设工作在可变电阻区即即假设工作在饱和区假设工作在饱和区满足满足假设成立，结果即为所求。假设成立，结果即为所求。解：解：例：例：设设Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，试计算电路的静态漏极电流试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源和漏源电压电压VD

13、SQ。VDD=5V，VT=1V，5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的）带源极电阻的NMOS共源极放大电路共源极放大电路饱和区饱和区需要验证是否满足需要验证是否满足5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算静态时，静态时，vI0 0，VG 0 0，ID I电流源偏置电流源偏置 VS VG VGS（饱和区）（饱和区）5.2.1 MOSFET放大电路放大电路2.图解分析图解分析由于负载开路，交流负由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同载线与直流负载线相同 5.2.1

14、MOSFET放大电路放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（1）模型）模型静态值静态值（直流）（直流）动态值动态值（交流）（交流）非线性非线性失真项失真项 当当，vgs 2(2(VGSQ-VT)时，时，5.2.1 MOSFET放大电路放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（1）模型）模型0 0时时高频小信号模型高频小信号模型解：例的直流分析已求得：解：例的直流分析已求得：（2）放大电路分析）放大电路分析（共源极）（共源极）s（A）小信号模型）小信号模型（2）放大电路分析）放大电路分析（共源极）s（B）Av,Ri,Ro计算计算（2）放大电路分析）放大电路分析（共漏极）（共漏极）共漏共漏（A）

15、小信号模型及）小信号模型及Av计算计算（2）放大电路分析）放大电路分析（共漏极）（共漏极）（B）Ri及及Ro计算计算5.3 结型场效应管结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理1.结构结构#符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？2.工作原理工作原理 vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS0时时（以（以N沟道沟道JF

16、ET为例）为例）当沟道夹断时，对应当沟道夹断时，对应的栅源电压的栅源电压vGS称为称为夹断夹断电压电压VP（或或VGS(off)）。）。对于对于N沟道的沟道的JFET，VP 0。PN结反偏结反偏耗尽层加厚耗尽层加厚沟道变窄。沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续减小，沟道继续变窄。继续变窄。2.工作原理工作原理（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS=0时，时，vDS ID G、D间间PN结的反向结的反向电压增加，使靠近漏极电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形变窄，从上至下呈楔形分布。分布。当当vDS增加到使

17、增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏时，在紧靠漏极处出现预夹断。极处出现预夹断。此时此时vDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 ID基本不变基本不变2.工作原理工作原理（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）vGS和和vDS同时作用时同时作用时当当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，时，导电沟道更容易夹断，对于同样的对于同样的vDS，ID的值比的值比vGS=0时的值要小。时的值要小。在预夹断处在预夹断处vGD=vGS-vDS=VP 综上分析可知综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管所以场效应管也称为单极

18、型三极管。JFETJFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，i iD D受受vGSGS控制。控制。预夹断前预夹断前i iD D与与vDSDS呈呈近似线性关系；预夹断后，近似线性关系；预夹断后，i iD D趋于趋于饱和。饱和。#为什么为什么为什么为什么JFETJFET的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比BJTBJT高得多？高得多？高得多？高得多？JFETJFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PNPN结是反向偏置的，因结是反向偏置的，因 此此i iG G 0 0，输入电阻很高。输入电阻很高。5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数2.转移特性转移特性 1.输出特性输出特性 与与MOSFET类似类似3.主要参数主要参数5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法1.FET小信号模型小信号模型（1）低）低频模型模型（2）高）高频模型模型2.动态指标分析动态指标分析（1 1）中频小信号模型）中频小信号模型2.动态指标分析动态指标分析（2）中频电压增益）中频电压增益（3）输入电阻）输入电阻（4）输出电阻）输出电阻忽略忽略 rds，由输入输出回路得由输入输出回路得则则通常通常则则本章作业 ，P250