《VLSI设计基础》PPT课件.ppt

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1、VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 VLSI设计基基础第第3章章 工工艺与与设计接口接口（2010-2010）VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 本章概要：本章概要：设计与工与工艺接口接口问题 工工艺抽象抽象 电学学设计规则 几何几何设计规则 工工艺检查与与监控控 基本基本问题设计与仿真依据与仿真依据工工艺监控和提模手段控和提模手段设计与工与工艺接口接口2VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 设计与工与工艺接口接口问题基本基本问题

2、工工艺线选择 设计的困惑的困惑 设计与工与工艺接口接口.1.13VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 基本基本问题工工艺线选择 一条成熟的工一条成熟的工艺线，各，各项工工艺参数都是参数都是一定的，不允一定的，不允许轻易易变更，而更，而这些参数往往些参数往往就成就成为我我们设计的制的制约因素。因素。因此，因此，设计之初必之初必须考考虑：这条工条工艺线对我的我的设计是否合适。是否合适。.1.1设计之初的重要之初的重要问题：选择工工艺和工和工艺线4VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 设计的困

3、惑的困惑电参数：参数：p应用用萨方程方程 p衬偏效偏效应(系数系数)p上升、下降上升、下降时间（负载电容）容）p迁移率比迁移率比值p版版图参数：参数：p尺寸尺寸p间距距p 太多的不确定，工太多的不确定，工艺线能否提供能否提供这些参数？些参数？.1.15VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 设计与工与工艺接口接口 工工艺线提供提供电学学设计和版和版图设计的的规则，形成形成设计规则文件。文件。工工艺线提供工提供工艺加工加工质量的量的监测方法，形方法，形成成PCM（Process Control Monitor）。这些构成清晰地接口：些构成清晰地

4、接口：设计与工与工艺接口接口。这个接口同个接口同时也成也成为了了设计与工与工艺的共同制的共同制约，成，成为设计与工与工艺双方必双方必须共同遵守的共同遵守的规范。范。.1.16VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺抽象抽象工工艺对设计的制的制约、工、工艺抽象的意抽象的意义 工工艺抽象抽象 p 对材料参数的抽象材料参数的抽象p 对加工能力的抽象加工能力的抽象 得到以得到以电学参数和几何参数描述的工学参数和几何参数描述的工艺数据，数据，设计者不再看到者不再看到诸如如掺杂浓度、度、结深、氧化深、氧化层厚度等工厚度等工艺技技术范畴的范畴的专业术

5、语。.2.27VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺对设计的制的制约最小加工尺寸最小加工尺寸对设计的制的制约（特征尺寸与最（特征尺寸与最大面大面积）电学参数学参数对设计的制的制约 标准工准工艺流程流程对特殊工特殊工艺要求的制要求的制约工工艺参数参数设计参数（参数（电参数、几何参数）参数、几何参数）.2.28VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺抽象抽象掺杂浓度以薄度以薄层电阻阻RS描述：描述：.2.2掺杂浓度度掺杂深度深度9VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南

6、大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺抽象抽象氧化氧化层（绝缘层）厚度以）厚度以单位面位面积电容容C0描述：描述：.2.2氧化层掺杂层导电层10VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺抽象抽象 重要参数重要参数阈值电压描述了描述了衬底底掺杂浓度，氧化度，氧化层厚度，氧化厚度，氧化层中含有的中含有的电荷性荷性质与数量，以及多晶硅（或金属）与与数量，以及多晶硅（或金属）与衬底底的功函数差。的功函数差。阈值电压包括了包括了栅区区阈值电压和和场区区阈值电压。.2.2导电薄膜参数以薄薄膜参数以薄层电阻描述。阻描述。11VLSIVLSI设计

7、基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺抽象抽象.2.2版版图设计规则是一是一组几何尺寸，是几何尺寸，是对加工加工精度（如最精度（如最细线条）；寄生效条）；寄生效应（如寄生晶体（如寄生晶体管）；特性保障（如可控硅效管）；特性保障（如可控硅效应抑制）；加工抑制）；加工质量控制（如成品率）等多方面的抽象。量控制（如成品率）等多方面的抽象。12VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 电学学设计规则.3.3电学学设计规则提供了一提供了一组用于用于电路路设计分分析的参数，析的参数，这些参数来源于具体工些参数来源于具

8、体工艺线，具有，具有很很强的的针对性。性。如果如果设计所采用的所采用的电学参数来源不是将来学参数来源不是将来具体制作的工具体制作的工艺线，则仿真分析的仿真分析的结果没有果没有实际意意义。电学学设计规则被分被分为两个主要部分：器件两个主要部分：器件模型参数和寄生提取所需的模型参数和寄生提取所需的电学参数。学参数。13VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 器件模型参数器件模型参数.3.3模型参数示例：模型参数示例：14VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 模型参数的离散及仿真方法模型参数的离

9、散及仿真方法.3.3设计时必必须考考虑工工艺的离散的离散对性能的影响性能的影响 15VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 几何几何设计规则.4.4几何几何设计规则给出的是一出的是一组版版图设计的最小的最小允允许尺寸，尺寸，设计者不能突破者不能突破这些最小尺寸的限制，些最小尺寸的限制，也就是也就是说，在，在设计版版图时对这些位置的版些位置的版图图形形尺寸，只能是大于或等于尺寸，只能是大于或等于设计规则的描述，而不的描述，而不能小于能小于这些尺寸。些尺寸。16VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程

10、学院 几何几何设计规则描述描述.4.4描述方法：一是以最小描述方法：一是以最小单位位的倍数表示，几的倍数表示，几何何设计规则中的所有数据都以中的所有数据都以的倍数表示，的倍数表示，如如3、5。是最小沟道是最小沟道长度度L的一半，是具的一半，是具体的数体的数值。这种描述方法称种描述方法称为设计规则。二。二是用具体的数是用具体的数值进行描述，数行描述，数值单位是微米，位是微米，被称被称为微米微米设计规则。17VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 几何几何设计规则描述描述.4.4表3.4掩膜板层描述掩膜板层编号说明N阱（N_WELL）1有源区(A

11、CTIVE)2多晶硅(POLY)3N+区（N PLUS SELECT）4P+区（P PLUS SELECT）4多晶硅2(POLY2)11、12、13可选用引线接触（CONTACT）5、6、13多晶硅接触孔（POLY CONTACT）5有源区接触孔（ACTIVE CONTACT）6多晶硅2接触孔（POLY2 CONTACT）13金属1（METAL1）7通孔（VIA）8金属1与金属2连接金属2（METAL2）9通孔2（VIA2）14金属2与金属3连接金属3（METAL3）15钝化层（GLASS）1018VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 几何

12、几何设计规则描述描述.4.4表3.6 有源区设计规则规则描述数2.1有源区最小宽度32.2有源区最小间距32.3源/漏有源区到阱边界距离52.4衬底/阱接触区到阱边界距离32.5不同掺杂类型的有源区间最小间距0或419VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 3.4.2 一个版一个版图设计的例子的例子.4.420VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 工工艺检查与与监控控.5.5工工艺加工完成后，接下来的工作就是加工完成后，接下来的工作就是检查制作的制作的质量，量，验证设计的正确性。的正确性。

13、验证设计正确性的正确性的测试技技术将在第将在第7章介章介绍。在本在本节中主要中主要讨论如何如何进行工行工艺质量量检查和和监控，通控，通过什么手段与技什么手段与技术确确认产品加工失品加工失效的原因。效的原因。21VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 3.5.1 PCM（Process Control Monitor）.5.5 PCM是一是一组测试结构，主要用于构，主要用于检测工工艺加工加工质量，提取相关参数。量，提取相关参数。PCM测试结构主要包括了四个方面：构主要包括了四个方面：工工艺加工加工质量量评估估 DC测试 AC测试 少量功能器件少

14、量功能器件测试结构构 PCM还作作为提取器件模型参数的手段被提取器件模型参数的手段被广泛使用。广泛使用。22VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 3.5.1 PCM.5.523VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 .5.5互连线的参数（INTERCONNECT PARAMETERS）：薄层电阻（Sheet Resistance）（金属、多晶硅、有源区等）接触电阻（Contact Resistance）线宽偏差（Delta Line Width）（金属和多晶硅）台阶覆盖（STEP COVE

15、RAGE）：梳齿结构（Comb Isolation）（金属和多晶硅）折弯结构（Serpentine Continuity）晶体管特性（TRANSISTOR CHARACTERISTICS）：晶体管阈值电压（Transistor Threshold Voltage）本征导电因子，导电因子（Process Gain,Kp(beta/2)）Gamma（）系数(body effect coefficient)饱和电流（Saturation Current）沟道穿通电压（Channel Punch-through Voltage）PN结击穿（Junction Breakdown）厚栅氧（场区氧化层）晶体

16、管（FIELD OXIDE TRANSISTORS）：阈值电压（Threshold）倒相器（INVERTERS）：输出高电平（Vout,high）输出低电平（Vout,low）倒相器阈值（Inverter Threshold(Vinv)）倒相器阈值处的增益（Gain at Inverter Threshold）电容（CAPACITORS）：平板电容（Area Capacitance）边缘电容（Fringe Capacitance）环行振荡器（RING OSCILLATOR）：频率（Frequency）PCM部分部分测试参量参量24VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学

17、与工程学院子科学与工程学院 测试图形及参数形及参数测量量.5.5示例示例1：薄薄层电阻阻测量量 基于范德堡基于范德堡（Van der Pauw）原理原理。测量量过程：程：u 在相在相邻的两个臂的两个臂间注入注入电流流IF（如A-B）；u 测量另两臂量另两臂间电压（如（如C-D，得，得VCD）；）；u 旋旋转90度，再注入度，再注入电流流IF（B-C）；u 再再测量量电压（A-D，得，得VAD）。）。薄薄层电阻阻设计工程工程师只关心只关心电参量参量测试结果果25VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 测试图形及参数形及参数测量量.5.5示例示例2：本征本征导电因子因子测量量 外推阈值电压测量外推阈值电压测量 由外推由外推阈值电压测量曲量曲线获得。得。由由萨方程方程 可知：外推直可知：外推直线斜率斜率可得本征可得本征导电因子。因子。26VLSIVLSI设计基础设计基础-3-3 东南大学南大学电子科学与工程学院子科学与工程学院 本章阐述设计与工艺接口：.5.5工工艺对设计的制的制约工工艺抽象抽象几何几何设计规则工工艺抽象抽象电学学规则、器件模型、器件模型工工艺监控与参数提取控与参数提取PCM电路、版路、版图设计标准化工准化工艺电学、几何学、几何设计规则（设计文件、文件、规范）范）PCM，工，工艺检查工工艺确确认27