电气专业基础与~实务(北京中级职称专业考试)复习预习题和参考答案内容2012年参考习题.doc
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1、|工程师复习题 1(2010-05-18 21:25:45)转载一、判断题电磁1直流电电压的幅值是时间的函数。() N此题有争议2随着环境温度升高,电阻的阻值下降。() N 温度升高电阻率增加,电阻增加3电阻属于耗能元件。() Y4电感和电容都是储能元器件。() Y5电容器允许直流电流通过,不允许交流电流通过。() N6电容上的交流电流落后于电压 90。() N7交流电的电压幅值是时间的函数。() Y8阻抗是个复数,它的实部表示电阻,虚部表示电抗。() Y9电感储存的磁场能与电感量的大小有关。() Y10电感和电容是组成 LC 谐振电路的重要元件。() Y11通过电感的交流电流超前于电压 90
2、。() N12 振荡电路必须加正反馈回路。() Y13品质因数 Q 值越高,则表示储能元器件的耗能越小。() Y 电感元件有品质因数品质因数(Q 因数)quality factor电学和磁学的量。表征一个储能器件(如电感线圈、电容等) 、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的 Q 值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。电抗元件的 Q 值等于它的电抗同等效串联电阻的比值。对于无辐射系统,如 Z=R+jX,则 Q =|X|/R。SI 单 位:1(一)。Q=无功功率 /有功功率谐振回路的品质因数为谐振回路的特性阻抗与回路电阻之比。14磁路中的空气间隙能提高磁性材料的抗磁饱和
3、能力。() N|15软磁性材料的剩磁很强。() N模拟电子1半导体二极管的 PN 结电压与温度无关。() N 有关2常用的半导体二极管主要分为锗二极管和硅二极管。() Y3半导体三极管主要有锗半导体材料的三极管和硅半导体的三极管两种。() Y有争议,按材料分为硅管和锗管4双极型三极管为电压控制器件,而场效应晶体管(FET)为电流控制器件。() N说反了,三极管电流控制,场效应管电压控制5场效应晶体管(FET)的输入阻抗较普通双极型三极管的输入阻抗要高很多。() Y6晶体振荡器的 Q 值很高,其振荡频率稳定度很高。() Y7用作线性放大的运算放大器应闭环工作。() Y8运算放大器的闭环放大倍数与
4、闭环电路外围元件的参数无关,与运算放大器的开环放大倍数有关。() N数字电子1CRC 校验(循环冗余差错校验)是检验数据在传输过程中有无数据位出错的常用方法。() Y2奇偶校验的纠错检错能力有限。() Y3触发器是脉冲数字电路的基本电路。() N 是门电路4常用的触发器有基本 RS 触发器,同步 RS 触发器,JK 触发器,D 触发器和 T 触发器等。() Y5利用触发器可以组成组合逻辑电路和时序逻辑电路。() Y6D 触发器使其输出逻辑电平随输入逻辑电平的变化而变化。() Y7表示触发器逻辑功能的主要方法有触发器的特性表、触发器的电路原理图、触发器的逻辑状态转换图、触发器的输出波形图、触发器
5、的逻辑方程式等。() Y8利用基本 RS 触发器,同步 RS 触发器,JK 触发器,D 触发器和 T 触发器等可以使组成各种功能的逻辑电路。() Y9取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。() Y10取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关,取样信号频率越高则取样生成的数据量越小。在有噪声的环境下,取样信号的频率还应更低。() X11A/D 变换的精度和 A/D 变换的位数有关。() Y|电力应用1变压器具有变电压、变电流和变阻抗的作用。() Y2变压器和光电耦合器具有信号隔离功能。() Y3电动机常用的调速方法有(1)变频法,(2)变压法,(3)变频变压法(VVVF)。() Y4
6、电动机是一种电能-机械能的转换装置,电动机不可以调速。() N5利用继电器可以构成自动控制功能,即继电器控制逻辑电路,而 PLC 控制逻辑电路比继电器控制逻辑电路的控制功能要更强和使用更方便,在自动控制技术中得到了广泛的应用。() Y6交流电桥即可以测直流电阻,也可以测电感器和电容器的参数,故称为万用电桥。() Y7霍尔传感器可以把电信号变成磁信号输出。() N8电路的合理接地对提高电路的工作性能,降低干扰具有很重要的作用。() Y9电路的接地可有可无。() N二、单选题1线性电子元器件满足线性叠加定律。 AA电阻器是线性电子元器件B电感器不是线性电子元器件C半导体二极管是线性电子元器件D半导
7、体三极管是线性电子元器件2电阻器是一种线性电子元器件,电阻器的电阻满足线性叠加定律。A电阻器并联后总电阻值变小,电阻器并联后总功率值加大。 YB电阻器并联后会电阻器的总电阻值和总功率值变小。 NC电阻器并联后的总电阻值和总功率值与每个电阻器的电阻值和功率值无关。 ND电阻值越并联越大,但电阻器并联会使电阻器的总功率值变小。 N3电感器的并联会使电感器的总电感量减小。A电感器并联会使电感器的总电感量变大。 NB电感器越并联电感量越大,同时允许通过的总电流越大。NC电感器越并联电感量越小,同时允许通过的总电流越大。Y|D电感器并联电感量后会总电感量不变。N4电容器并联会使总电容量变大。A电容器并联
8、使用会使电容器的总耐电压值加大 NB电容器并联使用会使电容器的总电容量加大,但是电容器的总耐电压值会减小 NC电容器并联会位电容器的总电容量加大,但是电容器的总耐电压值取决于并联电容器的耐电压值中最小的那只电容器的耐电压值。 YD电容器并联会使电容器的总电容量加大,而且电容器的总耐电压值也会加大 N5电容器串联会使总电容量变小。 BA电容器串联使电容器的总电容量加大 NB电容器串联使电容器的总耐电压值加大 YC电容器串联使电容器的总电容量加大,并且电容器的总耐电压值也加大D电容器串联的总耐压值取决于串联电容器耐电压值中最小的那只电容器的耐压值6磁性材料的类型、磁性材料的形状和磁性材料磁路的长度
9、影响磁性材料磁路磁阻的大小。 A磁性材料磁路的磁阻与磁性材料的类型、磁路长度无关 NB磁性材料磁路的磁阻与磁性材料无关,与磁路长度有关 NC磁性材料磁路的磁阻与磁路长度无关,但与磁性材料有关D磁性材料磁路的磁阻与磁性材料的类型、磁路长度和磁路的形状有关 Y7软磁性材料的磁特性与其磁滞曲线的矩形系数有关。 AA剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬 YB剩磁越弱的磁性树料的磁特性越硬 NC磁性材料的磁特性软、硬与它的矩形系数无关,只与磁性材料的磁特性有关 ND硬磁性材料适合于用作变压器的铁心 N8硬磁性材料的磁特性与其磁滞曲线的矩形系数有关。 DA磁性材料的矩形系数越大,则磁性材料的磁特性越软 NB磁性
10、材料的磁特性软、硬与它的矩形系数无关,只与磁性材料的磁特性有关 NC剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬 N|D剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬 Y9半导体二极管的 PN 结对通过它的电流会产生正向电压降。 DA硅半导体材料二极管的正向电压降为 0.3V NB硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为 0.7V NC硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为 0.3V ND锗半导体材料二极管的正向电压降为 0.3V Y10双极型晶体管(BJT)的放大区用于信号放大作用。 AA放大工作区、截止工作区和饱和工作区是双极型晶体管的三个工作区 YB双极型晶体管的正常工作区是截止区和饱和区 NC双极型晶体管的饱和区仍有
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