鹰潭碳化硅项目商业计划书模板范本.docx
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1、泓域咨询/鹰潭碳化硅项目商业计划书鹰潭碳化硅项目商业计划书xxx(集团)有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资10222.94万元,其中:建设投资8538.39万元,占项目总投资的83.52%;建设期利息120.79万元,占项目总投资的1.18%;流动资金1563.76万元,占项目总投资的15.30%。项目正常运营每年营业收入18100.00万元,综合总成本费用15329.87万元,净利润2016.34万元,财务内部收益率14.20%,财务净现值1437.42万元,全部投资回收期6.45年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。第三代半导体性能优越,应用场景更
2、广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料,碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,广泛应用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目概况8一、 项目名称及投资人8二、 项目建设背景8三、 结论分析9主要经济指标一览表11第二章 行业、市场分析14一、 外延:可满足不同应用领域对器件的电阻等参数要求14二、 碳化硅产业链14第
3、三章 背景、必要性分析17一、 碳化硅衬底全球市场空间测算17二、 高击穿电压:带来更大的工作区间及功率范围18三、 宽禁带:提高材料稳定性和击穿电场强度18四、 更加突出改革先导,打造更具创造力的开放城市。19第四章 项目建设单位说明22一、 公司基本信息22二、 公司简介22三、 公司竞争优势23四、 公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨26七、 公司发展规划27第五章 SWOT分析说明29一、 优势分析(S)29二、 劣势分析(W)30三、 机会分析(O)31四、 威胁分析(T)32第六章 创新驱动40一、 企业
4、技术研发分析40二、 项目技术工艺分析42三、 质量管理43四、 创新发展总结44第七章 法人治理结构45一、 股东权利及义务45二、 董事48三、 高级管理人员53四、 监事56第八章 发展规划分析58一、 公司发展规划58二、 保障措施59第九章 运营模式62一、 公司经营宗旨62二、 公司的目标、主要职责62三、 各部门职责及权限63四、 财务会计制度66第十章 进度规划方案72一、 项目进度安排72项目实施进度计划一览表72二、 项目实施保障措施73第十一章 项目风险评估74一、 项目风险分析74二、 项目风险对策76第十二章 建设内容与产品方案78一、 建设规模及主要建设内容78二、
5、 产品规划方案及生产纲领78产品规划方案一览表78第十三章 建筑工程可行性分析80一、 项目工程设计总体要求80二、 建设方案80三、 建筑工程建设指标81建筑工程投资一览表81第十四章 投资方案83一、 投资估算的依据和说明83二、 建设投资估算84建设投资估算表86三、 建设期利息86建设期利息估算表86四、 流动资金88流动资金估算表88五、 总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表91第十五章 项目经济效益评价92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表94利润及
6、利润分配表96三、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析99五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、 经济评价结论101第十六章 总结说明103第十七章 附表105主要经济指标一览表105建设投资估算表106建设期利息估算表107固定资产投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建筑工程投资一览表118项目实施
7、进度计划一览表119主要设备购置一览表120能耗分析一览表120第一章 项目概况一、 项目名称及投资人(一)项目名称鹰潭碳化硅项目(二)项目投资人xxx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准)。二、 项目建设背景碳化硅衬底是由高纯硅、碳粉经过合成成SiC微粉后,通过物理气相沉积法(PVT)生长成为晶锭,之后加工得到标准直径尺寸的碳化硅晶体,再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片,最后对其进行检测、清洗形成可交付下游外延厂商使用碳化硅衬底。“十三五”时期是我市经济社会加速发展、综合实力大幅提升的五年。生产总值连续迈上3个百亿元台阶,接近千亿元大关,是“十二
8、五”末的1.45倍,在全省排名前移2位。人均地区生产总值突破1.2万美元,财政总收入、一般公共预算收入分别年均增长6.3%和1.35%。固定资产投资年均增长10.6%,是“十二五”的1.66倍。社会消费品零售总额较“十二五”末增长51%。“十三五”时期成为我市经济社会发展速度最快的时期之一。是我市经济社会加速发展、综合实力大幅提升的五年。生产总值连续迈上3个百亿元台阶,接近千亿元大关,是“十二五”末的1.45倍,在全省排名前移2位。人均地区生产总值突破1.2万美元,财政总收入、一般公共预算收入分别年均增长6.3%和1.35%。固定资产投资年均增长10.6%,是“十二五”的1.66倍。社会消费品
9、零售总额较“十二五”末增长51%。“十三五”时期成为我市经济社会发展速度最快的时期之一。是我市经济社会加速发展、综合实力大幅提升的五年。生产总值连续迈上3个百亿元台阶,接近千亿元大关,是“十二五”末的1.45倍,在全省排名前移2位。人均地区生产总值突破1.2万美元,财政总收入、一般公共预算收入分别年均增长6.3%和1.35%。固定资产投资年均增长10.6%,是“十二五”的1.66倍。社会消费品零售总额较“十二五”末增长51%。“十三五”时期成为我市经济社会发展速度最快的时期之一。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约24.00亩。(二)建设规模与产
10、品方案项目正常运营后,可形成年产xx吨碳化硅的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资10222.94万元,其中:建设投资8538.39万元,占项目总投资的83.52%;建设期利息120.79万元,占项目总投资的1.18%;流动资金1563.76万元,占项目总投资的15.30%。(五)资金筹措项目总投资10222.94万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)5292.86万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额4930.08万元。(六)经济评价1
11、、项目达产年预期营业收入(SP):18100.00万元。2、年综合总成本费用(TC):15329.87万元。3、项目达产年净利润(NP):2016.34万元。4、财务内部收益率(FIRR):14.20%。5、全部投资回收期(Pt):6.45年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):8776.45万元(产值)。(七)社会效益项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本
12、项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积16000.00约24.00亩1.1总建筑面积25681.781.2基底面积9600.001.3投资强度万元/亩349.962总投资万元10222.942.1建设投资万元8538.392.1.1工程费用万元7578.512.1.2其他费用万元765.972.1.3预备费万元193.912.2建设期利息万元120.792.3流动资金万元1563.763资金筹措万元10222.943.1自筹资金万元5292.863.2银行贷款万元4930.08
13、4营业收入万元18100.00正常运营年份5总成本费用万元15329.876利润总额万元2688.457净利润万元2016.348所得税万元672.119增值税万元680.6810税金及附加万元81.6811纳税总额万元1434.4712工业增加值万元5142.1713盈亏平衡点万元8776.45产值14回收期年6.4515内部收益率14.20%所得税后16财务净现值万元1437.42所得税后第二章 行业、市场分析一、 外延:可满足不同应用领域对器件的电阻等参数要求外延可满足不同应用领域对器件参数要求。外延是指在碳化硅衬底上生长了一层与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的过程。为了满足SiC器件在
14、不同应用领域对电阻等参数的特定要求,必须在衬底上进行满足条件的外延后才可制作器件,因此外延质量的好坏将会影响SiC器件的性能。目前SiC衬底上常见外延有SiC同质外延和GaN异质外延,前者用于功率器件,后者用于射频器件。二、 碳化硅产业链国外厂商多以IDM模式布局,国内企业专注单个环节。碳化硅产业链依次可分为:衬底、外延、器件、终端应用。国外企业多以IDM模式布局全产业链,如Wolfspeed、Rohm及意法半导体(ST),而国内企业则专注于单个环节制造,如衬底领域的天科合达、天岳先进,外延领域的瀚天天成、东莞天域,器件领域的斯达半岛、泰科天润。衬底与外延占据70%的碳化硅器件成本。受制于材料
15、端的制备难度大,良率低,产能小,目前产业链的价值集中于衬底和外延部分,前端两部分占碳化硅器件成本的47%、23%,而后端的设计、制造、封测环节仅占30%。行业呈现一超格局,Wolfspeed占据62%市场份额。自2018年特斯拉首次将碳化硅器件导入Model3代替IGBT模块,便打开了碳化硅在新能源车领域的应用,行业迅速进入升温期。目前碳化硅衬底市场呈现一超格局,Wolfspeed(原Cree)以62%的市占率高居第一,-、Rohm则以14%和13%的市占率位列第二、三位,CR3接近90%。国内厂商天科合达市占率仅为4%。碳化硅衬底可分为导电型和半绝缘型。导电型是指电阻率在1530mcm的碳化
16、硅衬底,将其进行外延后可进一步制成功率器件,应用于新能源车、光伏、智能电网等领域。半绝缘型则是指电阻率高于105mcm的碳化硅衬底,主要用于制造氮化镓微波射频器件,作为无线通讯领域的基础零部件。碳化硅衬底是由高纯硅、碳粉经过合成成SiC微粉后,通过物理气相沉积法(PVT)生长成为晶锭,之后加工得到标准直径尺寸的碳化硅晶体,再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片,最后对其进行检测、清洗形成可交付下游外延厂商使用碳化硅衬底。高纯SiC粉末可使用气相法、液相法及固相法合成,目前产业中主要使用固相法中自蔓延高温合成法,即将固态的Si源和C源作为原料,使其在14002000的高温下持续反应,最后得
17、到高纯SiC粉体。这种方法原料便宜,合成质量稳定,合成效率高。目前各家衬底厂商基本自产高纯SiC粉末。90%衬底企业选择PVT法。碳化硅单晶主要有物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉积(HTCVD)法和液相外延法(LPE)法,目前PVT法由于设备易于制造、长晶过程更好控制以及成本较低等优点,是业内最成熟的工艺。其原理是通过将处于2000以上的SiC原料升华分解成气相物质,这些气相物质输运到温度较低的籽晶处,结晶生成SiC单晶。业内90%的企业都使用PVT法。HTCVD法的原理是将Si源和C源气体在2100左右的高温环境下发生化学反应生成SiC,这种长晶法可实现晶体长时间持续生长,但设备成本
18、高,且生长速度也很慢。业内使用HTCVD法的有Norstel和日本电装。LPE法通过在高温纯硅溶液中将碳溶解其中,从过饱和液中析出碳化硅晶体。LPE适用于制备高质量大尺寸碳化硅衬底,但是生长速度极其缓慢,材料要求也高,应用厂家有住友金属。PVT法生长速度慢、厚度低,且良率较低。根据刘得伟等人在PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究文中数据,在不同原料区温度下,80小时生长时间内晶锭厚度8-15mm,并且由于粉源石墨化的影响,晶锭长度限制在50mm左右。且碳化硅晶体的生长环境复杂、工艺控制难度大,整体良率较低,据天岳先进招股书中披露,公司晶棒环节整体良率在50%。第三章 背景、必要性分析一
19、、 碳化硅衬底全球市场空间测算碳化硅衬底是碳化硅器件制备必不可少、也是目前成本最高的一环,分析碳化硅衬底的市场空间有着重要的意义。在这里,对全球碳化硅衬底2021年到2025年在新能源汽车、光伏领域的市场空间、衬底需求量进行了测算,并以此为参比预测出了碳化硅衬底的总市场空间及衬底需求量。目前6英寸碳化硅平均售价为1000美金,约6400元/片,由于未来6英寸上的技术路线发展以及进一步规模经济的形成,预期碳化硅价格总体呈现降低趋势,对于具体的价格趋势,对2021-2025年衬底价格下降幅度进行以下三种假设:1)10%降幅;2)15%降幅;3)20%降幅。单车消耗衬底数:考虑到未来价格下降后将逐步
20、增加碳化硅在新能源车上的应用场景,以目前Model3单车用48个碳化硅MOSFET芯片计算,单车用6英寸衬底数约0.16片,之后逐渐增长到2025年的0.4片。渗透率:这里的渗透率定义为采用SiC器件为主体的新能源汽车销量在全部新能源汽车销量中的占比。2021年的渗透率为14%,预期2021-2025的渗透率增速为6%。二、 高击穿电压:带来更大的工作区间及功率范围击穿电压越高,工作区间及功率范围越大。击穿电压指的是使电介质击穿的电压。对于半导体来说,一旦电压到达了击穿电压就意味着半导体失去了其介电性能,因内部结构被破坏而呈现出类似与导体的性能,进而无法工作。所以更高的击穿电场意味着更大的工作
21、区间及功率范围,即击穿电场越高越好。碳化硅器件功率更大、体积更小,能量损失更低。碳化硅材料因其更高的击穿电压特性,可以广泛地应用于大功率器件的制备,这是硅基半导体所无法替代的优势。碳化硅更高的电击穿允许碳化硅功率器件具有更薄更重掺杂的阻挡层,这使得同等要求下使用碳化硅材料可以将器件做的更薄,这可以起到节省空间、提高单位能量密度的作用。此外,高击穿电场还可以使得碳化硅在外电压中的导通电阻更小,而更小的导通电阻意味着更低的能量损失。三、 宽禁带:提高材料稳定性和击穿电场强度禁带宽度决定材料特性,宽禁带提高更好性能。禁带宽度是衡量半导体性能的一个重要指标,更宽的禁带意味着更高的激发要求,即电子和空穴
22、更难以形成,这也导致了宽带隙半导体在不需要工作时可以保持类似绝缘体的特性,这也使得其具有更好的稳定性,宽禁带同时也有助于提高击穿电场强度,进而增强对工作环境的承受能力,具体体现在具有更好的耐热性和耐高电压性、抗辐射性。同时因宽禁带体系中导带与价带间的高能量差,使得电子与空穴被激发后的复合率大大降低,这就使得更多的电子和空穴可以用于导电或者传热,这也是碳化硅具有更强的导热性与导电能力的一个原因。基于这些特点,碳化硅器件可以在更高强度的环境下进行工作,也能够更快速地进行散热,极限工作温度更高。耐高温特性可以带来功率密度的显著提升,同时降低对散热系统的要求,使终端可以更加轻量和小型化。碳化硅的高禁带
23、宽度也使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅减少,从而降低功率损耗;碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,开关损耗低,大幅提高实际应用的开关频率。四、 更加突出改革先导,打造更具创造力的开放城市。深层次推进重点改革。纵深推进“放管服”改革,持续推进相对集中行政许可权制度改革,推动贵溪市、月湖区行政审批局挂牌运行,加快“掌上政府”建设,推行审批事项“不见面”审批,拓展提升“赣服通”“赣政通”鹰潭分厅服务功能,全力推动优化营商环境创一等走前列。深化“一照含证”改革,全面推行“证照联审联办”,继续抓好工程建设项目“六多合一”审批制度改革。积极应对省以下税收收入划分改革,深化财税体制改革。完成事业单位
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