保定半导体设备项目招商引资方案【模板范文】.docx
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1、泓域咨询/保定半导体设备项目招商引资方案报告说明薄膜生长:采用物理或化学方法使物质附着于衬底材料表面的过程,常见生长物质包括金属、氧化物、氮化物等不同薄膜。根据工作原理不同,薄膜沉积生长设备可分为:物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和外延等类别。PVD和CVD是主要的薄膜设备,ALD是产业技术发展趋势。在半导体领域,薄膜主要分给绝缘薄膜、金属薄膜。大部分绝缘薄膜使用CVD,金属薄膜常用PVD(主要是溅射)。其他常用的镀膜方式包括ECD、SOD、MOCVD、Epitaxy等。在薄膜设备整体中,CVD的使用越来越广泛,基于CVD发展的ALD更是行业升级的技术方向。根据谨慎财务估算,项目
2、总投资44054.46万元,其中:建设投资33976.31万元,占项目总投资的77.12%;建设期利息915.57万元,占项目总投资的2.08%;流动资金9162.58万元,占项目总投资的20.80%。项目正常运营每年营业收入96200.00万元,综合总成本费用79680.21万元,净利润12058.21万元,财务内部收益率19.52%,财务净现值9030.13万元,全部投资回收期6.17年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定
3、的抗风险能力,因而项目是可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 市场分析8一、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开8二、 光刻机:半导体制程工艺核心环节,将掩膜板图形缩小9第二章 背景、必要性分析12一、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续12二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加13三、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高15四、 推进区域协调发展,加速新型城镇化进程15五、 全面推动创新发展,着力提升核心竞争力17六、 项目实施的必要性20第三章 项目概述21
4、一、 项目名称及投资人21二、 编制原则21三、 编制依据22四、 编制范围及内容22五、 项目建设背景22六、 结论分析24主要经济指标一览表26第四章 建筑工程技术方案28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案28三、 建筑工程建设指标29建筑工程投资一览表29第五章 建设规模与产品方案31一、 建设规模及主要建设内容31二、 产品规划方案及生产纲领31产品规划方案一览表31第六章 SWOT分析说明33一、 优势分析(S)33二、 劣势分析(W)35三、 机会分析(O)35四、 威胁分析(T)36第七章 运营管理44一、 公司经营宗旨44二、 公司的目标、主要职责44三、 各部门职责
5、及权限45四、 财务会计制度48第八章 法人治理结构52一、 股东权利及义务52二、 董事57三、 高级管理人员61四、 监事64第九章 工艺技术方案分析66一、 企业技术研发分析66二、 项目技术工艺分析69三、 质量管理70四、 设备选型方案71主要设备购置一览表72第十章 组织架构分析73一、 人力资源配置73劳动定员一览表73二、 员工技能培训73第十一章 原辅材料分析75一、 项目建设期原辅材料供应情况75二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理75第十二章 劳动安全生产分析77一、 编制依据77二、 防范措施80三、 预期效果评价84第十三章 投资估算85一、 投资估算的依据和说明8
6、5二、 建设投资估算86建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表90固定资产投资估算表92四、 流动资金92流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表95第十四章 经济效益分析97一、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配表102二、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104三、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106第十五章 风险防范108一、 项目风险分析108二、 项目风险对
7、策110第十六章 项目总结113第十七章 附表附件115营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表118项目投资现金流量表119借款还本付息计划表120建设投资估算表121建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126第一章 市场分析一、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高峰期。根据集微网统计,20202022年国内晶圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元,其中内资
8、晶圆厂投资金额约1000/1200/1100亿元。20202022年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年,且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低,海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,从市场格局来看,细分市场均有较高集中度,主要参与厂商一般不超过5家,top3份额往往高于90%,部分设备甚至出现一家独大的情况,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求。制程越先进,设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%,当制程到16/14nm时,设备投资占比达85%;7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航
9、,从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局广泛,刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快,产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高,在集成电路领域主流生产线实现批量销售,产品加速迭代;第三代半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽,出货量实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商,PECVD累计发货150台,广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,PEALD已实现销售;中微公司介质刻蚀机已经打入5nm制程,新款用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备UniM
10、ax2022Q1订单已超180腔;芯源微前道涂胶显影设备在28nm及以上多项技术及高产能结构方面取得进展,并实现多种核心零部件的国产替代,公司前道物理清洗设备已经达到国际先进水平并成功实现国产替代,新签订单结构中前道产品占比大幅提升;华海清科CMP设备在逻辑芯片、3DNAND、DRAM制造等领域的工艺技术水平已分别突破至14nm、128层、1X/1Ynm,到2021年底,公司CMP设备累计出货超过140台,未发出产品的在手订单超70台。Mattson(屹唐半导体)在去胶设备市占率全球第二;盛美半导体单片清洗机在海力士、长存、SMIC等产线量产。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。设备国产
11、化率较低,国产厂商成长空间巨大。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求,潜在收入目标空间较大。二、 光刻机:半导体制程工艺核心环节,将掩膜板图形缩小2020年,全球光刻机市场约135亿美元,占全球半导体制造设备市场21%。光刻机市场一直以来在全球设备市场中的比重都较高,具有较高技术难度,并且单台设备价值量也较高,属于半导体制造设备的“皇冠”。光刻机单机价值量高,每年出货数量约300400台。根据ASML、Nikon、Canon三家光刻机财报数据统计,近两年全球光刻机每年出货量大约在300400台之间,整体均价约0.3亿美元。其中主要产品
12、是KrF约90100台,ArFi约90100台。近几年EUV出货量在逐步增长,全球仅有ASML具备供应能力,每年出货3050台,均价超过1亿美元。光刻机的供给有限,前三大晶圆制造领先厂商占据大部分需求。ASML在2020年一共销售34台EUV光刻机,2021年EUV光刻机的产能将增长到4550台。从历史需求端来看,全球90%以上的EUV光刻机由TSMC、Samsung、Intel三家采购,其他诸如代工厂GobalFoundries、存储厂海力士、美光每年最多采购1台光刻机。ASML主导全球光刻机市场。从光刻机格局来看,2020年ASML占据全球光刻机市场84%的市场空间,Nikon约7%,Ca
13、non约5%。ASML具有高度的垄断地位,并且由于EUV跨越式的升级进步,ASML在技术上的领先性更加明显。国内上海微布局前道光刻机设备。上海微电子装备(集团)股份有限公司主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。公司于2002年成立,2006年公司光刻机产品注册商标获得国家工商局批准。第二章 背景、必要性分析一、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续在手订单依旧强劲,供应链限制延续,设备大厂积极扩产。1)供给高度紧张:ASML22Q1营收yoy-19%,下滑主要系部分订单确认延迟;毛利率同比-5pt,承压主要系材料、供应链、运输等成本上升;库存周
14、转率降低。泛林毛利率同比-1.7pt,主要系成本压力(原材料、物流、通胀等)。2)订单依旧强劲:ASML新增在手订单约70亿欧元,环比持平。KLA:当前在手订单交期总体56个月,部分产品78月。爱德万客户订单提前量增加,由于系半导体等材料和零件短缺,交期延长。3)积极扩产:ASML预计2030年产能至少翻番,2025年年产能增加到约90套0.33孔径EUV和600套DUV。泰瑞达预计2023研发费用1900亿日元,yoy+20.1%;资本开支750亿日元,yoy+31.1%,规划金额皆较往年有大幅提升。2022下半年展望乐观,全年需求强劲将有订单递延至明年。泛林2022Q2毛利率指引中枢仍略降
15、,持续成本和供应压力影响持续,二季度订单积压不断增加。随产能落地、产品竞争力效益显现及部分订单延迟多数企业对H2展望乐观。ASML预计2022H2表现强劲,毛利率约54%,高于全年52%指引,主要由EUV和DPV出货及安装基础管理业务利润率提升驱动。Q4部分EUV系统收入将递延到2023年。泛林预计2022WFE需求将超1000亿美元,未满足的设备需求将递延至明年。泰瑞达积极建立库存及扩产,预计H2出货有更大增量及灵活性,预计Q2实现增长,仅高端产品出货受限。二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的
16、材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(
17、Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场超过130亿美元,是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137
18、亿美元,其中介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年,国内设备龙头厂商北方华创、中微公司该产品线放量加速,逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看,TEL一家独大,长期全球市占率超过50%;其次Lam占据接近40%的市场份额,两家厂商主导整个市场,寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公
19、司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备,并承担多项重大科研项目,是国内领先的介质刻蚀设备厂商。三、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高全球设备五强占市场主导角色。全球设备竞争格局,主要前道工艺(刻蚀、沉积、涂胶、热处理、清洗等)整合成三强AMAT、LAM、TEL。另外,光刻机龙头ASML市占率80%+;过程控制龙头KLA市占率50%。根据SEMI,ASML、AMAT、LAMResearch、TEL、KLA五大厂商2021年收入合计788亿美元,占全球市场约77%。综合看下来,设备五强市场在各赛道合计市占率基本在50%以上。AMSL优势在光刻方面遥遥领先
20、;AMAT优势在产品线广,沉积(CVD、PVD)市占率高;LAM优势在刻蚀领域;TEL优势在小赛道如涂胶、去胶、热处理;KLA优势在过程控制。四、 推进区域协调发展,加速新型城镇化进程坚定不移走以人为核心的新型城镇化道路,推动城乡区域功能布局优化和协调发展,提高城乡融合发展水平,建设“新型城镇化发展高地”,着力打造京津冀城市群中的区域中心城市,加快建设品质为先、宜居宜业新保定。(一)优化区域发展布局着眼于区域协调发展,加快构建“一核一廊一区一带”发展格局。“一核”即包括莲池、竞秀、清苑、满城、徐水以及高新区在内的核心功能区,强化政治、经济、文化中心功能,增强辐射带动能力;“一廊”即以京雄保石发
21、展轴为主线,以涿州、涞水、高碑店、白沟新城、定兴为节点的京雄保科技创新走廊,重点承接北京非首都功能疏解和雄安新区开发带动;“一区”即以安国、望都、博野、蠡县、高阳等南部县市为节点的保南特色产业转型升级发展区,以发展县域特色产业为主攻方向,打造一批特色产业基地;“一带”即以涞源、易县、曲阳、阜平、唐县、顺平为节点的西部太行山生态文明发展带,发挥资源优势和生态优势,加强生态涵养,大力发展生态经济和绿色产业。(二)全面提升中心城市能级开展中心城市赋能升级行动,增强高端要素、高端产业、高端功能,着力打造京津冀世界级城市群中的品质生活之城。按照组团式布局,推动清苑、满城、徐水与主城区加速融合,加快路网联
22、通,实现同城发展。积极推动城市立体化交通建设,建设城区大外环,对乐凯大街、二环路等进行快速路改造,形成主城区快速路网。实施城市有机更新,加快未来社区建设,下大力推进城中村改造和老旧小区改造,基本消除三环以内城中村。建设城市标志性街区、标志性建筑、标志性景观,搞好城市绿化美化亮化,打造城市水系,建设城市公园和沿街塑像,建设宜居城市、海绵城市、韧性城市。加强古城文化遗迹保护和开发利用,重点推进直隶总督署、古莲花池、东西大街等古城核心片区一体化保护和开发,打造古城“文化客厅”。做大做强城市经济,规划建设现代化中央商务区,培育壮大总部经济、楼宇经济。加强城市景观风貌设计和管控,形成具有鲜明辨识度的城市
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