漳州半导体清洗设备项目实施方案范文参考.docx

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1、泓域咨询/漳州半导体清洗设备项目实施方案目录第一章 项目建设单位说明9一、 公司基本信息9二、 公司简介9三、 公司竞争优势10四、 公司主要财务数据11公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据12五、 核心人员介绍12六、 经营宗旨14七、 公司发展规划14第二章 市场分析16一、 半导体市场景气高涨，资本开支上行带动设备市场高成长16二、 先进工艺为清洗设备增添新增长机遇16第三章 项目总论18一、 项目名称及项目单位18二、 项目建设地点18三、 可行性研究范围18四、 编制依据和技术原则19五、 建设背景、规模20六、 项目建设进度21七、 环境影响21八、 建设投资估算2

2、1九、 项目主要技术经济指标22主要经济指标一览表22十、 主要结论及建议24第四章 背景、必要性分析25一、 湿法清洗是主流清洗技术路线25二、 芯片良率的重要保障，半导体清洗设备国产替代正当时28三、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节，是芯片良率重要保障29四、 聚焦扩大内需，在新发展格局中展现新作为30五、 聚焦实体经济，加快构建现代产业体系33第五章 建筑技术方案说明38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第六章 产品规划方案42一、 建设规模及主要建设内容42二、 产品规划方案及生产纲领42产品规划方案一览表42第七章 项目选址可

3、行性分析44一、 项目选址原则44二、 建设区基本情况44三、 激发各类市场主体活力48四、 项目选址综合评价49第八章 发展规划50一、 公司发展规划50二、 保障措施51第九章 法人治理53一、 股东权利及义务53二、 董事55三、 高级管理人员59四、 监事62第十章 SWOT分析说明64一、 优势分析（S）64二、 劣势分析（W）65三、 机会分析（O）66四、 威胁分析（T）67第十一章 原辅材料分析75一、 项目建设期原辅材料供应情况75二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理75第十二章 组织机构及人力资源配置76一、 人力资源配置76劳动定员一览表76二、 员工技能培训76第十三

4、章 节能分析79一、 项目节能概述79二、 能源消费种类和数量分析80能耗分析一览表80三、 项目节能措施81四、 节能综合评价82第十四章 项目规划进度83一、 项目进度安排83项目实施进度计划一览表83二、 项目实施保障措施84第十五章 劳动安全生产分析85一、 编制依据85二、 防范措施88三、 预期效果评价93第十六章 投资估算及资金筹措94一、 编制说明94二、 建设投资94建筑工程投资一览表95主要设备购置一览表96建设投资估算表97三、 建设期利息98建设期利息估算表98固定资产投资估算表99四、 流动资金100流动资金估算表101五、 项目总投资102总投资及构成一览表102六

5、、 资金筹措与投资计划103项目投资计划与资金筹措一览表103第十七章 项目经济效益105一、 基本假设及基础参数选取105二、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表107利润及利润分配表109三、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表111四、 财务生存能力分析113五、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114六、 经济评价结论115第十八章 项目招投标方案116一、 项目招标依据116二、 项目招标范围116三、 招标要求117四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十九章 项目综合评价说明122第二十章 补充表格123营业收

6、入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建设投资估算表129建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134报告说明清洗步骤是芯片良率的重要保障，单片成为先进制程清洗设备的主流发展趋势：为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响，在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗，还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗，清洗贯穿硅片制造、晶圆制造、芯片封装各环节

7、。根据清洗的介质不同，清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种，湿法清洗技术是目前市场上的主流清洗方法。根据结构，清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等，单片清洗具备良率高的优点，槽式清洗具备效率高的优点，单片清洗在先进工艺中逐步取代槽式清洗成为主流。根据东京电子的预测，预计未来单片清洗将占据主要份额。根据谨慎财务估算，项目总投资21676.06万元，其中：建设投资17696.04万元，占项目总投资的81.64%；建设期利息193.44万元，占项目总投资的0.89%；流动资金3786.58万元，占项目总投资的17.47%。项目正常运营每年营业收入40800.0

8、0万元，综合总成本费用32400.52万元，净利润6144.66万元，财务内部收益率22.30%，财务净现值11261.44万元，全部投资回收期5.39年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xxx集

9、团有限公司2、法定代表人：江xx3、注册资本：1250万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2013-4-157、营业期限：2013-4-15至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事半导体清洗设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区

10、域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业

11、核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技

12、术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额8787.637030.106590.72负债总额2702.212161.772026.66股东权益合计6085.424868.3

13、44564.07公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入24674.1419739.3118505.60营业利润4076.923261.543057.69利润总额3835.753068.602876.81净利润2876.812243.912071.30归属于母公司所有者的净利润2876.812243.912071.30五、 核心人员介绍1、江xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董

14、事、副总经理、总工程师。2、万xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。3、马xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、魏xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。5、毛xx，中国

15、国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。6、贾xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。7、汤xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任x

16、xx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。8、邵xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨加强经济合作和技术交流，采用先进适用的科学技术和科学经营管理方法，提高产品质量，发展新产品，并在质量、价格等方面具有国际市场上的竞争能力，提高经济效益，使投资者获得满意的利益。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方

17、案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的

18、研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第二章 市场分析一、 半导体市场景气高涨，资本开支上行带动设备市场高成长在5G、物联网、汽车电子、云计算等需求的带动下，半导体市场需求持续增长。2020年尽管受到疫情的影响，全球半导体市场规模依然同比增长6.8%，达到了4404亿美元，预计2021年、2022年全球半导体市场规模分别为52

19、72亿美元、5734亿美元，同比分别增长19.7%、8.8%。从分地区来看，亚太市场规模增速高于全球平均，分别为23.5%、9.2%，在全球市场的占比分别为63%、64%。半导体厂商的资本开支提高将带动设备市场规模高成长，根据SEMI统计，全球半导体设备市场规模从2013年的318亿美元增长至2020年的712亿美元，年复合增长率达12.21%，2020年实现同比增长19.15%。预计2021年全球半导体设备市场规模将增至953亿美元，同比增长33.85%，并于2022年超过1000亿美元。另外，中国的半导体设备销售额从2013年的33亿美元增长至2020年的187亿美元，年复合增长率高达27

20、.70%，远超全球市场增速。二、 先进工艺为清洗设备增添新增长机遇除了受益于半导体行业景气周期上行，半导体工艺升级也将为清洗设备带来新增长机遇，随着芯片先进制程的进步以及芯片结构的复杂化，清洗设备市场有望量价提升。随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高，清洗的步骤大幅提高。90nm的芯片清洗工艺约90道，到了20nm清洗工艺达到215道。随着芯片进入16nm以及7nm以下，清洗工艺的道数将会加速增长。另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术

21、路线图预测，当工艺尺寸到达14nm后，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。3DNAND制造工艺中，主要是将原来2DNAND中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列，通过增加立体层数，解决平面上难以微缩的工艺问题，堆叠层数也从32层、64层向128层发展。3D存储技术的提升，在清洗晶圆表面的基础上提出了更高的要求，即在无损情况下清洗立体内部沾污，对清洗设备提出了更高的要求，清洗设备的单台价值将不断上升。第三章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称：漳州半导体清洗设备项目项目单位：xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于

22、xxx（以选址意见书为准），占地面积约60.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家建设方

23、针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）技术原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装

24、置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模（一）项目背景半导体厂商的资本开支提高将带动设备市场规模高成长，根据SE

25、MI统计，全球半导体设备市场规模从2013年的318亿美元增长至2020年的712亿美元，年复合增长率达12.21%，2020年实现同比增长19.15%。预计2021年全球半导体设备市场规模将增至953亿美元，同比增长33.85%，并于2022年超过1000亿美元。另外，中国的半导体设备销售额从2013年的33亿美元增长至2020年的187亿美元，年复合增长率高达27.70%，远超全球市场增速。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积40000.00（折合约60.00亩），预计场区规划总建筑面积72041.10。其中：生产工程45390.24，仓储工程15172.92，行政办公及生活服务设施7

26、798.74，公共工程3679.20。项目建成后，形成年产xxx套半导体清洗设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目污染物主要为废水、废气、噪声和固废等，通过污染防治措施后，各污染物均可达标排放，并且保持相应功能区要求。本项目符合各项政策和规划，本项目各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小。从环境保护角度，本项目建设是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设

27、期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资21676.06万元，其中：建设投资17696.04万元，占项目总投资的81.64%；建设期利息193.44万元，占项目总投资的0.89%；流动资金3786.58万元，占项目总投资的17.47%。（二）建设投资构成本期项目建设投资17696.04万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用14788.08万元，工程建设其他费用2512.62万元，预备费395.34万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入40800.00万元，综合总成本费用32400.52万元，纳税总额3976.54万

28、元，净利润6144.66万元，财务内部收益率22.30%，财务净现值11261.44万元，全部投资回收期5.39年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积40000.00约60.00亩1.1总建筑面积72041.101.2基底面积25200.001.3投资强度万元/亩273.442总投资万元21676.062.1建设投资万元17696.042.1.1工程费用万元14788.082.1.2其他费用万元2512.622.1.3预备费万元395.342.2建设期利息万元193.442.3流动资金万元3786.583资金筹措万元21676.063.1自筹资金万元13

29、780.383.2银行贷款万元7895.684营业收入万元40800.00正常运营年份5总成本费用万元32400.526利润总额万元8192.887净利润万元6144.668所得税万元2048.229增值税万元1721.7210税金及附加万元206.6011纳税总额万元3976.5412工业增加值万元13335.6513盈亏平衡点万元15840.07产值14回收期年5.3915内部收益率22.30%所得税后16财务净现值万元11261.44所得税后十、 主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益

30、发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。第四章 背景、必要性分析一、 湿法清洗是主流清洗技术路线根据清洗的介质不同，清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种。湿法清洗是指利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物，通过腐蚀、溶解、化学反应等方法，使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落，以获得满足洁净度要求的硅片。干法清洗是指不依赖化学试剂的清洗技术，包括等离子体清洗、气象清洗等。晶圆制

31、造产线上通常以湿法清洗为主，是目前市场上的主流清洗方法。湿法清洗采用液体化学试剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法和单晶片清洗等。1)RCA通用清洗法：RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。2)化学稀释法：在RCA清洗的基础上，对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀释APMSC2

32、混合物（1:1:50）可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物（1:1:60）和稀释HCI（1:100）在清除金属时可以像标准SC2液体一样有效。采用稀释HCI溶液的另外一个优点是，在低HCI浓度下颗粒不会沉淀。采用稀释RCA清洗法可以使全部化学品消耗减少86%。稀释SC1,SC2溶液及HF补充兆声搅动后，可以降低槽中溶液使用温度，并优化了各种清洗步骤的时间，因此导致槽中溶液寿命加长，使化学品消耗量减少80-90%。实验证明采用热的UPW代替凉的UPW可以使UPW消耗量减少75-80%。此外，多种稀释化学液体由于低流速或清洗时间的要求可大大节约冲洗用水。3)IMEC清洗法

33、：第一步，去除有机污染物，生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物。第二步，去除氧化层，同时去除颗粒和金属氧化物。Cu,Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程，在光照条件下，铜的表面沉积速度加快。第三步，在硅表面产生亲水性，以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通常采用稀释HCL/O3混合物，在低pH值下使硅表面产生亲水性，同时避免再发生金属污染，并且在最后冲洗过程中增加HNO3的浓度以减少Ca表面污染。4)单晶片清洗：大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法。其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3/DHF清洗液

34、，臭氧化的DI水（DI-O3）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化的DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。干法清洗采用气相学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法，清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室，反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空

35、抽去。在CI包容环境中退火是一种典型的热氧化过程，在氧化炉中进行，氩（Ar）溅射通常在溅射淀积前现场进行。干法清洗的优点在于清洗后无废液，可有选择性的进行局部处理。另外，干法清洗蚀刻的各向异性有利于细线条和几何特征的形成。但气相化学法无法有选择性的只与表面金属污染物反应，都不可避免的与硅表面发生反应。各种挥发性金属混合物蒸发压力不同，在低温下各种金属挥发性不同，所以在一定的温度、时间条件下，不能将所有金属污染物完全去除，因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。实验证明，气相化学法可按要求的标准减少的金属污染物有铁、铜、铝、锌、镍等，另外，钙在低温下采用基于CL离子的化学法也可有效挥发。工艺过程中通常

36、采用干、湿法相结合的清洗方式。二、 芯片良率的重要保障，半导体清洗设备国产替代正当时清洗步骤是芯片良率的重要保障，单片成为先进制程清洗设备的主流发展趋势：为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响，在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗，还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗，清洗贯穿硅片制造、晶圆制造、芯片封装各环节。根据清洗的介质不同，清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种，湿法清洗技术是目前市场上的主流清洗方法。根据结构，清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等，单片清洗具备良率高的优点，槽式清洗具备效率高的优点，单片清洗在先进工艺中逐步取代槽式清洗成

37、为主流。根据东京电子的预测，预计未来单片清洗将占据主要份额。日系巨头领跑全球，国产替代进展顺利：从竞争格局来看，全球半导体清洗设备高度集中于日本、美国、韩国等企业。根据Gartner数据，全球半导体清洗设备行业的龙头企业主要是迪恩士(DainipponScreen)、东京电子(TEL)、韩国SEMES、拉姆研究（LamResearch）等，其中迪恩士处于绝对领先地位，2020年占据了全球半导体清洗设备45.1%的市场份额，东京电子、SEMES和拉姆研究分别占据约25.3%、14.8%和12.5%。国内厂商主要包括至纯、盛美、北方华创、芯源微等，在全球市场规模占比较小，在国内市场占比处于快速提高

38、状态。根据中国国际招标网信息，从2019年2021年H1中国主流晶圆厂清洗设备招标采购份额来看，我国半导体清洗设备的国产化率已经维持在10%20%，属于国产化突破较快的设备。目前，国内厂商如至纯、盛美、北方华创已经具备28nm制程清洗设备能力，产品性能比肩国际主流，具备进口替代能力，能满足大陆晶圆厂的扩产需求，清洗设备国产替代迎快速发展期。三、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节，是芯片良率重要保障清洗是半导体制程的重要环节，也是影响半导体器件良率的最重要的因素之一。清洗是晶圆加工制造过程中的重要一环，为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响，在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗，还需要在几乎所有的

39、制程前后都进行频繁的清洗，在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程工艺中均为必要环节。1)硅片制造过程中，经过抛光处理后的硅片，需要通过清洗过程来确保其表面的平整度和性能，进而提升在后续工艺中的良率。2)晶圆制造过程中，晶圆经过光刻、刻蚀、离子注入、去胶、成膜以及机械抛光等关键工序前后都需要进行清洗，以去除晶圆沾染的化学杂质，减少缺陷率，提高良率。3)芯片封装过程中，芯片需要根据封装工艺进行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸点底层金属/薄膜再分布技术)清洗以及健合清洗等。硅片在进入每道工序之前表面必须是洁净的，需经过重复多次的清洗步骤，除去表面的污染物。芯片制造需要在无尘室中进行，在芯

40、片的制造过程中，任何的沾污现象都将影响芯片上器件的正常功能。沾污杂质具体指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率以及电学性能的物质。具体的沾污物包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等，此类污染物包括从环境、其他制造工艺、刻蚀副产物、研磨液等。上述沾污杂质如果不及时清理均可能导致后续工艺的失败，导致电学失效，最终会造成芯片报废。清洗步骤数量是芯片制造工艺步骤占比最大的工序，约占所有芯片制造工序步骤的30%以上。伴随半导体制造技术节点的进步，清洗工序的数量和重要性将继续提高。在半导体芯片工艺技术节点进入28nm、14nm以及更先进等级后，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现

41、象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的高效清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过200道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。四、 聚焦扩大内需，在新发展格局中展现新作为牢牢把握扩大内需这个战略基点，紧紧扭住供给侧结构性改革这条主线，注重需求侧管理，形成需求牵引供给、供给创造需求的更高水平动态平衡。（一）更加高效融入国内大循环坚持把实施扩大内需战略同深化供给侧结构性改革有机结合起来，注重依托国内市场，加强系统整体谋划，完善扩大内需政策体系，破除生产要素和商品服务流通的障碍，打通制约经济循环的堵点，推动生产、分配、流通、消费

42、体系优化升级。注重发挥我市产业基础较为扎实的优势，坚持标准引领、品牌建设和科技创新，推进产业转型升级，不断优化供给结构，改善供给质量，做优打响“漳州产”“漳州味”品牌，推动金融、房地产同实体经济均衡发展，提升供给体系对国内需求的适配性，争取更大市场份额。注重健全完善物流体系，推进综合性物流园区建设，提升商贸流通设施，搭建跨部门综合服务平台，构建生产、运输、仓储、流通、配送、服务全链条流通体系，促进产供销有效衔接，打造区域性物流节点城市。（二）促进国内外市场顺畅对接充分利用国内国际两个市场两种资源，推动内需与外需、出口与进口、吸引投资与对外投资协调发展。推进内外贸一体化，实施内外销产品同线同标同

43、质工程，支持重点外贸企业融入国内产业链供应，支持企业建立海外仓、销售中心、研发中心等营销网络，提升出口质量，扩大优质产品和服务进口。畅通跨境电商物流体系，争取将中国（漳州）跨境电子商务综合试验区建设成为服务外需的重要节点，促进“买全球、卖全球”，融合市场采购点和公共保税仓等平台，打造一批跨境电商综合园区，扩大跨境电商出口交易规模。推进投资贸易融合，主动融入“海丝”核心区建设，加强与东盟国家港口、物流和临港产业的合作，打造“丝路航运”重要节点。发挥民营企业家开拓市场、畅通循环主力军作用，用好侨资侨智作为经贸合作、融通内外的桥梁纽带，让更多高端资源要素汇聚漳州，让更多漳州产品和服务走向全国、走向世

44、界。（三）推动消费扩容提质实施增品种、提品质、创品牌战略，开展“消费升级四大行动”，增强消费对经济增长的基础性作用。重点发展夜间消费，以漳州古城、闽南老家、闽南水乡项目为牵引，充分挖掘各地消费活力聚集区，传承闽南文化，彰显生态优势，因地制宜发展文化演艺、旅游观光、教育培训、体育健身、餐饮购物、休闲娱乐、展览展销等夜间经济；培育新型消费，打造一批线上线下融合的信息消费体验中心，发展直播带货、社交、短视频、“云逛街”“云购物”等新业态新模式，推动互联网与家政、教育、养老、育幼等领域深度融合；鼓励健康消费，积极引进国内外著名健身健康服务机构，建设一批体育健康社区和健康管理中心；升级传统消费，鼓励汽车

45、和家电消费，加快新能源汽车在城市公共交通领域推广应用，构建农村三级物流网络。落实带薪休假制度，扩大节日消费。强化消费领域企业和个人信用体系建设，打造安全放心消费环境。（四）积极拓展投资空间实施新一轮扩大有效投资行动，发挥投资对优化供给结构的关键性作用。深化“五个一批”项目推进和全过程管理机制，大力推进“两新一重”领域重大工程，持续补齐基础设施、市政工程、农业农村、生态环保、公共安全、物资储备、防灾减灾、民生保障等领域短板。围绕“三大三新”产业布局，扩大先进制造业、战略性新兴产业、生产性服务业的投资，推动企业设备更新和技术改造，推进一批强基础、增功能、利长远的重大项目。完善扩大有效投资正向激励机

46、制，深化投融资体制改革，推动审批代办制等投融资创新，探索政府投资新模式，激发民间投资活力，推进融资多元化。五、 聚焦实体经济，加快构建现代产业体系坚持把制造业高质量发展作为主攻方向，旗帜鲜明、坚持不懈、久久为功“大抓工业、抓大工业”，透过工业促全局，推进一二三产业融合发展，促进产业结构优化升级，提高经济质量效益和核心竞争力。（一）做大做强“三大三新”产业围绕建设工业新城，推动“大抓工业、抓大工业”体制机制固化优化常态化，加快实施工业（产业）园区标准化建设，推动产业向园区集聚，坚持推动传统产业转型升级和发展壮大战略性新兴产业两手齐抓，持续强链补链延链，推进强龙头重引领专项行动，实施企业技术改造专项行动，加快发展大石化、大健康、大装备和新一代信息技术、新材料、新能源“三大三新”产业，力争到二二五年规模工业总产值突破一万亿元。大石化产业突出以建设古雷世界一流绿色生态石化基地为依托，加快打造大炼油、大乙烯、大芳烃、大仓储全产业链条，重点发展“三烯三苯”产业，加快炼化一体化、中沙乙烯等龙