黄山平板显示靶材项目商业计划书范文参考.docx

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1、泓域咨询/黄山平板显示靶材项目商业计划书黄山平板显示靶材项目商业计划书xxx投资管理公司目录第一章 项目基本情况9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位9四、 项目建设选址10五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划12十一、 项目综合评价12主要经济指标一览表13第二章 项目建设背景、必要性15一、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展15二、 靶材在平板显示中的应用18三、 供给：日企占据国内市场主导地位，国产替代逐

2、渐提速20四、 进一步扩大有效投入24五、 突出创新驱动，在建设创新型黄山上取得更大突破25第三章 行业、市场分析29一、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲29第四章 项目建设单位说明32一、 公司基本信息32二、 公司简介32三、 公司竞争优势33四、 公司主要财务数据34公司合并资产负债表主要数据34公司合并利润表主要数据34五、 核心人员介绍35六、 经营宗旨36七、 公司发展规划37第五章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事45三、 高级管理人员50四、 监事53第六章 发展规划分析55一、 公司发展规划55二、 保障措施61第七章 运营模式63一、 公司经营宗旨63二

3、、 公司的目标、主要职责63三、 各部门职责及权限64四、 财务会计制度67第八章 SWOT分析说明71一、 优势分析（S）71二、 劣势分析（W）72三、 机会分析（O）73四、 威胁分析（T）73第九章 创新驱动77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理80四、 创新发展总结81第十章 风险评估分析82一、 项目风险分析82二、 公司竞争劣势85第十一章 建筑工程技术方案86一、 项目工程设计总体要求86二、 建设方案86三、 建筑工程建设指标89建筑工程投资一览表90第十二章 产品方案分析92一、 建设规模及主要建设内容92二、 产品规划方案及生产纲领92产品

4、规划方案一览表92第十三章 项目规划进度94一、 项目进度安排94项目实施进度计划一览表94二、 项目实施保障措施95第十四章 投资计划方案96一、 编制说明96二、 建设投资96建筑工程投资一览表97主要设备购置一览表98建设投资估算表99三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十五章 经济效益及财务分析107一、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表108固定资产折旧

5、费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表112二、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114三、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116第十六章 项目综合评价说明118第十七章 补充表格120营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表120固定资产折旧费估算表121无形资产和其他资产摊销估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还本付息计划表125建设投资估算表126建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131报告说明根据谨

6、慎财务估算，项目总投资12645.67万元，其中：建设投资9989.29万元，占项目总投资的78.99%；建设期利息111.37万元，占项目总投资的0.88%；流动资金2545.01万元，占项目总投资的20.13%。项目正常运营每年营业收入25000.00万元，综合总成本费用19670.62万元，净利润3897.56万元，财务内部收益率24.40%，财务净现值7876.83万元，全部投资回收期5.24年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全

7、球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产

8、品也具有巨大的市场空间。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目基本情况一、 项目定位及建设理由钼溅射靶材作为OLED显示屏中的关键核心原材料，预计未来会有较快幅度的增长，据DSCC测算，到2025年，中国大陆的Gen6OLED产线将消耗约248Ton高纯Mo。钼靶及其合计靶材作为OLED阴极常用材料，通常来看是OLED屏幕使用最多的靶材原料，2019年之前，钼溅射靶材由国外供应商独家供应，国产化率极低，钼靶原材料的瓶颈也阻碍这我国OLED显示行业的发展。但近年来，金钼股份等国内企业已突破了钼溅射靶材

9、行业壁垒。二、 项目名称及建设性质（一）项目名称黄山平板显示靶材项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目三、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx投资管理公司（二）项目联系人卢xx（三）项目建设单位概况公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业

10、协同发展。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。四、 项目建设选址本期项目选址位于xxx，占地面积约24.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后，形成年产xx吨平板显示靶材的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积30413.

11、14，其中：生产工程21155.90，仓储工程4910.98，行政办公及生活服务设施2761.68，公共工程1584.58。七、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资12645.67万元，其中：建设投资9989.29万元，占项目总投资的78.99%；建设期利息111.37万元，占项目总投资的0.88%；流动资金2545.01万元，占项目总投资的20.13%。（二）建设投资构成本期项目建设投资9989.29万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用8788.13万元，工程建设其他费用991.9

12、9万元，预备费209.17万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资12645.67万元，其中申请银行长期贷款4545.83万元，其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：25000.00万元。2、综合总成本费用（TC）：19670.62万元。3、净利润（NP）：3897.56万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.24年。2、财务内部收益率：24.40%。3、财务净现值：7876.83万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划12个月。十一、

13、项目综合评价该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积16000.00约24.00亩1.1总建筑面积30413.141.2基底面积10080.001.3投资强度万元/亩408.062总投资万元12645.672.1建设投资万元9989.292.1.1工程费用万元8788.132.1.2其他费用万元991.992.1.3预备费万元209.172.2建设期利息万元111.372.3流动资金万元2545.013资金筹措万元12645.673.1自筹资金万元8099.843

14、.2银行贷款万元4545.834营业收入万元25000.00正常运营年份5总成本费用万元19670.626利润总额万元5196.757净利润万元3897.568所得税万元1299.199增值税万元1105.2410税金及附加万元132.6311纳税总额万元2537.0612工业增加值万元8615.6313盈亏平衡点万元9475.21产值14回收期年5.2415内部收益率24.40%所得税后16财务净现值万元7876.83所得税后第二章 项目建设背景、必要性一、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到

15、12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1：大尺寸大尺寸是靶材

16、的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用，

17、常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大

18、的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3：高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。在下游应用领域中，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射

19、靶材的纯度密切相关，为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需要的溅射靶材纯度不断攀升，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内，美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒，依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位，议价能力强，国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发，近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破，已开始逐步实现国产替代。二、 靶材在平板显示中的应用若根据工艺的不同，FPD行业用靶材

20、也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射用靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等材料。IGZO为TFT激活层，一般用于手机LTPOOLED技术和大尺寸OLED技术。IGZO也可以被用于LCD的制造和X-ray探测器的制造。在国内的LCD生产中，BOEB18和B19用IGZO作为TFT激活层。在老旧产线中，京东方也利用IGZO来替代a-Si以生产精度更高的X-ray探测器。ITO和IZO为透明导电电极。其中ITO被广泛的运用于OLED和LCD的制造中，而IZO时而会被用于顶发射OLED的阴极来使用。Cu、Al、Mo和Ti等金属则做为金属走线，被广泛的运用于Array的TFT生产中，其中钼或者

21、合金材料靶材常作为OLED器件的阴极使用，此外铝靶也可作为阴极使用。蒸镀用靶材一般为Ag和Mg两种金属。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板产线中的阴极制作。除此以外，Ag也可以作为顶发射OLED器件中的阳极反射层使用。其中薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术，金属溅射靶材则是制造TFT-LCD过程中最关键的材料之一。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有轻薄、功耗低、成本低等优点，目前TFT-LCD大约占80%以上的显示面板市场份额。这类显示面板是由大量的液晶显示单元阵列组成(如4K分辨率的屏幕含有800多万个显示单元阵列)，而每一个液晶显示单元，都由一个

22、单独的薄膜晶体管(TFT)所控制和驱动。薄膜晶体管阵列的制作原理，是在真空条件下，利用离子束流去轰击固体，使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上，经过反复多次的“沉积+刻蚀”，一层层(一般为712层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体，即用溅射法沉积薄膜的原材料，就被称作溅射靶材。除LCD外，近年来快速发展的OLED面板产业靶材需求增长也十分明显。OLED典型结构是在氧化铟锡（ITO）玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料，ITO透明电极作为器件的阳极，钼或者合金材料作为器件的阴极。从阴阳2极分别注入电子和空穴，在一定电压驱动下，被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光

23、层并复合，形成激子并使发光分子产生单态激子，单态激子衰减发光。平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡（ITO）靶材，部分平板显示企业也会用到钛靶、钽靶、铌靶、铬靶以及银靶等。其中钼靶材和ITO靶材合计需求占比在60%70%左右。但由于各家企业所采用的溅射工艺不同，其所选的溅射靶材也有区别。如，京东方用铜靶、铝靶、钼靶和钼铌靶，韩国三星用钽靶、钛靶，但不用钼铌靶，中电熊猫用钛靶，但不用钼靶、钽靶等。以8.5代液晶显示面板生产线为例，一条8.5代线每年靶材的大致消耗120套铝靶、110套铜靶、60套钼靶、5套钼铌10靶。此外据新材料产业新型显示产业的ITO靶材市场探讨，目前国内单条

24、8.5代线ITO靶材年需求量约40吨，6代线ITO靶材年需求量约20吨。三、 供给：日企占据国内市场主导地位，国产替代逐渐提速我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，但国产替代逐渐提速。当前该领域竞争格局以攀时、世泰科、贺利氏、爱发科、住友化学、JX金属等为代表的国外少数几家跨国集团占据主导地位，其中攀时、世泰科等厂商是全球钼靶材的主要供应商，住友化学、爱发科等厂商占据了全球铝靶材的大部分市场，三井矿业、JX金属、优美科等厂商是全球ITO靶材的主要供应商，爱发科、JX金属等厂商是全球铜靶材的主要供应商。国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、有研新材、先导稀材为主，国产替代正逐

25、渐加速。铝靶：目前国内液晶显示行业用铝靶材主要被日资企业主导，由于价格较低，是平板显示行业常用的溅射靶材，但近年来正逐步被铜靶所替代。外企方面：爱发科电子材料(苏州)有限公司大约占据国内50%左右的市场份额。其次，住友化学也占有一部分市场份额。国产方面:江丰电子从2013年左右开始介入铝靶材，目前已大批量供货，是国产化铝靶材的龙头企业。另外，南山铝业、新疆众和等企业也具备高纯铝的生产能力铜靶：从溅射工艺的发展趋势上来讲，对铜靶材的需求比例一直在逐步增加，加之，近几年国内液晶显示行业的市场规模整体上有所扩大，因此，平板显示行业对铜靶材的需求量将继续呈上升趋势。外企方面:爱发科电子材料(苏州)有限

26、公司几乎垄断着国内铜靶材市场，市场占有率在80%以上，且该公司近几年营收的增加额，主要来自于铜靶材销量的增加。国产方面:有研新材具备高纯铜原料生产能力，但目前主要致力于半导体行业用圆形靶材生产，对液晶显示行业铜靶仅有500吨产能;洛铜集团具备高纯铜生产能力但不生产靶材，且高纯铜原料价格和进口原料相比，在价格方面无明显竞争优势;江丰电子引进海外高端人才，致力于开发高纯铜原料和铜靶材，即将批量生产。钼靶：钼靶材国内需求占全球超过一半，国产化率约有50%。钼靶具体可分为条靶、宽靶和管靶3种，其中，4.5代、5.5代和6代线一般使用宽幅钼靶，而8.5代及以上世代线用使用组合条靶或管靶。外企方面:国外的

27、奥地利攀时、德国世泰科、日本爱发科等企业已基本退出了这部分市场。国产方面:国内钼靶材企业主要集中在洛阳地区，其中，隆华节能下属的洛阳高新四丰电子材料有限公司占据了国内60%多的市场份额，另外，洛阳高科钼钨材料有限公司占据了国内大约10%左右的市场份额。宽幅钼靶:外企方面:国外的攀石、世泰科等企业在国内宽幅钼靶材市场占据较大市场。国产方面:四丰电子大尺寸宽幅钼靶已经开始批量供货；阿石创和金钼股份两家上市公司也充分利用各自在宽幅靶材轧制和靶材加工及销售方面的优势开展紧密合作，金钼股份向阿石创销售宽幅钼靶坯和条形钼靶坯(条形靶坯由宽幅靶坯切割而成)，阿石创负责后续绑定等工序和成品销售工作。钼管靶：每

28、条8.5代线对钼管靶的需求量约为30吨/年。钼管靶8.5代线及以上常用钼靶，每套包含12根，每根单重约为300kg，每套重量约为3600kg。由于钼管靶的实际利用率约为70%，因此，每套钼管靶的成膜重量约为2500kg。每条8.5代线对钼管靶的需求量约为30吨/年。另外，钼管靶的供应商，除了要通过其面板生产企业的认证外，还要通过钼管靶溅射设备生产商美国AKT公司的认证，并且要被收取钼管靶售价约5%的认证费。截止2017年底，国内采用管靶溅射设备的生产线只有1条，业内也普遍认为钼管靶的发展空间并不大。钼铌10合金靶。西部材料下属西安瑞福莱钨钼有限公司和爱发科公司合作，经多次试验攻关，已于2017

29、年成功轧制出了氧含量小于1000106，致密度达99.3%的Mo-Nb合金靶坯。此外金钼集团也已实现高纯大尺寸钼铌管状靶材顺利交付，攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题，掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。经第三方机构检测，制备出的钼铌合金靶材各项指标达到要求。在此基础上，项目组又承接了用户管状靶材的订购需求，顺利交付了3套高纯大尺寸钼铌合金管状靶材，且品质优良。钼铌合金管状靶材直径大于150毫米、长度达到2100毫米，纯度可达99.99%，氧含量小于500ppm。ITO靶材：ITO靶材是由90%的氧化铟与10%的氧化锡配比而成，相对密度要求大于99.5%。目前全球铟消耗量中40

30、%50%以上是用于制备加工ITO靶材。外企方面：全球ITO靶材市场主要供应商有日矿金属、三井矿业、优美科等，其中日矿和三井几乎占据了高端TFT-LCD市场用ITO靶材的全部份额和大部分触摸屏面板市场,爱发科也有相关产品，东曹、日立、住友、VMC、三星、康宁等企业也掌握核心技术。目前中国ITO靶材供应约一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场，约占国内市场30%的份额；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO靶材几乎全部从日本、韩国进口。国产方面：近年来，国内多家厂商宣布进入ITO靶材领域，但实际量产和导入并不顺利，也尚未实现批量供应。据集微网调研，目前国内有能力量产并供货的IT

31、O靶材厂商有先导稀材，其ITO靶材产能预计已经达1100吨/年（清远200吨LCD用ITO靶材，100吨5G手机ITO靶材，合肥800吨），隆华科技全资子公司晶联光电的ITO靶材产能已经达到100吨/年，且在建200吨/年，映日科技的ITO靶材产能已经达到120吨/年，戊电科技的ITO靶材产能已经达到50吨/年等，而阿石创ITO靶材产能实际占比较小。近年来部分国内企业目前也已通过相关认证，在下游市场得到较为广泛的应用。国内的靶材厂商都正在不断提升技术工艺和生产设备，努力通过TFT-LCD试镀测试打开高端OLED显示领域的大门。四、 进一步扩大有效投入投资仍是新阶段拉动黄山发展的主动力，动态优化

32、重大项目谋划储备库，做深做实项目前期工作，确保新增项目不断档、有效投资再提速。着力扩大产业投资尤其是工业投资，千方百计引进牵动性强、成长性好的工业项目，推动新一轮以智能化改造为重点的技改升级，支持企业设备更新和技术改造，发挥好投资对优化供给结构和产业结构的关键作用。把国家政策导向与黄山实际需求结合起来，在基础设施、新型城镇化、市政工程、农业农村、公共安全、生态环保、公共卫生、物资储备、防灾减灾、民生保障等领域谋划实施一批重点项目。抓住大交通改善历史性机遇，把招商引资作为重中之重来抓，加强与长三角、京津冀、环渤海、珠三角等重点区域交流合作，积极承接北京非首都功能疏解，深度参与长三角产业链供应链补

33、链强链扩链行动，提升黄山发展大会开放平台效益，深化与央企国资、高端外资、优质民资合作，尤其是把握上海产业外溢态势，持续推进精准招商、产业链招商、基金招商和以商招商，创新招商引资工作机制和政策体系，不断在引进国际国内500强、上市公司、“独角兽”等企业上取得新突破。发挥政府投资撬动作用，用足地方政府专项债券政策，完善政府与社会资本合作机制，持续激发民间投资活力。强化领导干部项目工作意识，落实“四督四保”“三个走”“集中开工”“双进双产”等机制，推行集中会商、比照沪苏浙案例审批、容缺受理、重大项目要素“周转池”等制度，显著提升项目投资工作效能。五、 突出创新驱动，在建设创新型黄山上取得更大突破坚持

34、创新在现代化建设全局中的核心地位，落实科技强国行动纲要，深入实施科教兴市、人才强市、创新驱动发展战略，强化“科创+”，到“十四五”末高新技术产业增加值明显提升，全社会研发投入占GDP比重超过2%，塑造更多依靠创新驱动的引领型发展。（一）全面提升创新能力拓展思路下好创新先手棋，积极融入全面创新改革试验省建设，扎实推进创新型城市建设。加强应用研究和集成创新，实施科技创新能力提升工程，围绕主导产业实施科技研发、产业化和应用示范重大项目，促进创新链与产业链深度融合。找准定位主动融入长三角科技创新共同体建设，加强与G60科创走廊、杭州城西科创大走廊对接协作，完善创新投入和成果分享机制。实施创新创业平台建

35、设工程，加强与中科大、浙江大学、安徽大学等高校合作，引进高端孵化器运营商、大学科技园、众创空间来黄山布局，支持科技中介服务机构发展，促进更多创新成果转化落地。完善科技创新体制机制，推进科技项目和经费管理改革，强化知识产权创造、保护、运用、管理和服务，形成与创新型城市建设相适应的科技治理体系。加强科普工作，弘扬科学精神和徽匠精神，全面激发全社会创新创造活力。（二）强化企业创新主体地位优化高新技术企业培育发展机制，实施创新型中小微企业梯度培育计划，大力引进科技型创新企业，到“十四五”末高新技术企业总数超过300户，培育一批超10亿元的创新型领军企业和“专精特新”企业。支持龙头企业牵头联合高校、科研

36、院所组建创新联合体，支持企业新建工程实验室、工程研究中心、技术创新中心、企业技术中心、工业设计中心、制造业创新中心，加强共性技术平台建设，实现骨干企业创新平台全覆盖。发挥企业家在技术创新中的重要作用，落实企业研发费用加计扣除、高新技术企业所得税减免等政策，鼓励企业加大研发投入。（三）筑牢创新发展的人才支撑树立区域竞争实则人才竞争的理念，创新人才高质量发展体制，对标沪苏浙实施新阶段人才政策，加大人才引进考核力度，实现人才数量和质量双提升。聚焦主导产业和未来产业，着力引进高层次领军人才和创新创业团队，支持建设院士工作站、博士后工作站，对特殊人才引进“一事一议”。全面探索长三角一体化战略推进下人才流

37、动、使用和保障机制，建立健全柔性引才、企业自主认定人才、青年人才创新创业等支持性政策，为各类人才工作生活提供便捷服务。推进市“特支计划”、前沿技术创新团队、特色人才“亮剑行动”等重点人才工程遴选培育，激励各类人才围绕黄山发展重难点问题和关键性技术组织研发攻关。深入实施“徽州工匠”暨职业技能提升行动，推进徽匠振兴工程、世赛夺牌计划和就业技能民生工程，壮大高水平工程师和高技能人才队伍，建设技工强市。支持本地高校和职校加强学科建设，形成若干优势特色学科，显著提升毕业生本地就业率和稳定性。改革人才市场化评价机制，优化人才服务环境，提升人才在安居、医疗等基础性服务保障领域获得感。制定吸引黄山籍优秀旅外人

38、才带资本、带技术返乡创业支持政策，实施“徽商回归”工程。鼓励支持本地民众尤其是青年创新创业，积极投身特色种养、旅游开发、农业精深加工、传统工艺生产、文化创意设计、新经济等领域，培育创新创业团队和领军人物，完善政策支持体系，汇聚创新创业创造的强大动能。加强党委联系服务专家人才制度，实施优秀人才示范引领工程，营造尊重劳动、尊重知识、尊重人才、尊重创造的浓厚氛围。第三章 行业、市场分析一、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来，靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域，实现导电或阻挡等功能。2020

39、年全球靶材市场规模约188亿美元，我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看，四家日美巨头占据80%靶材市场，国内溅射靶材主要应用于中低端产品，国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代，技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移，预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元，21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展，其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面，日美厂商约占90%份额，但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得

40、突破，同时产能也在不断扩张，预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代，我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺，可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等，纯度和技术要求仅次于半导体，一般在4N甚至5N以上，但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升，预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元，21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看，我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，国内以隆华科技、江

41、丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主，国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启，靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池，纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展，预计25年我国市场规模将接近38亿美元，21-25年CAGR为56.1%。供给方面，由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，相关靶材企业也较少，多处起步阶段，其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大，此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬

42、靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低，且记录媒体研发重心主要在半导体存储，预计传统机械键盘成长空间有限，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。第四章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xxx投资管理公司2、法定代表人：卢xx3、注册资本：760万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-9-87、营业期限：2011-9-8至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事

43、平板显示靶材相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果

44、转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变

45、化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4992.203993.763744.15负债总额2566.502053.201924.88股东权益合计2425.7

46、01940.561819.27公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入10024.828019.867518.61营业利润2296.541837.231722.40利润总额2145.501716.401609.13净利润1609.131255.121158.57归属于母公司所有者的净利润1609.131255.121158.57五、 核心人员介绍1、卢xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。2、李xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、余xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司