南大光电:向不特定对象发行可转换公司债券募集资金使用的可行性分析报告.docx
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1、股票简称:南大光电 股票代码:300346.SZ 江苏南大光电材料股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券募集资金使用的可行性分析报告 2022年3月 为响应国家“专精特新”政策导向,加快磷烷砷烷、三氟化氮等全球单项冠军产品的建设步伐,探索中国电子材料低成本、高品质、可持续、绿色发展的新路子,进一步提升江苏南大光电材料股份有限公司(以下简称“南大光电” 或“公司”)的综合实力和核心竞争力,公司拟向不特定对象发行可转换公司债券(以下简称“可转债”)。公司对本次向不特定对象发行可转债(以下简称“本次发行”)募集资金使用的可行性分析如下: 一、本次募集资金使用计划 本次向不特定对象发行可转换公司债
2、券募集资金总额不超过 90,000.00 万元(含本数),扣除发行费用后的净额将用于以下方向: 单位:万元 序号 项目名称 总投资额 拟使用募集资金额 1 年产 45 吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目 11,000.00 7,000.00 2 年产 140 吨高纯磷烷、砷烷扩产及砷烷技改项目 10,000.00 8,000.00 3 乌兰察布南大微电子材料有限公司年产7200t电子级三氟化氮项目 100,000.00 50,000.00 4 补充流动资金 25,000.00 25,000.00 合计 146,000.00 90,000.00 本次募集资金投资项目中拟投入募集资金金额少于项
3、目投资总额部分将由公司以自有资金或者银行贷款等方式解决。 如果本次实际募集资金净额低于计划投入项目的募集资金金额,不足部分公司将通过自筹资金解决。在本次募集资金到位前,公司将根据自身发展需要利用自筹资金对募集资金投资项目进行先期投入,并在募集资金到位后予以置换。 二、本次募集资金投资项目的基本情况 (一)年产 45 吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目 1、 项目基本情况项目名称:年产 45 吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目实施主体:南大光电半导体材料有限公司建设地点:全椒县十字镇十谭产业园新城大道 117 号 建设内容:本项目总投资 11,000 万元,项目计算期共 15 年,其中建
4、设期 1 年,生产期 14 年。本次募投项目拟投资建设 1,1,1-三氯乙硅烷(3CDS)、三甲基铝(TMA)、新戊硅烷(NPS)以及三甲硅烷基胺(TSA)四种 14nm/7nm 先进制程半导体用前驱体产品产线,达产后形成共计每年 45 吨先进半导体前驱体产能。 2、 项目必要性 (1)半导体前驱体是集成电路制造的关键原材料 高纯前驱体产品是整个电子工业体系的核心原材料,它在国防军事工业、航空航天、芯片制造、新型太阳能电池、移动通讯及其他电子产品方面都有着极其广泛的应用。而在半导体领域,前驱体产品是集成电路制造中 ALD 和 CVD 薄膜沉积工艺的核心材料,是用于形成符合半导体制造要求的各类薄
5、膜层的核心原材料。薄膜沉积工艺是晶圆制造的三大核心工艺之一,半导体前驱体材料结合薄膜沉积工艺形成的各层薄膜是构成整个芯片微观结构的主要“骨架”,也是芯片结构的功能材料层。 随着半导体国产化战略的推进,下游晶圆厂不断扩产的背景下,以半导体前驱体材料为代表的半导体材料作为重要配套材料需要同步推进国产化研发和产线建设。同时,集成电路进入 40nm 以下制程后前驱体材料的重要性日益增加,先进制程发展对先进薄膜沉积技术提出了更高的要求,如集成电路 28nm 以下制程所需的高 K 金属栅极(HKMG)晶体管需要高 K 前驱体材料作为支撑,集成电路 14nm 以下支撑所需的鳍式场效应(FinFET)晶体管需
6、要能够填充 3D 高纵深比沟槽的前驱体材料来制造。因此,前驱体材料在半导体产业链国产化的进程中起到关键推动作用。 本次募投项目实施完毕后,南大光电将建成能够量产 4 种半导体先进制程用前驱体产品的生产线,实现国产先进制程前驱体材料的进口替代,有助于缓解国家在该领域面临的“卡脖子”困境。 (2)先进前驱体材料是行业领先制程所必备原材料集成电路 14nm 以下先进制程主要是用在手机、计算机等更新迭代快的领域。全球范围内,只有台积电、三星、英特尔、中芯国际、联华电子等少数几家逻辑芯片厂商在生产 14nm 以下芯片,且台积电、三星、英特尔已经在 7nm 及以下制程进行研发和产业化。因此,14nm 以下
7、集成电路制程是半导体行业领先制程,7nm以下制程更是目前业界制高点。 在攀登集成电路领域制程制高点的过程中,半导体前驱体材料起到不可忽视的作用,集成电路制程的不断升级对半导体前驱体材料提出了更高的要求。本次募投项目研发和产业化 14nm/7nm 前驱体材料在先进集成电路制造中具备更好的性能和更低的工艺成本,一方面可对业界现有的前驱体材料起到高性能替代作用,另一方面可提升国产晶圆制造厂在 14nm 以下集成电路制造工艺所需的半导体材料的自主可控性,加速实现先进集成电路芯片制造中关键原材料的国产化。 3、项目可行性 (1)公司具备多年前驱体材料研发和产业化经验 公司拥有长期高纯电子材料研发和产业化
8、经验,拥有丰富的高纯电子材料核心技术,在 MO 源、电子特气、光刻胶等高纯电子材料中均已取得行业领先的地位。其中,MO 源规模和品质均已居全球首位;砷烷磷烷在技术、品质、产能和销售各方面已跃居世界前列,进入国际一流公司供应链;三氟化氮产能即将突破 6,000t 大关,跃居国内第二、全球第三。同时,公司已组建了经验充足的研发团队,丰富的高纯电子材料研发和产业化经验为公司拓展半导体前驱体产品提供了坚实的基础。 具体到半导体前驱体材料方面,公司于 2016 年承担国家科技重大专项项目02 专项“ALD 金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”,并在2021 年 1 月完成项目验收,成功研发了
9、适合 20-14nm 产品工艺的低温-氮化硅 ALD 前驱体产品以及金属前驱体产品。公司目前已量产多种金属前驱体/硅前驱体、高 K/低 K 前驱体产品,产品已进入国内主要存储和逻辑芯片厂商,已是国内主要的前驱体生产商。 公司在国内半导体材料厂商中已占有一席之地,公司电子特气、光刻胶、半导体前驱体具备客户协同作用,已开拓丰富的半导体晶圆厂客户资源。公司此次拟拓展的新型前驱体材料的客户大部分已经包括在现有半导体客户群中,但新型前驱体材料更有利于公司打入国外和国内高端芯片制造商的供应链。 (2)本次产品研发具备自有专利技术支持 借助公司在前驱体领域积累的多年生产、研发经验和国家 02 专项“ALD
10、金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”项目的实施,公司已掌握多项成熟稳定的关键技术并申请了多项专利。近年来,公司在 28nm 和 14nmALD 前驱体技术研发和产业化上不断进步,先后有 7 款先进芯片制造工艺中使用的前驱体产品实现产业化。同时,公司于 2020 年向美国杜邦集团旗下 DDP 公司购买了新型硅前驱体相关专利组,其中 6 项为全球首发产品,涵盖一批可用于硅基半导体和介电薄膜化学气相沉积或原子层沉积的新型活性硅烷前驱体的化学组分、合成方法以及薄膜应用,可以满足高性能计算和低功耗需求的高级逻辑和存储器芯片制造要求,进一步增强了公司自身在先进制程前驱体领域的技术储备和研发实力
11、。 4、 项目经济效益分析 经测算,本项目静态投资回收期为 4.09 年,所得税税后项目财务内部收益率 36.5%,具有良好的经济效益。 5、 项目相关备案及审批情况 2020 年 11 月 17 日,滁州市经信局出具滁州市经信局项目备案表(项目代码:2020-341124-26-03-042506),计划竣工时间 2021 年。 2022 年 3 月 15 日,全椒县经信局出具全椒县经信局项目备案表(项目代码:2111-341124-07-01-144302)。计划竣工时间调整为 2022 年1。 2021 年 6 月 30 日,滁州市生态环境局出具关于的批复(滁环2021181 号)。 (
12、二)年产 140 吨高纯磷烷、砷烷扩产及砷烷技改项目 1 2022年 3月 16日,全椒县经信局出具证明,2021年 10月份起化工类项目备案权限由滁州市局下放至各县经信局,公司在项目建设中因疫情原因,工期延后。上述两个备案项目为同一项目。 1、 项目基本情况项目名称:年产 140 吨高纯磷烷、砷烷扩产及砷烷技改项目实施主体:全椒南大光电材料有限公司建设地点:全椒县十字镇十谭产业园新城大道 686-688 号 建设内容:本项目总投资 10,000 万元,项目计算期共 8 年,其中建设期 1 年,生产期 7 年。本项目通过扩产建设 2 条高纯磷烷产线、1 条高纯砷烷产线,新增磷烷年产能 70 吨
13、、砷烷年产能 50 吨;利用原有 2 条砷烷产线进行技改,增加砷烷年产能 20 吨;通过扩产和技改,本项目共计增加磷烷年产能 70 吨、砷烷年产能 70 吨。 2、 项目必要性 (1) 电子特气是集成电路领域的重要原材料 电子气体在电子产品制程工艺中广泛应用于离子注入、刻蚀、气相沉积、掺杂等工艺,被称为集成电路、液晶面板、LED 及光伏等材料的“粮食”和 “源”。电子特种气体是电子气体的一个重要分支,是集成电路、平面显示器件、太阳能电池等电子工业生产不可或缺的原材料。伴随着下游产业技术的快速迭代,电子特气对纯度和精度的要求持续提高,比如在纯度方面,普通工业气体要求在 99.99%左右,但是在先
14、进制程的集成电路制造过程中,气体纯度要求通常在 6N(99.9999%)以上。电子特气对半导体器件性能好坏起到重要作用。电子特气在半导体制造的材料成本中占比为 13%左右,是半导体制造成本中仅次于硅片的第二大材料。 砷烷、磷烷广泛应用于集成电路、LED、高效太阳能电池、光通讯器件等领域,主要用于集成电路制造的掺杂工艺和 LED 的化学气相沉积工艺。作为半导体领域加工制造过程中的关键材料之一,磷烷和砷烷的质量和纯度可直接影响电子器件的良率和性能。因此,在半导体行业高速发展、国产自主化需求日益提升的背景下,磷烷、砷烷的自主产能扩产具备必要性。 (2) 高速增长的下游市场需求为磷烷、砷烷带来扩产的紧
15、迫性集成电路、LED 等电子工业市场的快速发展,带动电子特气市场规模不断增大。集成电路行业在 5G 通讯、汽车电子、大数据、新能源、医疗电子、物联网、人工智能等为主新兴应用领域强劲需求的带动下呈持续高速发展趋势,根据 IC Insights 和前瞻产业研究院预测,全球半导体行业市场规模到 2025 年预计达 2,220 亿美元,相比 2020 年的 1,430 亿美元增长 55%;中国半导体制造总额 2025 年达 432 亿美元,相比 2020 年的 227 亿美元增长 90%,复合增长率达14%,高于全球增速。 同时,LED 行业虽整体已步入稳健增长的成熟期,未来在新应用和新技术领域将会带
16、来新的需求,未来随着小间距 LED(Mini LED 和 Micro LED)兴起,为上游以磷烷、砷烷为代表的电子特气提供了新的需求空间。 近年来,公司电子特气领域的收入快速增加,下游需求旺盛,而公司磷烷、砷烷的整体产能有限,产能利用率趋近于饱和状态,亟需突破产能瓶颈,扩大生产能力。公司本次建设项目建成后,将扩大面向集成电路及 LED 市场的高纯磷烷、砷烷的量产产能,更好地把握市场机遇。 3、 项目可行性 (1)国家政策为电子特气行业提供大力支持 半导体材料是集成电路制造的基石,具有重要的战略意义,其中电子特气是半导体材料的重要组成部分。为推动电子特气行业向精密、深化方向发展,国家有关部门出台
17、了多项产业扶持政策。 2021 年全国人大颁布的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要(“十四五纲要”)强调“发展壮大战略性新兴产业”,提出聚集以新材料等为代表的战略性新兴产业,加快关键核心技术创新应用,增强要素保障能力,培育壮大产业发展新动能。 2021 年国家工信部颁布的重点新材料首批次应用示范指导目录(2021 年版),将集成电路用特种气体等列为重点新材料。 2020 年 8 月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,给予集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业更有力度的税收优惠政策,进一步优化集成电路产业的发展环
18、境。积极的国家政策为电子特气生产行业提供了良好的政策支持环境。 (2) 公司是国内少数具备磷烷、砷烷自主生产能力的企业 磷烷、砷烷是高纯特种气体中技术门槛和开发难度极高的两个品种,曾长期处于海外技术封锁中。同时因其易燃、剧毒、易爆等特征,从生产角度来说合成到提纯各个环节难度都较大。 公司是国产磷烷、砷烷制造的领军企业,是国内为数不多能够自主研发和量产高纯磷烷、砷烷的企业之一。公司自 2013 年承担国家“02 专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目,于 2016 年形成高纯电子特气砷烷、磷烷产业化能力,产品纯度达到 6N 级别,成功解决了这类特种电子气体的研发和产业化难题,一举打破了国外技术封
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