盐城刻蚀设备项目实施方案.docx
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1、泓域咨询/盐城刻蚀设备项目实施方案盐城刻蚀设备项目实施方案xxx投资管理公司目录第一章 行业发展分析9一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步9二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加12第二章 项目背景分析15一、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高15二、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续15三、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开16四、 筑牢实体经济根基着力打造长三角北翼产业新高地18五、 项目实施的必要性23第三章 项目绪论24一、 项目概述24二、 项目提出的理由26三、 项目总投资及资金构成27四、 资金筹措方案27五、 项目预期经
2、济效益规划目标27六、 项目建设进度规划28七、 环境影响28八、 报告编制依据和原则28九、 研究范围29十、 研究结论30十一、 主要经济指标一览表30主要经济指标一览表30第四章 项目选址分析32一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 扩大对内对外双向开放,主动融入双循环新发展格局35四、 统筹区域协调发展,推进以人为核心的新型城镇化39五、 项目选址综合评价41第五章 建设方案与产品规划42一、 建设规模及主要建设内容42二、 产品规划方案及生产纲领42产品规划方案一览表42第六章 SWOT分析说明44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)45三、 机会分析(O)46
3、四、 威胁分析(T)46第七章 运营管理54一、 公司经营宗旨54二、 公司的目标、主要职责54三、 各部门职责及权限55四、 财务会计制度58第八章 人力资源配置分析62一、 人力资源配置62劳动定员一览表62二、 员工技能培训62第九章 节能分析65一、 项目节能概述65二、 能源消费种类和数量分析66能耗分析一览表66三、 项目节能措施67四、 节能综合评价68第十章 环境影响分析69一、 编制依据69二、 环境影响合理性分析69三、 建设期大气环境影响分析71四、 建设期水环境影响分析74五、 建设期固体废弃物环境影响分析74六、 建设期声环境影响分析74七、 建设期生态环境影响分析7
4、5八、 清洁生产76九、 环境管理分析77十、 环境影响结论79十一、 环境影响建议80第十一章 项目实施进度计划81一、 项目进度安排81项目实施进度计划一览表81二、 项目实施保障措施82第十二章 投资方案83一、 投资估算的依据和说明83二、 建设投资估算84建设投资估算表86三、 建设期利息86建设期利息估算表86四、 流动资金88流动资金估算表88五、 总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表91第十三章 经济收益分析92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表
5、94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析100五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、 经济评价结论102第十四章 招标、投标103一、 项目招标依据103二、 项目招标范围103三、 招标要求103四、 招标组织方式106五、 招标信息发布109第十五章 风险评估分析110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十六章 项目综合评价115第十七章 补充表格116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一
6、览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表127报告说明电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。根据谨慎财务估算,项目总投资32562.55万元,其中:建设投资26746.30万元,占项目总投资的82.14%;建设期利息368.67万元,占项目总投资的1.13%;流动资金5447.58万元,占项目总投资的16.7
7、3%。项目正常运营每年营业收入67800.00万元,综合总成本费用55258.62万元,净利润9159.26万元,财务内部收益率21.81%,财务净现值10711.64万元,全部投资回收期5.48年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业发展分析
8、一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步2021年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高,大陆首次占比全球第一。根据SEMI,2021年半导体设备销售额1026亿美元,同比激增44%,全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之前占全球比重为10%以内,20142017年提升至1020%,2018年之后保持在20%以上,份额呈逐年上行趋势。2020-2021年,国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入,大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位,2021达到296.2亿美元,同比增长58%,占比28.9%。展望2022年,存储需求复苏,韩国预计将领跑全球,但大陆设备市场规模
9、有望保持较高比重。北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站30亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史,北美半导体设备厂商月销售额对于全球半导体行业景气度分析具有重要意义,北美半导体设备销售额水平通常领先全球半导体销售额一个季度。2021年1月,北美半导体设备厂商月销售额首次突破了30亿美金关口,创历史新高,达到了30.4亿美金。此后月度销售额逐季创新高,至12月份销售额达到39.2亿美金,同比增长46%。与此同时全球半导体销售市场自2021年4月以来连续12个月同比增速超过20%,2022年3月,全球半导体销售额达到505.8亿美金,同比增长23.0%,展望2022全年,从各机构当前预测
10、平均值来看,预计2022年全球半导体市场仍将保持10%以上同比增长。半导体设备行业呈现明显的周期性,受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年,存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求,且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低,导致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年,同时上半年整体半导体行业景气度不佳,虽然下半年随着行业景气度恢复,以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产,2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后受疫情影响,但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字化、5G带
11、来的下游各领域强劲需求,全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂商新一轮资本开支开启,2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。未来两年全球晶圆厂设备开支持续增长。2020年疫情带来的居家及远程办公带来笔电等消费电子需求激增作为本轮周期的催化剂,2020H2以车用芯片为代表的供应链开始紧张,下游持续增长的需求与上游有限产能的矛盾演绎为2021年全年行业供需失衡加剧。2022年以来,消费性电子、智能手机、PC等领域需求确有下滑,但更值得注意的是全球正步入第四轮硅含量提升周期,服务器、汽车、工业、物联网等需求大规模提
12、升。在6月台积电召开的股东大会上,公司管理层表示未来10年是半导体行业非常好的机会,主要原因就是5G及高效能运算的普及,生活数字化转型,带来对车用(新车半导体含量可达传统车的10倍)、手机、服务器等终端内半导体含量的增加,推动半导体需求大幅成长。中芯国际在22Q1法说会表示,尽管消费电子,手机等存量市场进入去库存阶段,开始软着陆,但高端物联网、电动车、绿色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存,近年来硅含量提升与晶圆厂有限的产能扩充矛盾,叠加产业链转移带来的本土化产能缺口,使得公司需要大幅扩产,推出新产品工艺平台,满足客户旺盛的增量需求。疫情、全球经济及半导体周期性虽然会带来短期内的不确定性,
13、但是技术进步、硅含量提升是长期支撑半导体行业持续发展的最关键驱动力。2020年开始全球领先的晶圆厂纷纷加速扩产提升资本开支,根据ICInsights,2021年全球半导体资本开支增速达到36%,预计2022年将继续增长24%,2020-2022年将会成为自1993-1995年以来的首次CapEx连续三年增速超过20%。半导体设备作为晶圆厂扩产的重要开支部分,根据SEMI,2021年全球晶圆厂前道设备支出增速达到42%,预计2022年将进一步增长18%。台积电、中芯国际纷纷增加资本开支,CapEx进入上行期。根据ICInsights,全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%,根据头部代工厂的资本
14、开支规划来看,2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金(用于N3/N5/N7的资本开支占80%),公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金,2022年资本开支将进一步提升至400-440亿美金,预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金;联电2021年CapEx18亿美金,预计2022年翻倍达到36亿美金(其中90%将用于12英寸晶圆);GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产,公司2020年CapEx4.5亿美金,2021年提升至16.6亿美金,预计2022年超过40亿美金;中芯国
15、际2021年资本开支维持高位,达到45亿美金(大部分用于扩成熟制程,尤其是8寸数量扩4.5万片/月),预计2022年达到50亿美金。二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀
16、、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关
17、键的设备。刻蚀设备市场超过130亿美元,是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元,其中介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年
18、,国内设备龙头厂商北方华创、中微公司该产品线放量加速,逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看,TEL一家独大,长期全球市占率超过50%;其次Lam占据接近40%的市场份额,两家厂商主导整个市场,寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备,并承担多项重大科研项目,是国内领先的介质刻蚀设备厂商。第二章 项目背景分析一、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高全球设备五强占市场主导角色。全球设备竞争格局,主要前道工艺(刻蚀、沉积、涂胶、热处理、清洗等)整合成三强AMAT、LAM、TEL。另外,
19、光刻机龙头ASML市占率80%+;过程控制龙头KLA市占率50%。根据SEMI,ASML、AMAT、LAMResearch、TEL、KLA五大厂商2021年收入合计788亿美元,占全球市场约77%。综合看下来,设备五强市场在各赛道合计市占率基本在50%以上。AMSL优势在光刻方面遥遥领先;AMAT优势在产品线广,沉积(CVD、PVD)市占率高;LAM优势在刻蚀领域;TEL优势在小赛道如涂胶、去胶、热处理;KLA优势在过程控制。二、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续在手订单依旧强劲,供应链限制延续,设备大厂积极扩产。1)供给高度紧张:ASML22Q1营收yoy-19%,下滑主要系部分订单
20、确认延迟;毛利率同比-5pt,承压主要系材料、供应链、运输等成本上升;库存周转率降低。泛林毛利率同比-1.7pt,主要系成本压力(原材料、物流、通胀等)。2)订单依旧强劲:ASML新增在手订单约70亿欧元,环比持平。KLA:当前在手订单交期总体56个月,部分产品78月。爱德万客户订单提前量增加,由于系半导体等材料和零件短缺,交期延长。3)积极扩产:ASML预计2030年产能至少翻番,2025年年产能增加到约90套0.33孔径EUV和600套DUV。泰瑞达预计2023研发费用1900亿日元,yoy+20.1%;资本开支750亿日元,yoy+31.1%,规划金额皆较往年有大幅提升。2022下半年展
21、望乐观,全年需求强劲将有订单递延至明年。泛林2022Q2毛利率指引中枢仍略降,持续成本和供应压力影响持续,二季度订单积压不断增加。随产能落地、产品竞争力效益显现及部分订单延迟多数企业对H2展望乐观。ASML预计2022H2表现强劲,毛利率约54%,高于全年52%指引,主要由EUV和DPV出货及安装基础管理业务利润率提升驱动。Q4部分EUV系统收入将递延到2023年。泛林预计2022WFE需求将超1000亿美元,未满足的设备需求将递延至明年。泰瑞达积极建立库存及扩产,预计H2出货有更大增量及灵活性,预计Q2实现增长,仅高端产品出货受限。三、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高
22、峰期。根据集微网统计,20202022年国内晶圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元,其中内资晶圆厂投资金额约1000/1200/1100亿元。20202022年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年,且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低,海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,从市场格局来看,细分市场均有较高集中度,主要参与厂商一般不超过5家,top3份额往往高于90%,部分设备甚至出现一家独大的情况,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求。制程越先进,设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%,当制程到16/14nm时,设备投资占
23、比达85%;7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航,从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局广泛,刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快,产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高,在集成电路领域主流生产线实现批量销售,产品加速迭代;第三代半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽,出货量实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商,PECVD累计发货150台,广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,PEALD
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