新余刻蚀设备项目招商引资方案_模板范本.docx
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1、泓域咨询/新余刻蚀设备项目招商引资方案新余刻蚀设备项目招商引资方案xxx有限公司报告说明2021年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高,大陆首次占比全球第一。根据SEMI,2021年半导体设备销售额1026亿美元,同比激增44%,全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之前占全球比重为10%以内,20142017年提升至1020%,2018年之后保持在20%以上,份额呈逐年上行趋势。2020-2021年,国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入,大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位,2021达到296.2亿美元,同比增长58%,占比28.9%。展望2022年,存储需求复苏,韩国预计
2、将领跑全球,但大陆设备市场规模有望保持较高比重。根据谨慎财务估算,项目总投资8363.31万元,其中:建设投资6253.61万元,占项目总投资的74.77%;建设期利息61.76万元,占项目总投资的0.74%;流动资金2047.94万元,占项目总投资的24.49%。项目正常运营每年营业收入18100.00万元,综合总成本费用13410.36万元,净利润3440.70万元,财务内部收益率33.65%,财务净现值9024.93万元,全部投资回收期4.53年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济
3、政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 项目背景及必要性9一、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开9二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且
4、步骤逐渐增加10三、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续12四、 建高层次创新体系14第二章 项目概况17一、 项目名称及投资人17二、 编制原则17三、 编制依据18四、 编制范围及内容18五、 项目建设背景19六、 结论分析19主要经济指标一览表21第三章 市场分析24一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步24二、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高27第四章 选址方案分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 推动开发区改革创新发展30四、 打造数字经济新引擎32五、 项目选址综合评价34第五章 建筑工程说明35一、 项目工程设计总体要
5、求35二、 建设方案35三、 建筑工程建设指标36建筑工程投资一览表36第六章 发展规划分析38一、 公司发展规划38二、 保障措施39第七章 运营模式分析42一、 公司经营宗旨42二、 公司的目标、主要职责42三、 各部门职责及权限43四、 财务会计制度46第八章 SWOT分析52一、 优势分析(S)52二、 劣势分析(W)53三、 机会分析(O)54四、 威胁分析(T)54第九章 环境保护分析58一、 编制依据58二、 环境影响合理性分析58三、 建设期大气环境影响分析58四、 建设期水环境影响分析60五、 建设期固体废弃物环境影响分析60六、 建设期声环境影响分析61七、 环境管理分析6
6、2八、 结论及建议65第十章 劳动安全分析67一、 编制依据67二、 防范措施70三、 预期效果评价74第十一章 项目节能说明75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表76三、 项目节能措施77四、 节能综合评价78第十二章 工艺技术方案80一、 企业技术研发分析80二、 项目技术工艺分析82三、 质量管理83四、 设备选型方案84主要设备购置一览表85第十三章 项目投资分析86一、 投资估算的依据和说明86二、 建设投资估算87建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表91固定资产投资估算表93四、 流动资金93流动资金估算表94五、 项目总投资95
7、总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表96第十四章 经济效益98一、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表99固定资产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表103二、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105三、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107第十五章 风险评估分析109一、 项目风险分析109二、 项目风险对策111第十六章 项目综合评价说明113第十七章 附表附件115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动
8、资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表127建筑工程投资一览表128项目实施进度计划一览表129主要设备购置一览表130能耗分析一览表130第一章 项目背景及必要性一、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高峰期。根据集微网统计,20202022年国内晶圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元,其中内资晶圆厂投资金额约1000/1200/110
9、0亿元。20202022年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年,且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低,海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,从市场格局来看,细分市场均有较高集中度,主要参与厂商一般不超过5家,top3份额往往高于90%,部分设备甚至出现一家独大的情况,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求。制程越先进,设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%,当制程到16/14nm时,设备投资占比达85%;7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航,从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局
10、广泛,刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快,产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高,在集成电路领域主流生产线实现批量销售,产品加速迭代;第三代半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽,出货量实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商,PECVD累计发货150台,广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,PEALD已实现销售;中微公司介质刻蚀机已经打入5nm制程,新款用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备UniMax2022Q1订单已超180腔;芯源微前
11、道涂胶显影设备在28nm及以上多项技术及高产能结构方面取得进展,并实现多种核心零部件的国产替代,公司前道物理清洗设备已经达到国际先进水平并成功实现国产替代,新签订单结构中前道产品占比大幅提升;华海清科CMP设备在逻辑芯片、3DNAND、DRAM制造等领域的工艺技术水平已分别突破至14nm、128层、1X/1Ynm,到2021年底,公司CMP设备累计出货超过140台,未发出产品的在手订单超70台。Mattson(屹唐半导体)在去胶设备市占率全球第二;盛美半导体单片清洗机在海力士、长存、SMIC等产线量产。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。设备国产化率较低,国产厂商成长空间巨大。我国半导体
12、设备市场仍非常依赖进口,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求,潜在收入目标空间较大。二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后
13、端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场
14、超过130亿美元,是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元,其中介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年,国内设备龙头厂商北方
15、华创、中微公司该产品线放量加速,逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看,TEL一家独大,长期全球市占率超过50%;其次Lam占据接近40%的市场份额,两家厂商主导整个市场,寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备,并承担多项重大科研项目,是国内领先的介质刻蚀设备厂商。三、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续在手订单依旧强劲,供应链限制延续,设备大厂积极扩产。1)供给高度紧张:ASML22Q1营收yoy-19%,下滑主要系部分订单确认延迟;毛利率同比-5pt,承压主要系材料、供应链、运输
16、等成本上升;库存周转率降低。泛林毛利率同比-1.7pt,主要系成本压力(原材料、物流、通胀等)。2)订单依旧强劲:ASML新增在手订单约70亿欧元,环比持平。KLA:当前在手订单交期总体56个月,部分产品78月。爱德万客户订单提前量增加,由于系半导体等材料和零件短缺,交期延长。3)积极扩产:ASML预计2030年产能至少翻番,2025年年产能增加到约90套0.33孔径EUV和600套DUV。泰瑞达预计2023研发费用1900亿日元,yoy+20.1%;资本开支750亿日元,yoy+31.1%,规划金额皆较往年有大幅提升。2022下半年展望乐观,全年需求强劲将有订单递延至明年。泛林2022Q2毛
17、利率指引中枢仍略降,持续成本和供应压力影响持续,二季度订单积压不断增加。随产能落地、产品竞争力效益显现及部分订单延迟多数企业对H2展望乐观。ASML预计2022H2表现强劲,毛利率约54%,高于全年52%指引,主要由EUV和DPV出货及安装基础管理业务利润率提升驱动。Q4部分EUV系统收入将递延到2023年。泛林预计2022WFE需求将超1000亿美元,未满足的设备需求将递延至明年。泰瑞达积极建立库存及扩产,预计H2出货有更大增量及灵活性,预计Q2实现增长,仅高端产品出货受限。四、 建高层次创新体系集聚创新优势资源,强化创新载体建设,培育创新主体,着力提升创新整体效能,激发创新创造新活力。(一
18、)加快建设科技创新载体建设重大科创平台。把握高新区获批建设国家自主创新示范区的契机,加强资源优化整合,在优势特色产业集群培育、高水平科技创新基地建设、科技投融资体系构建、科技成果转移转化、协同开放创新等方面探索示范。围绕全市主导产业和创新优势企业,积极创建科创城,完善创新平台布局。支持以赣锋锂业为依托的江西锂电新材料重点实验室建设建成国内一流的锂电材料研发中心。加强国家光伏工程技术研究中心的创新提升,依托院士团队,打造国内国际一流水平的国家光伏工程领域的重大科技创新平台。支持新钢公司、沃格光电、盛泰光学等企业整合国内优势创新资源,瞄准科技发展前沿和产业发展需求,加快研发机构建设。推进新型研发机
19、构建设。支持企业与高等院所共建“实体办院、投管分离、市场化运营”的新型研发机构,将内设工程技术研究中心、重点实验室等独立运营机构,面向产业开展共性关键技术研发和产业化服务,鼓励、引导产业技术创新战略联盟法人化经营,转变为实行专业化和市场化运作新型研发机构。引导中小企业参与产业技术创新联盟、产业集群协同创新项目,力争科研团队、科技合作在高新技术企业全覆盖。(二)强化企业创新主体地位以新技术、新产业、新业态、新模式为突破口,强化企业创新主体地位,培育一批跨界融合爆发式成长的科技型企业。以创新引领、分类指导、精准施策为原则,构建中小微科技型企业、高新技术企业、“瞪羚企业”“独角兽企业”的梯次培育机制
20、。加大对企业创新发展的支持,打造一批创新发展标杆型企业。启动专利“十百千”计划,引导企业实施专利战略,提升企业知识产权创造运用能力。到2025年,全市科技型中小企业、高新技术企业数量大幅增长,企业发明专利申请占比超过60%,每万人口高价值发明专利拥有量达到3.5件。(三)营造良好创新环境持续深化科技体制改革,建立健全创新评价体系。完善以知识、技能、管理、数据等创新要素参与利益分配的激励机制,加快建立现代产权保护制度。加快构建科技金融体系,推动科技创新链条与金融资本链条的有机结合,支持知识产权融资、科技成果转化。大力推进大众创业万众创新,积极打造一批众创空间、科技孵化器等创新创业载体,构建全链条
21、的创新服务体系。充分利用媒体渠道,广泛深入宣传科技创新,加大科学普及力度,对在科技创新引领发展和科学普及工作中做出突出成效的先进单位和优秀人才,及时树典型、立榜样,大力弘扬科学家精神、创新文化,全面提升全社会科技创新意识,营造尊重知识、尊重人才、尊重创造的浓厚氛围。第二章 项目概况一、 项目名称及投资人(一)项目名称新余刻蚀设备项目(二)项目投资人xxx有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以选址意见书为准)。二、 编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠,保证项目投产后,能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠,并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分
22、依托现有社会公共设施,以降低投资,加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求,符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案,以最大程度减少投资,提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性,实事求是地作出研究结论。三、 编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。四、 编制范围及内容依据国家产
23、业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模,并提出主要技术经济指标,对项目能否实施做出一个比较科学的评价,其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。五、 项目建设背景北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站30亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史,北美半导体设备厂
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