浙江刻蚀设备项目申请报告.docx
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1、泓域咨询/浙江刻蚀设备项目申请报告浙江刻蚀设备项目申请报告xxx有限责任公司目录第一章 项目建设背景及必要性分析8一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步8二、 全面推进数字变革,建设新时代数字浙江11三、 建设具有国际竞争力的现代产业体系,巩固壮大实体经济根基12四、 项目实施的必要性15第二章 行业发展分析16一、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加16二、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高17三、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开18第三章 公司基本情况21一、 公司基本信息21二、 公司简介21三、 公司竞争优势22四、 公司主要财务数据24
2、公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据24五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨26七、 公司发展规划27第四章 项目绪论32一、 项目名称及建设性质32二、 项目承办单位32三、 项目定位及建设理由33四、 报告编制说明35五、 项目建设选址36六、 项目生产规模37七、 建筑物建设规模37八、 环境影响37九、 项目总投资及资金构成37十、 资金筹措方案38十一、 项目预期经济效益规划目标38十二、 项目建设进度规划39主要经济指标一览表39第五章 建筑工程说明42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案43三、 建筑工程建设指标43建筑工程投资一览表44第六章 产品方案4
3、6一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表47第七章 项目选址48一、 项目选址原则48二、 建设区基本情况48三、 全力打好构建新发展格局组合拳,打造国内大循环战略支点、国内国际双循环战略枢纽53四、 项目选址综合评价55第八章 发展规划分析57一、 公司发展规划57二、 保障措施61第九章 SWOT分析说明64一、 优势分析(S)64二、 劣势分析(W)66三、 机会分析(O)66四、 威胁分析(T)67第十章 环境保护方案73一、 编制依据73二、 建设期大气环境影响分析74三、 建设期水环境影响分析75四、 建设期固体废弃物环境影响分析76五、
4、 建设期声环境影响分析76六、 环境管理分析77七、 结论79八、 建议79第十一章 项目实施进度计划81一、 项目进度安排81项目实施进度计划一览表81二、 项目实施保障措施82第十二章 劳动安全生产分析83一、 编制依据83二、 防范措施84三、 预期效果评价90第十三章 人力资源配置91一、 人力资源配置91劳动定员一览表91二、 员工技能培训91第十四章 原辅材料分析94一、 项目建设期原辅材料供应情况94二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理94第十五章 投资方案96一、 投资估算的编制说明96二、 建设投资估算96建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表99四、 流动
5、资金100流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表103第十六章 项目经济效益评价105一、 基本假设及基础参数选取105二、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表107利润及利润分配表109三、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表111四、 财务生存能力分析113五、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114六、 经济评价结论115第十七章 风险防范116一、 项目风险分析116二、 项目风险对策118第十八章 项目总结分析120第十九章 附表附录122建
6、设投资估算表122建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表128固定资产折旧费估算表129无形资产和其他资产摊销估算表130利润及利润分配表130项目投资现金流量表131第一章 项目建设背景及必要性分析一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步2021年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高,大陆首次占比全球第一。根据SEMI,2021年半导体设备销售额1026亿美元,同比激增44%,全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之
7、前占全球比重为10%以内,20142017年提升至1020%,2018年之后保持在20%以上,份额呈逐年上行趋势。2020-2021年,国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入,大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位,2021达到296.2亿美元,同比增长58%,占比28.9%。展望2022年,存储需求复苏,韩国预计将领跑全球,但大陆设备市场规模有望保持较高比重。北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站30亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史,北美半导体设备厂商月销售额对于全球半导体行业景气度分析具有重要意义,北美半导体设备销售额水平通常领先全球半导体销售额一个季度。2021年1月,北美
8、半导体设备厂商月销售额首次突破了30亿美金关口,创历史新高,达到了30.4亿美金。此后月度销售额逐季创新高,至12月份销售额达到39.2亿美金,同比增长46%。与此同时全球半导体销售市场自2021年4月以来连续12个月同比增速超过20%,2022年3月,全球半导体销售额达到505.8亿美金,同比增长23.0%,展望2022全年,从各机构当前预测平均值来看,预计2022年全球半导体市场仍将保持10%以上同比增长。半导体设备行业呈现明显的周期性,受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年,存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求,且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使
9、存储价格走低,导致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年,同时上半年整体半导体行业景气度不佳,虽然下半年随着行业景气度恢复,以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产,2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后受疫情影响,但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字化、5G带来的下游各领域强劲需求,全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂商新一轮资本开支开启,2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。未来两年全球晶圆厂设备开支持续增长。2020
10、年疫情带来的居家及远程办公带来笔电等消费电子需求激增作为本轮周期的催化剂,2020H2以车用芯片为代表的供应链开始紧张,下游持续增长的需求与上游有限产能的矛盾演绎为2021年全年行业供需失衡加剧。2022年以来,消费性电子、智能手机、PC等领域需求确有下滑,但更值得注意的是全球正步入第四轮硅含量提升周期,服务器、汽车、工业、物联网等需求大规模提升。在6月台积电召开的股东大会上,公司管理层表示未来10年是半导体行业非常好的机会,主要原因就是5G及高效能运算的普及,生活数字化转型,带来对车用(新车半导体含量可达传统车的10倍)、手机、服务器等终端内半导体含量的增加,推动半导体需求大幅成长。中芯国际
11、在22Q1法说会表示,尽管消费电子,手机等存量市场进入去库存阶段,开始软着陆,但高端物联网、电动车、绿色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存,近年来硅含量提升与晶圆厂有限的产能扩充矛盾,叠加产业链转移带来的本土化产能缺口,使得公司需要大幅扩产,推出新产品工艺平台,满足客户旺盛的增量需求。疫情、全球经济及半导体周期性虽然会带来短期内的不确定性,但是技术进步、硅含量提升是长期支撑半导体行业持续发展的最关键驱动力。2020年开始全球领先的晶圆厂纷纷加速扩产提升资本开支,根据ICInsights,2021年全球半导体资本开支增速达到36%,预计2022年将继续增长24%,2020-2022年将会成为
12、自1993-1995年以来的首次CapEx连续三年增速超过20%。半导体设备作为晶圆厂扩产的重要开支部分,根据SEMI,2021年全球晶圆厂前道设备支出增速达到42%,预计2022年将进一步增长18%。台积电、中芯国际纷纷增加资本开支,CapEx进入上行期。根据ICInsights,全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%,根据头部代工厂的资本开支规划来看,2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金(用于N3/N5/N7的资本开支占80%),公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金,2022年资本开支将进一步提升至400
13、-440亿美金,预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金;联电2021年CapEx18亿美金,预计2022年翻倍达到36亿美金(其中90%将用于12英寸晶圆);GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产,公司2020年CapEx4.5亿美金,2021年提升至16.6亿美金,预计2022年超过40亿美金;中芯国际2021年资本开支维持高位,达到45亿美金(大部分用于扩成熟制程,尤其是8寸数量扩4.5万片/月),预计2022年达到50亿美金。二、 全面推进数字变革,建设新时代数字浙江以数字科技创新为核心动力,强化云上浙江和数字强省基础支撑,加快数字化改革,完善数
14、字生态,加快建设国家数字经济创新发展试验区,建成数字社会建设样板省、数字政府建设先行省,打造全球数字变革高地。加快推进数字产业化。建设数字科创中心,加强关键数字技术科技攻关,推动数字技术产品研发和广泛应用。做强云计算、大数据、物联网、人工智能、5G、北斗等新兴产业,壮大集成电路、高端软件、网络通信、元器件及材料等基础产业,超前布局区块链、量子信息、虚拟现实等重点前沿科技领域,形成一批具有国际竞争力的数字产业集群。全面推动产业数字化。实施“数字赋能626”行动,推动数字技术与实体经济深度融合,加快推进农业、工业、服务业数字化转型。优化“1+N”工业互联网生态,打造工业互联网国家示范区,支持宁波打
15、造国家工业互联网平台应用创新推广中心。加快国家新一代人工智能创新发展试验区建设。推动企业“上云用数赋智”,推广共享制造、未来工厂、虚拟产业园等智能制造新模式。三、 建设具有国际竞争力的现代产业体系,巩固壮大实体经济根基坚持把发展经济的着力点放在实体经济上,全面优化升级产业结构,打好产业基础高级化和产业链现代化攻坚战,加快建设全球先进制造业基地,做优做强战略性新兴产业和未来产业,加快现代服务业发展,形成更高效率和更高质量的投入产出关系,不断提升现代产业体系整体竞争力。(一)大力提升产业链供应链现代化水平实施制造业产业基础再造和产业链提升行动。实施制造强基工程,提高网络通讯、关键仪器设备、重要原材
16、料、关键零部件和核心元器件、基础软件、工业控制体系等稳定供应能力,保障事关国计民生的基础产业安全稳定运行。实施产业集群培育升级行动,打造新一代信息技术、汽车及零部件、绿色化工、现代纺织和服装等世界级先进制造业集群、一批年产值超千亿元的优势制造业集群和百亿级的“新星”产业群。积极培育有控制力和根植性的“链主”企业,提升研发、设计、品牌、营销、结算等核心环节能级,更好发挥政府产业基金的引领和撬动作用,全面推进补链强链固链。强化资源、技术、装备支撑,加强国内国际产业安全合作,推动产业链供应链多元化。聚焦生物医药、集成电路等十大标志性产业链,全链条防范产业链供应链风险,全方位推进产业基础再造和产业链提
17、升,基本形成与全球先进制造业基地相匹配的产业基础和产业链体系。加快传统制造业改造提升。实施传统制造业改造提升计划2.0版,加快数字化、智能化、绿色化改造,分行业打造标杆县(市、区)和特色优势制造业集群,打造全国制造业改造提升示范区。支持企业加大技术改造力度,鼓励企业兼并重组,以市场化、法治化方式推进落后产能退出。重视传统民生产业的合理布局和转型升级,实施中小微企业竞争力提升工程,完善中小微企业发展政策体系,优化小微企业园布局。深化品牌、标准、知识产权战略,深入开展质量提升行动,大力推进标准化综合改革,引导企业品质化标准化品牌化发展,打响浙江“品字标”。(二)做优做强战略性新兴产业和未来产业积极
18、壮大生命健康产业。推动创新药物和高端医疗器械源头创新、精准医疗全链创新、信息技术与生物技术加速融合创新,加快发展化学创新药、生物技术药物、现代中药、高端医疗器械、生命健康信息技术应用等重点领域。开展药物制剂国际化能力建设,发挥原料药国际竞争优势。培育发展智能医学影像、智能诊疗、智能健康管理等新业态。实施药品医疗器械化妆品质量品牌提升工程。加快发展新材料产业。重点主攻先进半导体材料、新能源材料、高性能纤维及复合材料、生物医用材料等关键战略材料,做优做强化工、有色金属、稀土磁材、轻纺、建材等传统领域先进基础材料,谋划布局石墨烯、新型显示、金属及高分子增材制造等前沿新材料。畅通新材料基础研究、技术研
19、发、工程化、产业化、规模化应用各环节,培育百亿级新材料核心产业链,建设千亿级新材料产业集群。培育发展新兴产业和未来产业。大力培育新一代信息技术、生物技术、高端装备、新能源及智能汽车、绿色环保、航空航天、海洋装备等产业,加快形成一批战略性新兴产业集群。组织实施未来产业孵化与加速计划,超前布局发展第三代半导体、类脑芯片、柔性电子、量子信息、物联网等未来产业,加快建设未来产业先导区。加强前沿技术多路径探索、交叉融合和颠覆性技术供给,实施产业跨界融合示范工程,打造未来技术应用场景。促进平台经济、共享经济健康发展。四、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负
20、债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第二章 行业发展分析一、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性
21、等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即
22、多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场超过130亿美元,是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元,其中介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立
23、高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年,国内设备龙头厂商北方华创、中微公司该产品线放量加速,逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看,TEL一家独大,长期全球市占率超过50%;其次Lam占据接近40%的市场份额,两家厂商主导整个市场,寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备,并承担多项重大科研项目,是国内领先的介质刻蚀设备厂商。二、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高全球设备五强占市场主导角色。全球设备竞争格局,主要前
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