绪论模拟电子技术.doc
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1、0 绪论模拟电子技术.txt27信念的力量在于即使身处逆境,亦能帮助你鼓起前进的船帆;信念的魅力在于即使遇到险运,亦能召唤你鼓起生活的勇气;信念的伟大在于即使遭遇不幸,亦能促使你保持崇高的心灵。 本文由sunky菲灵贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 模拟电子技术基础 徐正红 电工电子教学实验中心 zhhxu -308 - 东一楼东256室 东一楼东 室 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 0 绪 言 0.1 什么是电子技术 0.2 本课程的性质,任务和重点内容 本课程的性质, 0.3 本课程的特点和学习方法 上页 下页 后退 模拟电子技
2、术基础 0 0.1 什么是电子技术 绪 言 电子技术就是研究电子器件, 电子技术就是研究电子器件,电子电路及其应 用的科学技术. 用的科学技术. 1.电子器件 . 电子器件的发展 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 第一代电子器件 电子管 电真空器件 离子管 (1) 电子管 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 电子管的结构和工作原理 a. 有密封的管壳,内部抽到高真空. 有密封的管壳,内部抽到高真空. b. 在热阴极电子管中,有一个阴极. 在热阴极电子管中,有一个阴极. c. 阴极可由灯丝加热,使温度升高, 阴极可由灯丝加热,使温度升高, 发射出电子. 发射出电子. d. 电子受外加电场和磁场
3、的作用下, 电子受外加电场和磁场的作用下, 在真空中运动就形成了电子管中的 电流. 电流. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 电子管的主要特点 a. 体积大,重量重,耗电大,寿命短. 体积大,重量重,耗电大,寿命短. b. 目前在一些大功率发射装置中使用. 目前在一些大功率发射装置中使用. (2) 离子管 a. 与电子管类似,也抽成高真空. 与电子管类似,也抽成高真空. b. 管子中的电流,除了电子外,也有正离子. 管子中的电流 除了电子 电流, 电子外 也有正离子 正离子. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 第二代电子器件晶体管 晶体管 第二代电子器件 1948年贝尔实验室 1948年贝
4、尔实验室 晶体管是用半导体材料制成的,也称为半导体器件 晶体管是用半导体材料制成的,也称为半导体器件 或者固体器件 (semiconductor device)或者固体器件 或者固体器件(solidstate device). . 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 晶体管的发明人巴丁 巴丁 晶体管的发明人 巴丁,1908年生于美国,16岁上大学,喜欢物理. 巴丁,1908年生于美国 16岁上大学 喜欢物理. 年生于美国, 岁上大学, 巴丁早年与肖克利和布拉坦一起研究半导体硅和锗的 物理性质时,偶然发现锗晶体的特殊的电流特性. 物理性质时,偶然发现锗晶体的特殊的电流特性.他 们通力合作于194
5、7年发明了一种新的半导体器件 1947年发明了一种新的半导体器件 们通力合作于1947年发明了一种新的半导体器件 晶体管,取代了电子管.这一超过轰动了世界, 晶体管,取代了电子管.这一超过轰动了世界,巴丁 被称为电子技术革命的杰出代表. 被称为电子技术革命的杰出代表.他们一起获得了 1956年诺贝尔物理学奖 年诺贝尔物理学奖. 1956年诺贝尔物理学奖. 从事超导理论研究,与中年教师库柏,研究生施里弗 从事超导理论研究,与中年教师库柏, 建立了超导理论BCS理论,三人于1972年获得诺贝 BCS理论 1972年获得诺贝 建立了超导理论 BCS理论,三人于1972 Bardeen(1908-19
6、91), ),walter John Bardeen(1908-1991),walter House 尔物理学奖,成为老, 青合作的典范. 尔物理学奖,成为老,中,青合作的典范. Brattain(1902-1987) Shockley(1910Brattain(1902-1987)和William Shockley() 1989) 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 晶体管的主要特点: 晶体管的主要特点: a. 体积小,重量轻. 体积小,重量轻. b. 寿命长,功耗低. 寿命长,功耗低. c. 受温度变化的影响较大. 受温度变化的影响较大. d. 过载能力较差. 过载能力较差. e. 加电压
7、不能太高. 加电压不能太高. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 2.电子电路 . 电子器件与电阻器,电感器,电容器,变压器, 电子器件与电阻器,电感器,电容器,变压器, 开关等元件适当地连接起来所组成的电路. 开关等元件适当地连接起来所组成的电路. 电子电路的主要特点: 电子电路的主要特点: 控制方便,工作灵敏,响应速度快等. 控制方便,工作灵敏,响应速度快等. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 电子电路与普通电路的主要区别: 电子电路与普通电路的主要区别: (1) 电子电路包含有电子器件. ) 电子电路包含有电子器件. (2) 电子器件的特性往往是非线性的. ) 电子器件的特性往往是非线
8、性的. (3)电子电路必须采用非线性电路的分析方法来分析. )电子电路必须采用非线性电路的分析方法来分析. 分立元件电路 电子电路 集成电路 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 分立电路由各种单个的电子器件和元件构成的电路 分立电路 由各种单个的电子器件和元件构成的电路 分立电路的主要特点: 分立电路的主要特点: (1)把许多元件和器件焊接在印刷电路板上组成的. )把许多元件和器件焊接在印刷电路板上组成的. (2)焊点多,容易造成虚焊. )焊点多,容易造成虚焊. (3)体积大,功耗大,可靠性低. )体积大,功耗大,可靠性低. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 集成电路( 集成电路(ICint
9、egrated circuit) ) 集成电路是把许多晶体管与电阻等元件制作在同 一块硅晶片上的电路. 一块硅晶片上的电路. 集成电路的主要特点: 集成电路的主要特点: (1)体积小,重量轻. )体积小,重量轻. (2)功耗小. )功耗小. (3)可靠性高. )可靠性高. (4)寿命长. )寿命长. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 集成电路发展历程 世界上第一块集成电路在1959年美国的德州仪器公 年美国的德州仪器公 世界上第一块集成电路在 司和西屋电气公司诞生. 司和西屋电气公司诞生. 集成度:集成电路上只有四只晶体管. 集成度:集成电路上只有四只晶体管. (1) 小规模集成电路 sma
10、ll scale integration ,简写为 简写为SSI 简写为 集成度: 一块芯片上集成有几十个元器件. 集成度: 一块芯片上集成有几十个元器件. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 (2) 中规模集成电路 Medium scale integration ,简写为 简写为MSI. 简写为 . 集成度: 一块芯片上集成有几百个元器件. 集成度: 一块芯片上集成有几百个元器件. (3) 大规模集成电路 large scale integration ,简写为 简写为LSI. 简写为 . 集成度:一块芯片上集成有几千到几万个元器件. 集成度:一块芯片上集成有几千到几万个元器件. 上页 下
11、页 后退 模拟电子技术基础 (4) 超大规模集成电路 very large scale integration ,简写为 简写为VLSI. . 集成度: 一块芯片上可集成有十万以上个元器件. 集成度: 一块芯片上可集成有十万以上个元器件. (5) 目前的集成电路: ) 目前的集成电路: a. 已经可以在一片硅片上集成几千万只,甚至上亿 已经可以在一片硅片上集成几千万只, 只晶体管. 只晶体管. b. 集成电路的性能(高速度和低功耗等)也迅速提高. 集成电路的性能(高速度和低功耗等)也迅速提高. 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 c. 集成电路仍在高速发展.集成度每 2-4增加一倍. 集成电路
12、仍在高速发展. 增加一倍. 摩尔定律? 摩尔定律? d. 出现的系统级芯片(SOCsystem on chip). 这是一种人类的 这是一种人类的 ). 出现的系统级芯片( 1965年戈登 摩尔在电子学月刊发文, 1954年,平均一个 年 精神. 精神.正是它早就 认为集成电路元件数量会每18个月增加 晶体管的成本是)的 了硅谷. 了硅谷. e. 集成电路逐步向集成系统(integrated system) 集成电路逐步向集成系统( 一倍,这种速度将保持10年.当时集成 5.52美元;2004年, 美元; 美元 年 方向发展. 方向发展. 电路只有50-60个晶体管.后来,摩尔将 是一美元的十
13、亿分 这一速度修正为2-4年. . 之一. 之一 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 日开发出世界最小IC芯片 据新华社东京2 日本日立制作所6日宣布, 据新华社东京2月6日电 日本日立制作所6日宣布, 这家公司下属的中央研究所开发出了世界上最小, 这家公司下属的中央研究所开发出了世界上最小, 最薄的非接触型IC芯片, IC芯片 最薄的非接触型IC芯片,并已成功确认了这种芯片 的工作性能. 的工作性能. 该芯片长和宽分别为0 15毫米 厚仅7 毫米, 微米. 该芯片长和宽分别为0.15毫米,厚仅7.5微米. 它通过外部天线接收2 45G赫兹的微波 赫兹的微波, 它通过外部天线接收2.45G赫兹
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