泰州IGBT项目实施方案.docx
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1、泓域咨询/泰州IGBT项目实施方案目录第一章 项目基本情况7一、 项目名称及投资人7二、 编制原则7三、 编制依据7四、 编制范围及内容8五、 项目建设背景8六、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 项目建设背景、必要性15一、 供给端:缺货涨价潮助力国产替代加速,2022年国产化率有望达38%行业国产率较低,2019年仅12%15二、 功率半导体市场稳健增长,IGBT增速领先17三、 建设特色鲜明的现代产业强市19四、 项目实施的必要性21第三章 行业、市场分析22一、 传统领域:家电、工业及其他市场稳健增长22二、 需求端:新能源驱动成长,全球/中国十年CAGR达13%/15%23第
2、四章 选址分析26一、 项目选址原则26二、 建设区基本情况26三、 强化枢纽建设加快完善现代化基础设施体系33四、 项目选址综合评价34第五章 建筑物技术方案35一、 项目工程设计总体要求35二、 建设方案35三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表36第六章 法人治理38一、 股东权利及义务38二、 董事40三、 高级管理人员45四、 监事47第七章 发展规划49一、 公司发展规划49二、 保障措施50第八章 运营模式53一、 公司经营宗旨53二、 公司的目标、主要职责53三、 各部门职责及权限54四、 财务会计制度57第九章 劳动安全生产63一、 编制依据63二、 防范措施66三、
3、预期效果评价71第十章 原辅材料供应72一、 项目建设期原辅材料供应情况72二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理72第十一章 工艺技术说明73一、 企业技术研发分析73二、 项目技术工艺分析75三、 质量管理76四、 设备选型方案77主要设备购置一览表78第十二章 环境保护分析79一、 编制依据79二、 环境影响合理性分析79三、 建设期大气环境影响分析80四、 建设期水环境影响分析84五、 建设期固体废弃物环境影响分析84六、 建设期声环境影响分析84七、 建设期生态环境影响分析85八、 清洁生产86九、 环境管理分析87十、 环境影响结论88十一、 环境影响建议89第十三章 进度计划方案
4、90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十四章 投资计划92一、 投资估算的编制说明92二、 建设投资估算92建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表95四、 流动资金96流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 项目经济效益分析101一、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表106二、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表
5、108三、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110第十六章 招标方案112一、 项目招标依据112二、 项目招标范围112三、 招标要求113四、 招标组织方式115五、 招标信息发布115第十七章 风险风险及应对措施116一、 项目风险分析116二、 项目风险对策118第十八章 总结评价说明120第十九章 附表附录122主要经济指标一览表122建设投资估算表123建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量
6、表131借款还本付息计划表133第一章 项目基本情况一、 项目名称及投资人(一)项目名称泰州IGBT项目(二)项目投资人xx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(待定)。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件,以集约化、产业化、科技化为手段,组织生产建设,提高企业经济效益和社会效益,实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。四、 编制
7、范围及内容1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务分析。五、 项目建设背景功率半导体是电子装臵中电能转换与电路控制的核心,是能够支持高电压、大电流的半导体,主要用于改变电压、频率、电力转换(将直流(DC)转换为交流(AC),将交流(AC)转为为直流(DC)。功率半导体主要产品包括功率器件(二极管、IGBT、MOS、BJT)、功率IC,二极管、晶闸管、BJT属于第一代功率半导体器件,MOS、IGBT属于第二代功率半导体器件
8、,附加值更高。2020年全球功率半导体市场规模达452亿美元,中国市场占比约为40%,功率IC市场规模达243亿元(占比54%),功率器件&模块市场规模达209亿美元(占比46%)、20162020年CAGR达7%,从市场规模占比来看,整流器、MOSFET、IGBT是最重要的功率器件,市场占比达19%、41%、31%,从成长性来看,IGBT成长性最佳、20162020年CAGR达14%。二极管:是不可控型功率半导体器件,主要用于将交流电转换为直流电,功能类似于机械单向阀,在一个方向上以最小的电阻传导电流,称为正向,同时防止电流流向相反的方向。优点在于结构和原理简单,缺点在于无法控制通断且电流只
9、能正向流通。晶闸管:又称为可控硅整流器,是一种大功率开关型半导体器件能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。MOS(绝缘栅型场效应管):金氧半场效晶体管,是一种全控型电压驱动器件,依照其工作载流子的极性不同可分为“N型”和“P型”,正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断,具有开关频率高速度快、输入阻抗高、抗击穿性好、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快等优点,主要缺点在于通态压降大,电流、电压额定低等。MOSFET主要运用于消费电子、通讯、工业、汽车电子等领域的中小功率场合例如电脑电源、充电桩等。
10、2020年MOS市场规模为81亿元,20162020年CAGR达9%。 JT(双极型晶体管):是一种全控型电流驱动器件,具有三个引脚(基极、集电极和发射极)和两个结(P结和N结),晶体管中的电荷流动主要由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移作用。双极性晶体管能够放大信号,同时具有通态压降小、通态损耗小的优点,适合给可预测电流消耗的设备供电,被用于构成放大器电路、驱动扬声器和电动机等设备,并广泛运用于航天航空、医疗机械和机器人等领域。BJT的主要缺点在于驱动功率大,频率低,在高电压工作条件下电流增益很低。IGBT(绝缘栅双极型晶体管):是由MOS、BJT组成的复合全控型功率半导体,兼具MOS输入阻
11、扛高、BJT导通电压低的两大优势,驱动功率小且饱和电压低,适用于高压、大电流领域,是电力电子装臵的CPU。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约74.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx颗IGBT的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资41473.07万元,其中:建设投资31433.44万元,占项目总投资的75.79%;建设期利息796.25万元,占项目总投资的1.92%;流动资金9243.38万元,占项目总投资的22.29%
12、。(五)资金筹措项目总投资41473.07万元,根据资金筹措方案,xx有限责任公司计划自筹资金(资本金)25222.92万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额16250.15万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):91400.00万元。2、年综合总成本费用(TC):69716.31万元。3、项目达产年净利润(NP):15895.17万元。4、财务内部收益率(FIRR):30.17%。5、全部投资回收期(Pt):5.18年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):26233.35万元(产值)。(七)社会效益由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较
13、先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积49333.00约74.00亩1.1总建筑面积98121.231.2基底面积31079.791.3投资强度万元/亩418.152总投资万元41473.072.1建设投资万元31433.442.1.1工程费用万
14、元27091.892.1.2其他费用万元3377.742.1.3预备费万元963.812.2建设期利息万元796.252.3流动资金万元9243.383资金筹措万元41473.073.1自筹资金万元25222.923.2银行贷款万元16250.154营业收入万元91400.00正常运营年份5总成本费用万元69716.316利润总额万元21193.567净利润万元15895.178所得税万元5298.399增值税万元4084.4210税金及附加万元490.1311纳税总额万元9872.9412工业增加值万元32864.6413盈亏平衡点万元26233.35产值14回收期年5.1815内部收益率3
15、0.17%所得税后16财务净现值万元26435.45所得税后第二章 项目建设背景、必要性一、 供给端:缺货涨价潮助力国产替代加速,2022年国产化率有望达38%行业国产率较低,2019年仅12%从全球IGBT竞争格局来看,行业较为集中,根据Yole,2020年行业CR3达50%,英飞凌是行业绝对龙头、市占率达27%。分产品类型来看:IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分部式光伏逆变器、小功率变频器,制造工艺为环氧注塑工艺。2020年行业CR3达53%,英飞凌是行业绝对龙头、市占率超29%,国内士兰微市占率达2.6%、位居第十名。IPM模块应用于白色家电中的变频空调、变频洗衣机,制造工艺为环氧
16、注塑工艺。2020年行业CR3达62%,三菱是行业绝对龙头、市占率达33%,国内士兰微市占率达1.6%、位居第九名,华微电子市占率为0.9%、位居第十名。IGBT模块应用于大功率变频器、电焊机、新能源车、集中式光伏等领域,制造工艺为灌胶工艺。2020年行业CR3达58%,英飞凌是行业绝对龙头、市占率达36%,国内斯达半导市占率达2.8%、位居第六名。行业国产化率较低,2019年仅12%。根据Yole,从产量来看,2015年国内自给率为10%、2019年国内自给率仅12%,行业自给率缓慢提升。考虑海外产品规格更高、预计从市场规模口径来看国产化率更低。分行业来看:新能源车国产率较高,光伏国产化率接
17、近于0。1)新能源车:得益于近年来中国新能源车市场蓬勃发展,带动国内IGBT厂商快速成长,新能源车国产化率相较较高,2019年比亚迪、斯达市占率达20%、17%。2020年斯达半导生产的汽车级IGBT模块合计配套超过20万套新能源车汽车、市占率达15%。2)光伏&储能:2020年国内该领域国产化率接近为0。根据固德威2021年年报,“IGBT元器件国内生产商较少,与进口部件相比,产品稳定性、技术指标存在一定差异。目前,国产IGBT元器件、IC半导体的性能稳定性及相关技术指标未能完全满足公司产品的技术要求,预计短期内不能完全实现进口替代。”3)工业:斯达半导是国内工控IGBT龙头,2019、20
18、20年斯达工控和电源行业收入达6、7亿元,对应市占率约为7%、9%,工控行业国产化率较低。缺货涨价潮助力国产替代加速,2022年行业国产化率有望达38%2020年以来,需求端得益于新能源车、光伏需求爆发,供给端海外疫情反复限制海外产能,IGBT供需失衡,海外大厂交期持续上升,价格持续上升。得益于缺货涨价潮,IGBT行业国产化率快速提升。1)2021年英飞凌功率半导体业务收入同增20%,国内上市公司斯达半导体IGBT收入同增75%,士兰微IGBT业务收入实现翻倍增长,比亚迪半导功率半导体收入同增152%,中车时代功率半导体收入同增33%,新洁能IGBT收入同增529%。2)2020、2021年国
19、内上市公司IGBT收入达31、57亿元,同增59%、88%,国产化率达为17%、25%,提升5pct、8pct。分行业来看:新能源车、新能源发电、工控、白电领域国产化率快速攀升。1)新能源车:2021年比亚迪半导、斯达半导、时代电气车载IGBT收入约为13、5、2亿元,同比均实现翻倍增长,国产化率超30%。2)工业:斯达半导是国内工控IGBT龙头,士兰微、华润微、宏微科技等企业亦有出货。2021年斯达半导工控和电源IGBT收入约为11亿元、同增51%、市占率约为12%,国产化率进一步提升。3)白电:士兰微是国内IPM龙头,新洁能、扬杰科技等企业亦有出货。2021年士兰微IPM收入达8.6亿元,
20、白电领域IPM模块出货量超3800万颗,同比实现翻倍增长,出货量市占率达20%,国产化率快速攀升。4)2021年斯达半导、时代电气、扬杰科技、新洁能光伏IGBT收入均为几千万,且处于快速放量阶段。二、 功率半导体市场稳健增长,IGBT增速领先功率半导体是电子装臵中电能转换与电路控制的核心,是能够支持高电压、大电流的半导体,主要用于改变电压、频率、电力转换(将直流(DC)转换为交流(AC),将交流(AC)转为为直流(DC)。功率半导体主要产品包括功率器件(二极管、IGBT、MOS、BJT)、功率IC,二极管、晶闸管、BJT属于第一代功率半导体器件,MOS、IGBT属于第二代功率半导体器件,附加值
21、更高。2020年全球功率半导体市场规模达452亿美元,中国市场占比约为40%,功率IC市场规模达243亿元(占比54%),功率器件&模块市场规模达209亿美元(占比46%)、20162020年CAGR达7%,从市场规模占比来看,整流器、MOSFET、IGBT是最重要的功率器件,市场占比达19%、41%、31%,从成长性来看,IGBT成长性最佳、20162020年CAGR达14%。二极管:是不可控型功率半导体器件,主要用于将交流电转换为直流电,功能类似于机械单向阀,在一个方向上以最小的电阻传导电流,称为正向,同时防止电流流向相反的方向。优点在于结构和原理简单,缺点在于无法控制通断且电流只能正向流
22、通。晶闸管:又称为可控硅整流器,是一种大功率开关型半导体器件能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。MOS(绝缘栅型场效应管):金氧半场效晶体管,是一种全控型电压驱动器件,依照其工作载流子的极性不同可分为“N型”和“P型”,正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断,具有开关频率高速度快、输入阻抗高、抗击穿性好、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快等优点,主要缺点在于通态压降大,电流、电压额定低等。MOSFET主要运用于消费电子、通讯、工业、汽车电子等领域的中小功率场合例如电脑电源、充电桩等。2020
23、年MOS市场规模为81亿元,20162020年CAGR达9%。 JT(双极型晶体管):是一种全控型电流驱动器件,具有三个引脚(基极、集电极和发射极)和两个结(P结和N结),晶体管中的电荷流动主要由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移作用。双极性晶体管能够放大信号,同时具有通态压降小、通态损耗小的优点,适合给可预测电流消耗的设备供电,被用于构成放大器电路、驱动扬声器和电动机等设备,并广泛运用于航天航空、医疗机械和机器人等领域。BJT的主要缺点在于驱动功率大,频率低,在高电压工作条件下电流增益很低。IGBT(绝缘栅双极型晶体管):是由MOS、BJT组成的复合全控型功率半导体,兼具MOS输入阻扛高、B
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