结晶的概念.ppt

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1、结晶的概念结晶的概念结晶的概念n溶液中的溶质在一定条件下，因分子有规则溶液中的溶质在一定条件下，因分子有规则的排列而结合成晶体，晶体的化学成分均一，的排列而结合成晶体，晶体的化学成分均一，具有各种对称的晶体，其特征为离子和分子具有各种对称的晶体，其特征为离子和分子在空间晶格的结点上呈规则的排列在空间晶格的结点上呈规则的排列n固体有结晶和无定形两种状态固体有结晶和无定形两种状态n结晶：析出速度慢，溶质分子有足够时间进结晶：析出速度慢，溶质分子有足够时间进行排列，粒子排列有规则行排列，粒子排列有规则n无定形固体：析出速度快，粒子排列无规则无定形固体：析出速度快，粒子排列无规则-沉淀沉淀n只有同类分

2、子或离子才能排列成晶体，只有同类分子或离子才能排列成晶体，因此结晶过程有良好的选择性。因此结晶过程有良好的选择性。n通过结晶，溶液中大部分的杂质会留通过结晶，溶液中大部分的杂质会留在母液中，再通过过滤、洗涤，可以在母液中，再通过过滤、洗涤，可以得到纯度较高的晶体。得到纯度较高的晶体。n结晶过程具有成本低、设备简单、操结晶过程具有成本低、设备简单、操作方便，广泛应用于氨基酸、有机酸、作方便，广泛应用于氨基酸、有机酸、抗生素、维生素、核酸等产品的精制。抗生素、维生素、核酸等产品的精制。AFMAFM下的抗生素晶体下的抗生素晶体 AFMAFM下的抗生素晶体层下的抗生素晶体层23.1结晶过程分析n饱和溶

3、液：当溶液中溶质浓度等于该饱和溶液：当溶液中溶质浓度等于该溶质在同等条件下的饱和溶解度时，溶质在同等条件下的饱和溶解度时，该溶液称为饱和溶液；该溶液称为饱和溶液；n过饱和溶液：溶质浓度超过饱和溶解过饱和溶液：溶质浓度超过饱和溶解度时，该溶液称之为过饱和溶液；度时，该溶液称之为过饱和溶液；n溶质只有在过饱和溶液中才能析出；溶质只有在过饱和溶液中才能析出；n溶质溶解度与温度、溶质分散度（晶溶质溶解度与温度、溶质分散度（晶体大小）有关。体大小）有关。凯尔文（Kelvin）公式C*-小晶体的溶解度；小晶体的溶解度；C-颗粒半径为颗粒半径为r r的溶质的溶质溶解度溶解度-固体颗粒与溶液间的界面张力；固体

4、颗粒与溶液间的界面张力；-晶体密度晶体密度R-气体常数气体常数；T-绝对温度绝对温度结晶过程的实质n结晶是指溶质自动从过饱和溶液中析结晶是指溶质自动从过饱和溶液中析出，形成新相的过程。出，形成新相的过程。n这一过程不仅包括溶质分子凝聚成固这一过程不仅包括溶质分子凝聚成固体，还包括这些分子有规律地排列在体，还包括这些分子有规律地排列在一定晶格中，这一过程与表面分子化一定晶格中，这一过程与表面分子化学键力变化有关；学键力变化有关；n因此，结晶过程是一个因此，结晶过程是一个表面化学反应表面化学反应过程。过程。晶体的形成n形成新相（固体）需要一定的表面自由能。形成新相（固体）需要一定的表面自由能。因此

5、，溶液浓度达到饱和溶解度时，晶体因此，溶液浓度达到饱和溶解度时，晶体尚不能析出，只有当溶质浓度超过饱和溶尚不能析出，只有当溶质浓度超过饱和溶解度后，才可能有晶体析出。解度后，才可能有晶体析出。n首先形成晶核，由首先形成晶核，由Kelvin公式，微小的晶公式，微小的晶核具有较大的溶解度。实质上，在饱和溶核具有较大的溶解度。实质上，在饱和溶液中，晶核是处于一种形成液中，晶核是处于一种形成溶解溶解再形再形成的动态平衡之中，只有达到一定的过饱成的动态平衡之中，只有达到一定的过饱和度以后，晶核才能够稳定存在。和度以后，晶核才能够稳定存在。n过饱和度过饱和度S：最先析出的微小颗粒是以后晶体的中心，称为晶核

6、。最先析出的微小颗粒是以后晶体的中心，称为晶核。晶体的形成过程：晶体的形成过程：过饱和溶液的形成过饱和溶液的形成晶核的形成晶核的形成晶体生长晶体生长其中，其中，溶液达到过饱和状态是结晶的前提；过溶液达到过饱和状态是结晶的前提；过饱和度是结晶的推动力。饱和度是结晶的推动力。温度与溶解度的关系n由于物质在溶解时要吸收热量、结晶由于物质在溶解时要吸收热量、结晶时要放出结晶热。因此，结晶也是一时要放出结晶热。因此，结晶也是一个质量与能量的传递过程，它与体系个质量与能量的传递过程，它与体系温度的关系十分密切。温度的关系十分密切。n溶解度与温度的关系可以用饱和曲线溶解度与温度的关系可以用饱和曲线和过饱和曲

7、线表示和过饱和曲线表示影响溶液过饱和度的因素n饱和曲线是固定的饱和曲线是固定的n不饱和曲线受搅拌、搅拌强度、晶种、不饱和曲线受搅拌、搅拌强度、晶种、晶种大小和多少、冷却速度的快慢等晶种大小和多少、冷却速度的快慢等因素的影响因素的影响结晶与溶解度之间的关系n晶体产量取决于溶液与固体之间的溶解晶体产量取决于溶液与固体之间的溶解析出平衡；析出平衡；n固体溶质加入未饱和溶液固体溶质加入未饱和溶液溶解；溶解；n固体溶质加入饱和溶液固体溶质加入饱和溶液平衡平衡（Vs=Vd）n固体溶质加入过饱和溶液固体溶质加入过饱和溶液晶体析出晶体析出过饱和溶液的形成n热饱和溶液冷却（等溶剂结晶）热饱和溶液冷却（等溶剂结晶

8、）适用于溶解度随温度升高而增加的体适用于溶解度随温度升高而增加的体系；同时，溶解度随温度变化的幅度系；同时，溶解度随温度变化的幅度要适中；要适中；自然冷却、间壁冷却（冷却剂与溶液自然冷却、间壁冷却（冷却剂与溶液隔开）、直接接触冷却（在溶液中通隔开）、直接接触冷却（在溶液中通入冷却剂）入冷却剂）n部分溶剂蒸发法（等温结晶法）部分溶剂蒸发法（等温结晶法）适用于溶解度随温度降低变化不大的适用于溶解度随温度降低变化不大的体系，或随温度升高溶解度降低的体体系，或随温度升高溶解度降低的体系；系；加压、减压或常压蒸馏加压、减压或常压蒸馏n真空蒸发冷却法真空蒸发冷却法使溶剂在真空下迅速蒸发，并结合绝使溶剂在真

9、空下迅速蒸发，并结合绝热冷却，是结合冷却和部分溶剂蒸发热冷却，是结合冷却和部分溶剂蒸发两种方法的一种结晶方法。两种方法的一种结晶方法。设备简单、操作稳定设备简单、操作稳定n化学反应结晶化学反应结晶加入反应剂产生新物质，当该新物质加入反应剂产生新物质，当该新物质的溶解度超过饱和溶解度时，即有晶的溶解度超过饱和溶解度时，即有晶体析出；体析出；其方法的实质是利用化学反应，对待其方法的实质是利用化学反应，对待结晶的物质进行修饰，一方面可以调结晶的物质进行修饰，一方面可以调节其溶解特性，同时也可以进行适当节其溶解特性，同时也可以进行适当的保护；的保护；盐析结晶n加入一种物质于溶液中，使溶质的溶加入一种物

10、质于溶液中，使溶质的溶解度降低，形成过饱和溶液而结晶解度降低，形成过饱和溶液而结晶的方法。的方法。n常用的沉淀剂：固体氯化钠、甲醇、常用的沉淀剂：固体氯化钠、甲醇、乙醇、丙酮乙醇、丙酮23.3 晶核的形成n初级成核：无晶种存在。均相成核和非初级成核：无晶种存在。均相成核和非均相成核。均相成核。n二次成核：有晶种存在。剪切力成核和二次成核：有晶种存在。剪切力成核和接触成核。接触成核。n晶核的形成是一个新相产生的过程，需晶核的形成是一个新相产生的过程，需要消耗一定的能量才能形成固液界面；要消耗一定的能量才能形成固液界面；n结晶过程中，体系总的自由能变化分为两结晶过程中，体系总的自由能变化分为两部分

11、，即：表面过剩吉布斯自由能部分，即：表面过剩吉布斯自由能（Gs）和体积过剩吉布斯自由能和体积过剩吉布斯自由能（Gv）n晶核的形成必须满足：晶核的形成必须满足：G=Gs+Gv0，阻碍晶核形成阻碍晶核形成；Gv0临界半径与成核功n假定晶核形状为球形，半径为假定晶核形状为球形，半径为r，则则Gv=4/3(r3 Gv)；若以若以代表液固界面的代表液固界面的表面张力，则表面张力，则Gs=A=4 r2；n因此，在恒温、恒压条件下，形成一个半径因此，在恒温、恒压条件下，形成一个半径为为r 的晶核，其总吉布斯自由能的变化为的晶核，其总吉布斯自由能的变化为：G=4 r2(+(r/3)Gv)Gv形成单位体积晶体的

12、吉布斯自由能变化临界半径（rc）n临界晶核半径是指临界晶核半径是指G为最为最大值时的晶核半径；大值时的晶核半径；nr0，晶核不能自动形成晶核不能自动形成；nrrc 时，时，Gv占优势占优势，故故G0，晶核可以自动形成，晶核可以自动形成，并可以稳定生长；并可以稳定生长；过饱和度过饱和度临界晶体半径临界晶体半径rrrrc c 晶体自动溶解晶体自动溶解r rr rc c晶体自动生长晶体自动生长临界成核功（G max）nG max相当于形成临界大小晶核时，外界相当于形成临界大小晶核时，外界需消耗的功。需消耗的功。临界成核功仅相当于形成临界半径晶核时表面吉布斯自由能的1/3，亦即形成晶核时增加的G s中

13、有2/3为G v的降低所抵消晶核的成核速度n定义：单位时间内在单位体积溶液中定义：单位时间内在单位体积溶液中生成新核的数目。生成新核的数目。n是决定结晶产品粒度分布的首要动力是决定结晶产品粒度分布的首要动力学因素；学因素；n成核速度大：导致细小晶体生成成核速度大：导致细小晶体生成n因此，需要避免过量晶核的产生因此，需要避免过量晶核的产生成核速度的近似公式B成核速度Gmax成核时临界吉布斯自由能K常数Kn晶核形成速度常数c溶液中溶质的浓度C*饱和溶液中溶质的浓度n成核过程中的动力学指数常用的工业起晶方法n自然起晶法自然起晶法：溶剂蒸发进入不稳定区形：溶剂蒸发进入不稳定区形成晶核、当产生一定量的晶

14、种后，加入稀成晶核、当产生一定量的晶种后，加入稀溶液使溶液浓度降至亚稳定区，新的晶种溶液使溶液浓度降至亚稳定区，新的晶种不再产生，溶质在晶种表面生长。不再产生，溶质在晶种表面生长。n刺激起晶法刺激起晶法：将溶液蒸发至亚稳定区后，：将溶液蒸发至亚稳定区后，冷却，进入不稳定区，形成一定量的晶核，冷却，进入不稳定区，形成一定量的晶核，此时溶液的浓度会有所降低，进入并稳定此时溶液的浓度会有所降低，进入并稳定在亚稳定的养晶区使晶体生长。在亚稳定的养晶区使晶体生长。n晶种起晶法晶种起晶法：将溶液蒸发后冷却至亚稳定：将溶液蒸发后冷却至亚稳定区的较低浓度，加入一定量和一定大小的区的较低浓度，加入一定量和一定大

15、小的晶种，使溶质在晶种表面生长。晶种，使溶质在晶种表面生长。n该方法容易控制、所得晶体形状大小均较该方法容易控制、所得晶体形状大小均较理想，是一种常用的工业起晶方法。理想，是一种常用的工业起晶方法。晶种控制n晶种起晶法中采用的晶种直径通常小于晶种起晶法中采用的晶种直径通常小于0.1mm；晶种加入量由实际的溶质附着量；晶种加入量由实际的溶质附着量以及晶种和产品尺寸决定以及晶种和产品尺寸决定Ws，Wp晶种和产品的质量，kgLs，Lp晶种和产品的尺寸，mm晶体的生长n晶体生长的扩散学说晶体生长的扩散学说（1 1）溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面）溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一个滞流层，从溶液中

16、转移到晶体的表的一个滞流层，从溶液中转移到晶体的表面；面；（2 2）到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶）到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶体增大，同时放出结晶热；体增大，同时放出结晶热；（3 3）结晶热传递回到溶液中；）结晶热传递回到溶液中；n根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差；与晶体表面浓度差；n而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面

17、浓应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值度与饱和浓度的差值扩散方程扩散过程表面反应过程 质量传递速度Kd扩散传质系数Kr表面反应速度常数C，Ci，C*分别为溶液主体浓度、溶液界面浓度、溶液饱和浓度n将以上二式合并，可以得到总的质量传递将以上二式合并，可以得到总的质量传递速度方程：速度方程：其中n当当Kr很大时，很大时，K近似等于近似等于Kd，结晶过程由，结晶过程由扩散速度控制；扩散速度控制；n反之反之Kd很大，很大，K近似等于近似等于Kr，结晶过程由，结晶过程由表面反应速度控制；表面反应速度控制；n定律：定律：n为了简化方程的应用，可以假定晶体在各为了简化方程的应用，可以假定晶

18、体在各个方向的生长速率相同，这样就可以任意个方向的生长速率相同，这样就可以任意选择某一方向矢量的变化，来衡量晶体体选择某一方向矢量的变化，来衡量晶体体积的变化，公式就可以简化为积的变化，公式就可以简化为：影响晶体生长速度的因素n杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢；因杂质吸附导致的晶体生长缓慢；n搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成；搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成；n温度：促进表面化学反应速度的提高，增温度：促进表面化学反应速度的提高，增加结晶速度；加结

19、晶速度；晶体纯度计算分离因素Ep结晶因素，晶体中P的量与其在滤液中的量的比值Ei结晶因素，晶体中杂质的量与其在滤液中的量的比值晶体大小分布n晶体群体密度晶体群体密度n结晶过程中产生的晶体大小不是均一的。结晶过程中产生的晶体大小不是均一的。因此，需要引入群体密度的概念来加以描因此，需要引入群体密度的概念来加以描述：述：N单位体积中含有尺寸从0l的各种大小晶体的数目；提高晶体质量的方法n晶体质量包括三个方面的内容：晶体质量包括三个方面的内容：晶体大小、形状和纯度晶体大小、形状和纯度n影响晶体大小的因素：影响晶体大小的因素：过饱和度，温度、晶核质量、搅拌等过饱和度，温度、晶核质量、搅拌等n影响晶体形

20、状的因素：影响晶体形状的因素：改变过饱和度、改变溶剂体系、杂质改变过饱和度、改变溶剂体系、杂质n影响晶体纯度的因素：影响晶体纯度的因素：母液中的母液中的杂质杂质、结晶速度、晶体粒度及粒度、结晶速度、晶体粒度及粒度分布分布晶体结块n晶体结块是一种导致结晶产品品质劣化晶体结块是一种导致结晶产品品质劣化的现象，导致晶体结块的主要原因有：的现象，导致晶体结块的主要原因有：（1）结晶理论：由于某些原因造成晶体表）结晶理论：由于某些原因造成晶体表面溶解并重结晶，使晶粒之间在接触点面溶解并重结晶，使晶粒之间在接触点上形成固体晶桥，呈现结块现象；上形成固体晶桥，呈现结块现象；（2）毛细管吸附理论：由于晶体间或

21、晶体）毛细管吸附理论：由于晶体间或晶体内的毛细管结构，水分在晶体内扩散，内的毛细管结构，水分在晶体内扩散，导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结块。块。重结晶n经过一次粗结晶后，得到的晶体通常会含经过一次粗结晶后，得到的晶体通常会含有一定量的杂质。此时工业上常常需要采有一定量的杂质。此时工业上常常需要采用重结晶的方式进行精制。用重结晶的方式进行精制。n重结晶重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的

22、溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。的操作。重结晶的操作过程n选择合适的溶剂；选择合适的溶剂；n将经过粗结晶的物质加入少量的热溶剂中，将经过粗结晶的物质加入少量的热溶剂中，并使之溶解；并使之溶解；n冷却使之再次结晶；冷却使之再次结晶；n分离母液；分离母液；n洗涤；洗涤；结晶设备n冷却结晶器n蒸发结晶器：真空蒸发。蒸发结晶釜蒸发结晶釜工业应用n抗生素青霉素结晶n氨基酸谷氨酸结晶 青霉素青霉素G G晶体扫描电镜晶体扫描电镜 谷氨酸结晶谷氨酸结晶思考题n什么是结晶过程？什么是结晶过程？n结晶操作的特点有哪些？结晶操作的特点有哪些？n凯尔文公式的内容？凯尔文公式的内容？n在何种条件下，溶液中才有晶体析出？在何种条件下，溶液中才有晶体析出？n影响晶体形成的主要因素有哪些？影响晶体形成的主要因素有哪些？n晶种的作用是什么？晶种的作用是什么？n绘制饱和温度曲线和过饱和温度曲线，并标明稳定区、亚绘制饱和温度曲线和过饱和温度曲线，并标明稳定区、亚稳定区和不稳定区稳定区和不稳定区