双极型晶体管(bjt).ppt
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1、双极型晶体管双极型晶体管(bjt)引言 双极型双极型双极型双极型半导体三极管(亦称为晶体管)一般有三半导体三极管(亦称为晶体管)一般有三半导体三极管(亦称为晶体管)一般有三半导体三极管(亦称为晶体管)一般有三个电极(即三个引出脚),按工作性质亦分为高、低个电极(即三个引出脚),按工作性质亦分为高、低个电极(即三个引出脚),按工作性质亦分为高、低个电极(即三个引出脚),按工作性质亦分为高、低频晶体三极管;大功率、中功率和小功率晶体三极管;频晶体三极管;大功率、中功率和小功率晶体三极管;频晶体三极管;大功率、中功率和小功率晶体三极管;频晶体三极管;大功率、中功率和小功率晶体三极管;用作信号放大用的
2、三极管和用做开关的三极管。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管,由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管,由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管,由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管,由于硅三极管工作稳定性较好,所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好,所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好,所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好,所以现在大部分三极管都是用硅材料做的。下面是一些三极管的外型。硅材料做的。下面是一些三极管
3、的外型。硅材料做的。下面是一些三极管的外型。硅材料做的。下面是一些三极管的外型。大功大功大功大功率低率低率低率低频三频三频三频三极管极管极管极管中功中功中功中功率低率低率低率低频三频三频三频三极管极管极管极管小功小功小功小功率高率高率高率高频三频三频三频三极管极管极管极管返回返回返回返回学习要点本本本本 节节节节 学学学学 习习习习 要要要要 点点点点 和和和和 要要要要 求求求求半半导导体体三三极极管管的的结结构构半半导导体体三三极极管管的的结结构构晶晶 体体 三三 极极 管管 常常 用用 参参 数数 的的 意意 义义晶晶 体体 三三 极极 管管 常常 用用 参参 数数 的的 意意 义义晶晶
4、 体体 三三 极极 管管 的的 放放 大大 原原 理理晶晶 体体 三三 极极 管管 的的 放放 大大 原原 理理共共 射射 电电 路路 输输 入入 特特 性性 曲曲 线线 的的 意意 义义共共 射射 电电 路路 输输 入入 特特 性性 曲曲 线线 的的 意意 义义共共 射射 电电 路路 输输 出出 特特 性性 曲曲 线线 的的 意意 义义共共 射射 电电 路路 输输 出出 特特 性性 曲曲 线线 的的 意意 义义返回返回返回返回半导体三极管特性主页 使用说明:要学习哪部分内容,只使用说明:要学习哪部分内容,只需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标左键即可,按空格键或鼠
5、标左键将按左键即可,按空格键或鼠标左键将按目录顺序学习。目录顺序学习。一一、晶晶 体体 管管 结结 构构 简简 介介一一、晶晶 体体 管管 结结 构构 简简 介介二二、晶晶体体管管的的电电流流分分配配和和放放大大作作用用二二、晶晶体体管管的的电电流流分分配配和和放放大大作作用用三三、晶晶 体体 管管 的的 特特 性性 曲曲 线线三三、晶晶 体体 管管 的的 特特 性性 曲曲 线线结束结束结束结束四四、四四、(B J T)(B J T)的的 主主 要要 参参 数数的的 主主 要要 参参 数数黄黄黄黄山山山山 百百百百步步步步云云云云梯梯梯梯返回返回返回返回晶体管的特性晶体管的特性一、晶体管结构简
6、介一、晶体管结构简介1.晶体管的两种结构一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介 1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)继续继续继续继续2.晶体管的三个区一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介继续继续继续继续2.2.晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区:N集电区集电区NP基区基区e e发发发发射射射射极极极极b b 基基基基极极极极c c 集集集集电电电电极极极极发射
7、区发射区发射区发射区管芯结构剖面图管芯结构剖面图管芯结构剖面图管芯结构剖面图 基区基区基区基区(P):(P):很薄很薄很薄很薄,空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较小小小小引出基极引出基极引出基极引出基极b.b.发射区发射区发射区发射区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较小面较小面较小面较小引出发射极引出发射极引出发射极引出发射极e.e.集电区集电区集电区集电区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较大面较大面较大面较大引出集电极引出集电极引出集电极引出集电极c.c.1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNN
8、PN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 以以以以NPNNPN型晶体型晶体型晶体型晶体管为例。管为例。管为例。管为例。双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)发射极的电路符号继续继续继续继续一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介 基区基区基区基区(P):(P):很薄很薄很薄很薄,空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较小小小小引出基极引出基极引出基极引出基极b.b.发射区发射区发射区发射区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较小面较小面较小面较小引出发射极引出发射极引出发射极引出发射极e.e.集
9、电区集电区集电区集电区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较大面较大面较大面较大引出集电极引出集电极引出集电极引出集电极c.c.1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 注意:发射极的符注意:发射极的符注意:发射极的符注意:发射极的符号带箭头。号带箭头。号带箭头。号带箭头。PNP型型ECBECBNPN型型半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号2.2.晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区:双极型晶体管双极型晶体
10、管(BJT)(BJT)双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)3.晶体管的两个PN结一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介 1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 继续继续继续继续本页完本页完本页完本页完PNP型型ECBECBNPN型型半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号 NPN NPN与与与与PNPPNP管具有几乎等同的特性,只不过各电极管具有几乎等同的特性,只不过各电极管具有几乎等同的特性,只不过各电极管具有几乎
11、等同的特性,只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而已。端的电压极性和电流流向不同而已。端的电压极性和电流流向不同而已。端的电压极性和电流流向不同而已。2.2.晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区:很显然很显然很显然很显然 ,三极管有两个三极管有两个三极管有两个三极管有两个 PNPN结,发射区与基区间的称为结,发射区与基区间的称为结,发射区与基区间的称为结,发射区与基区间的称为发射结,集电区与基区间的叫发射结,集电区与基区间的叫发射结,集电区与基区间的叫发射结,集电区与基区间的叫集电结。集电结。集电结。集电结。单击单击返回返回,返回返回学习主页学习主页学习主页学习主页,单击
12、,单击继续继续,继续往下学习。继续往下学习。继续继续返回返回双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分二、晶体管的电流分配和放大作用配和放大作用1.晶体管正常工作时各极电压的连接及作用NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性继续继续继续继续 顾名思义:发射区的作顾名思义:发射区的作顾名思义:发射区的作顾名思义:发射区的作用是发射电用是发射电用是发射电用是发射电 子子
13、子子,集电区的作集电区的作集电区的作集电区的作用是收集电子用是收集电子用是收集电子用是收集电子,下面以下面以下面以下面以NPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管 为例分析为例分析为例分析为例分析 载流子载流子载流子载流子(即电子和空穴即电子和空穴即电子和空穴即电子和空穴)在晶体管内在晶体管内在晶体管内在晶体管内部的传输情况。部的传输情况。部的传输情况。部的传输情况。二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极基极基极基极
14、基极 发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于正向正向正向正向偏偏偏偏置置置置目的削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结 集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于反向反向反向反向偏偏偏偏置置置置目的增强集电结目的增强集电结目的增强集电结目的增强集电结VEEVCC+ICN连接连接连接连接BJTBJT各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)动画
15、演示NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向继续继续继续继续VEEVCCVCC+ICN 发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于正向正向正向正向偏偏偏偏置置置置目的削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结 集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于反向反向反向反向偏偏偏偏置置置置目的增强集电结目的增强集电结目的增强集电结目的增强集电结 二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用 分析集射结电分析
16、集射结电分析集射结电分析集射结电场方向知场方向知场方向知场方向知,反向反向反向反向偏置有利于收集偏置有利于收集偏置有利于收集偏置有利于收集在基区的电子在基区的电子在基区的电子在基区的电子单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性 发射结变薄有发射结变薄有发射结变薄有发射结变薄有利于发射区的电利于发射区的电利于发射区的电利于发射区的电子向基区扩散子向基区扩散子向基区扩
17、散子向基区扩散连接连接连接连接BJTBJT各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用2.晶体管的电流分配发射极电流的组成NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向2.2.晶体管的电流分配晶体
18、管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 发射极电流发射极电流发射极电流发射极电流I IE E:主要由发射区的主要由发射区的主要由发射区的主要由发射区的电子扩散电子扩散电子扩散电子扩散(I(IENEN)而成而成而成而成,亦有极少数的亦有极少数的亦有极少数的亦有极少数的由基区向发射区扩散由基区向发射区扩散由基区向发射区扩散由基区向发射区扩散 的空穴电流的空穴电流的空穴电流的空穴电流(I(IEPEP)。继续继续继续继续I IE E=I=IENEN+I+IEPEP I IENENVEEVCCVCC+ICN 注意电流方向:电流方注意电流方向:电流方注意电流方向:电流方注意电流方向:电流方向与电子移
19、动方向相反向与电子移动方向相反向与电子移动方向相反向与电子移动方向相反,与与与与空穴移动方向相同。空穴移动方向相同。空穴移动方向相同。空穴移动方向相同。单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二
20、、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用基极电流的形成NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向继续继续继续继续本页完本页完本页完本页完 基极电流基极电流基极电流基极电流I IB B:基极电流主要由基基极电流主要由基基极电流主要由基基极电流主要由基区的空穴区的空穴区的空穴区的空穴 与从发射区扩散与从发射区扩散与从发射区扩散与从发射区扩散 过来的过来的过来的过来的电子复合而成。同时电源电子复合而成。同时电源电子复合而成。同时电源电子复合而成
21、。同时电源V VEEEE又不又不又不又不断地从基区中把电子拉走断地从基区中把电子拉走断地从基区中把电子拉走断地从基区中把电子拉走,维持基维持基维持基维持基区有一定数量的空穴。区有一定数量的空穴。区有一定数量的空穴。区有一定数量的空穴。VEEVCCVCC+ICN单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一
22、般特性 由于基区有少由于基区有少由于基区有少由于基区有少量空穴量空穴量空穴量空穴,所以从发所以从发所以从发所以从发射区扩散过来的射区扩散过来的射区扩散过来的射区扩散过来的电子在基区会被电子在基区会被电子在基区会被电子在基区会被复合掉一些复合掉一些复合掉一些复合掉一些,形成形成形成形成基极电流。基极电流。基极电流。基极电流。晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)集极电流的形成 二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作
23、用与放大作用与放大作用与放大作用NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向继续继续继续继续本页完本页完本页完本页完 集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流I IC C:集电极电流主要集电极电流主要集电极电流主要集电极电流主要由集电结收集从发射区扩散至基由集电结收集从发射区扩散至基由集电结收集从发射区扩散至基由集电结收集从发射区扩散至基区的电子而成区的电子而成区的电子而成区的电子而成(I(ICNCN)。亦有由于基亦有由于基亦有由于基亦有由于基区和集电区的少子漂移作用而产区和集电区的少子漂移作用而产区和集电区的少子漂
24、移作用而产区和集电区的少子漂移作用而产生的很小的反向饱和电流生的很小的反向饱和电流生的很小的反向饱和电流生的很小的反向饱和电流I ICBOCBO。VEEVCCI IC C=I=ICNCN+I+ICBOCBO I ICNCNVCC+ICN 由于基区空穴的复合作用由于基区空穴的复合作用由于基区空穴的复合作用由于基区空穴的复合作用,集电区收集的电子数会比发射集电区收集的电子数会比发射集电区收集的电子数会比发射集电区收集的电子数会比发射区扩散的电子数要小一些区扩散的电子数要小一些区扩散的电子数要小一些区扩散的电子数要小一些,即即即即集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流I IC C比发射极电流比发射
25、极电流比发射极电流比发射极电流 I IE E要小一些。要小一些。要小一些。要小一些。单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管单击此框运行三极管载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示载流子分配动画演示2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT
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- 双极型 晶体管 bjt
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