半导体二极管的结构及特性教案.ppt
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1、半导体二极管的结构及特性 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性第第第第1 1 1 1章章章章 半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管OuD/ViD/mA正向特性正向特性Uth死区死区电压电压iD=0Uth=0.5 V 0.2 V(硅管硅管)(锗管锗管)U UthiD 急剧上升急剧上升0 U Uth UD(on)=0.6 0.7 V硅管硅管0.7 V0.2 0.3 V锗管锗管0.2 V反向特性反向特性I
2、SU(BR)反反向向击击穿穿U（BR)U 0 iD=IS 0.1 A(硅硅)几十几十 A(锗锗)U U（BR）反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)反向击穿类型：反向击穿类型：电击穿电击穿热击穿热击穿反向击穿原因反向击穿原因：齐纳击穿齐纳击穿：（Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压击穿电压 6V,正正温度系数温度系数)击穿电压在击穿电压在 6 V左右时，温度系数趋近零。左右时，温度系数趋近零。第第第第1 1 1 1章章章章 半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管iD/mAuD/V0.20.4 25 50510150.010.02锗管的锗管的伏安特性伏安特性0604020 0.02 0.0400.4 0.82550iD/mAuD/V硅管的硅管的伏安特性伏安特性1.2.3 温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响604020 0.02O 0.42550iD/mAuD/V20 C90 CT升高时，升高时，UD(on)以以 2 2.5 mV/C下降下降第第第第1 1 1 1章章章章 半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管
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