材料物理材料的电学性能.ppt
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1、材料物理材料的电学材料物理材料的电学性能性能主要内容主要内容6.1导电性导电性6.2超导性超导性6.3热传导与热电效应热传导与热电效应6.4材料的介电性能材料的介电性能6.1 导电性导电性l6.1.1自由电子近似下的导电自由电子近似下的导电l6.1.2能带理论下的导电性能带理论下的导电性l6.1.3导电性与温度的关系导电性与温度的关系l6.1.4电阻率与杂质的关系电阻率与杂质的关系l6.1.5霍尔效应霍尔效应l6.1.6电导功能材料电导功能材料6.1.1自由电子近似下的导电自由电子近似下的导电(1)经典自由电子理论)经典自由电子理论 欧姆定律:电流密度与电场强度成正比:欧姆定律:电流密度与电场
2、强度成正比:J=E:称为电导率,电阻率:称为电导率,电阻率的倒数。的倒数。l经典自由电子理论经典自由电子理论:当有电场存在时,材料中无规则热运:当有电场存在时,材料中无规则热运动的自由电子受电场力作用作加速运动。当电子与晶格原动的自由电子受电场力作用作加速运动。当电子与晶格原子碰撞时停止,运动受到阻力,即电阻的来源。子碰撞时停止,运动受到阻力,即电阻的来源。l设电场强度为设电场强度为E,单位体积内的自由电子数为,单位体积内的自由电子数为n,电子两,电子两次碰撞的平均自由时间(弛豫时间)为次碰撞的平均自由时间(弛豫时间)为 ,电子的平均漂移,电子的平均漂移速度为速度为v,电子的电量为,电子的电量
3、为e,质量为,质量为m,则价电子受到的力则价电子受到的力所以有所以有电流密度电流密度所以电导率所以电导率其中其中l=v为电子的平均自由程。为电子的平均自由程。成功地给出了成功地给出了电导率和电导率与热导率的关系电导率和电导率与热导率的关系,但,但实际测得的电子平均自由程比经典理论估计的要大得多,且实际测得的电子平均自由程比经典理论估计的要大得多,且无法解释导体、半导体和绝缘体的差异。无法解释导体、半导体和绝缘体的差异。(2)量子自由电子理论)量子自由电子理论l考虑量子效应,在自由电子近似下,仅费米面附近的电考虑量子效应,在自由电子近似下,仅费米面附近的电子运动未被抵消,对导电性有贡献。子运动未
4、被抵消,对导电性有贡献。在此情况下在此情况下与经典自由电子理论下的电导率的形式相与经典自由电子理论下的电导率的形式相同。同。F,lF,vF分别是费米面附近的电子的分别是费米面附近的电子的弛豫时间、平均自由程和运动速度。弛豫时间、平均自由程和运动速度。l按此模型可以成功地解释碱金属的电导。按此模型可以成功地解释碱金属的电导。l但对其他金属,如过渡金属,其电子结构复杂,电子分布不是简单的但对其他金属,如过渡金属,其电子结构复杂,电子分布不是简单的费米球,必须用能带理论才能解释其导电性。费米球,必须用能带理论才能解释其导电性。l 实际晶体的电子是以布洛赫波传导,电子的能量分布服从实际晶体的电子是以布
5、洛赫波传导,电子的能量分布服从费米费米狄拉克统计。狄拉克统计。自由电子模型的费米球和自由电子模型的费米球和费米费米-狄拉克分布函数狄拉克分布函数对于自由电子近似,电子处于对于自由电子近似,电子处于动量空间动量空间(Px,Py,Pz)中,从原点中,从原点开始,每个体积中依次占有两个电开始,每个体积中依次占有两个电子,子,n个电子处于填满球形的状态。个电子处于填满球形的状态。这个球称为这个球称为费米球费米球,球表面称,球表面称为为费米面费米面,球表面上的电子能量,球表面上的电子能量(最最大的电子能大的电子能)称为称为费米能费米能。在有限温度下,热激发引起球面混乱,即电子的占有几率在有限温度下,热激
6、发引起球面混乱,即电子的占有几率服从服从费米费米狄拉克狄拉克统计分布:统计分布:热激发引起的电子占有几率小于热激发引起的电子占有几率小于1的能量幅为的能量幅为kT(T300K时时为为0.025eV)。费米能为几个费米能为几个ev,因此,即使在有限温度,因此,即使在有限温度,费米球混乱也只费米球混乱也只在最表面在最表面。l如果不施加电场,电子作各向同性运动,没有电流流动;如果不施加电场,电子作各向同性运动,没有电流流动;l如果在某个方向上施加一个电压,电子的速度分布应该偏向如果在某个方向上施加一个电压,电子的速度分布应该偏向该方向,有净电流流动。该方向,有净电流流动。弛豫时间弛豫时间:系统恢复到
7、平衡状态的时间。:系统恢复到平衡状态的时间。l弛豫时间弛豫时间是电子能量的函数是电子能量的函数,以费米能级电子的弛豫时间,以费米能级电子的弛豫时间控制。控制。电导率电导率l自由电子近似对碱金属等纯金属成立自由电子近似对碱金属等纯金属成立,但对过镀金属等,但对过镀金属等具具有复杂电子结构的金属不成立有复杂电子结构的金属不成立,这类金属的导电性必须,这类金属的导电性必须根据根据能带理能带理论处理。论处理。自由近似电子的自由近似电子的E-K曲线曲线电子有效质量电子有效质量m*由德布罗意关系式由德布罗意关系式和和得得即采用即采用E-K曲线的曲率决定电子的有效质量。曲线的曲率决定电子的有效质量。有效电子
8、数有效电子数n*设一维晶格的长度为设一维晶格的长度为L,dk范围内包含的电子数为范围内包含的电子数为(L/2)dk,则则n*只由费米水平上的只由费米水平上的E-K曲线的形状决定。曲线的形状决定。u自由电子情况下的自由电子情况下的E-K曲线是抛物线,但一般情况下却不是曲线是抛物线,但一般情况下却不是抛物线。因此抛物线。因此根据根据E-K曲线的形状决定曲线的形状决定n*将会有很大的变化将会有很大的变化。6.1.2能带理论下的导电性能带理论下的导电性在能带理论下,有在能带理论下,有 n*:有效电子数,表示单位体积内实际参加传导过程的电子数;:有效电子数,表示单位体积内实际参加传导过程的电子数;m*:
9、电子的有效质量,是考虑晶体点阵对电场作用的结果。:电子的有效质量,是考虑晶体点阵对电场作用的结果。l该公式不仅适用于金属,也适用于非金属该公式不仅适用于金属,也适用于非金属。对碱金属,。对碱金属,n*=n,m*=m,即与自由电子的假设形式相同。,即与自由电子的假设形式相同。l不同的材料有不同的不同的材料有不同的n*,导致其导电性的很大差异,导致其导电性的很大差异。(1)一价元素一价元素IA族碱金属族碱金属Li,Na,K,Rb,Cs和和IB族族Cu,Ag,Au价带价带s电子半充满,良导体。电阻率电子半充满,良导体。电阻率=10-610-2m(2)二价元素二价元素IIA族碱土金属族碱土金属Be,M
10、g,Ca,Sr,Ba和和IIB族族Zn,Cd,Hg价带价带s 电子充满,应为绝缘体。但在三维晶体,能带交叠,电子充满,应为绝缘体。但在三维晶体,能带交叠,费米能级以上无禁带,导体。费米能级以上无禁带,导体。(3)三价元素三价元素IIIA 族族Al,Ga,In,Tl,s电子充满,电子充满,p电子半充满,导体。电子半充满,导体。(4)四价元素四价元素IVA族族Si,Ge,价带填满,导带空,有能隙,价带填满,导带空,有能隙Eg。l对对Si,Ge,Eg分别为分别为0.67eV,1.14eV,室温下价带电子受热激,室温下价带电子受热激发进入导带,成为传导电子发进入导带,成为传导电子低温下绝缘体,室温下半
11、低温下绝缘体,室温下半导体。导体。温度升高,导电性增加温度升高,导电性增加。(5)五价元素五价元素lAs,Sb,Bi,每个原子有,每个原子有5个价电子,每个原胞有两个原子,个价电子,每个原胞有两个原子,使五个带填使五个带填10个电子,几乎全满。有效电子很少,比一个电子,几乎全满。有效电子很少,比一般金属少般金属少4个数量级个数量级半金属半金属(6)离子晶体离子晶体l能带结构与四价元素相同,但能带结构与四价元素相同,但Eg很大,一般有效电子数很大,一般有效电子数是是0,为绝缘体。,为绝缘体。l例:例:NaCl,Na+的的3s 电子移到电子移到Cl-的的3p 轨道,轨道,3s 成为空成为空带,带,
12、3p成为满带,其间是成为满带,其间是10eV的禁带,热激发不能使之的禁带,热激发不能使之进入导带。进入导带。6.1.3导电性与温度的关系导电性与温度的关系电阻的来源电阻的来源l能带理论认为能带理论认为:能带中的电子可在晶格中自由运动,:能带中的电子可在晶格中自由运动,因此因此电子波通过理想晶体点阵电子波通过理想晶体点阵(0K)时不受散射,电阻)时不受散射,电阻为为0。l电阻的来源:破坏晶格周期性的因素对电子的散射。电阻的来源:破坏晶格周期性的因素对电子的散射。A.杂质和缺陷(空位、间隙原子、位错、晶界等)。杂质和缺陷(空位、间隙原子、位错、晶界等)。B.声子:晶格振动波的能量子声子:晶格振动波
13、的能量子。u晶格热振动晶格热振动:晶体中的原子以平衡:晶体中的原子以平衡位置为中心不停地振动,在弹性范位置为中心不停地振动,在弹性范围内交替聚拢和分离。围内交替聚拢和分离。u晶格热振动有波的形式,称为晶格晶格热振动有波的形式,称为晶格波(点阵波),其能量是量子化的。波(点阵波),其能量是量子化的。弛豫时间弛豫时间F:平均自由平均自由程程F:有点缺陷、位错和晶界等晶体缺陷决定。:有点缺陷、位错和晶界等晶体缺陷决定。电阻与温度的关系电阻与温度的关系对理想晶体,由于只有声子散射电子,所以电子的平均对理想晶体,由于只有声子散射电子,所以电子的平均自由程自由程lF由声子数目决定。声子数目随温度升高而增多
14、,由声子数目决定。声子数目随温度升高而增多,在不同的温度范围有不同的规律。在不同的温度范围有不同的规律。6.1.2导电性与温度的关系导电性与温度的关系高温时的电阻高温时的电阻德拜温度德拜温度TD:具有原子间距波长的声子被激发的温度。:具有原子间距波长的声子被激发的温度。声子的波长越长,能量越低;低温下只有长波长的声子被热激发。声子的波长越长,能量越低;低温下只有长波长的声子被热激发。爱因斯坦近似爱因斯坦近似:温度远大于温度远大于TD时原子是以稳定位置为中心独时原子是以稳定位置为中心独立振动的状态。立振动的状态。各种原子的振动频率称为各种原子的振动频率称为爱因斯坦频率爱因斯坦频率。在晶体中等于。
15、在晶体中等于德拜频率德拜频率:对于热平衡状态下的谐振子,能量对于热平衡状态下的谐振子,能量KT/2分分别被分配到别被分配到平均动能和势能中。平均动能和势能中。设振幅设振幅为为x,势能的平均值为势能的平均值为222DM(M为原子为原子质量)质量),温度为温度为T时振幅的均方值时振幅的均方值为为因电子运动的平均自由程因电子运动的平均自由程F与散射的横截面积成正比,与散射的横截面积成正比,且认为原子热振动引起的散射横截面积与且认为原子热振动引起的散射横截面积与成正比成正比,因此,因此可见可见电阻电阻与温度成正比与温度成正比,即:,即:6.1.2导电性与温度的关系导电性与温度的关系高温时的电阻高温时的
16、电阻(T2TD/3的高温的高温)6.1.2导电性与温度的关系导电性与温度的关系低温时的电阻低温时的电阻低温即低温即T远低于远低于TD下,爱因斯坦近似不成立。须处理电下,爱因斯坦近似不成立。须处理电子波与声子的能量互换。低温时的电阻的推导结果如下:子波与声子的能量互换。低温时的电阻的推导结果如下:根据低温晶格振动的德拜近似,被激发的声子数和根据低温晶格振动的德拜近似,被激发的声子数和T3成成正比,且低温时被激发的声子波长很长,其动量远比费米级正比,且低温时被激发的声子波长很长,其动量远比费米级电子的动量小,因此一次散射产生的电子散射角很小。电子的动量小,因此一次散射产生的电子散射角很小。设平均散
17、射时间为设平均散射时间为C,电阻表达式中的,电阻表达式中的弛豫时间弛豫时间:与与T成正比。成正比。6.1.2导电性与温度的关系导电性与温度的关系低温时的电阻低温时的电阻另一方面,另一方面,C与声子数(与声子数(T3)成反比,因此变成)成反比,因此变成T5,即低温时的电阻则为,即低温时的电阻则为(T1.2GPa),),电阻率降低;电阻率降低;反常金属反常金属:随压力(:随压力(1.2GPa),),电阻率升高;电阻率升高;这是由于这是由于原子间距缩小,内原子间距缩小,内部缺陷状态、电子结构、费米能部缺陷状态、电子结构、费米能和能带结构都会发生变化和能带结构都会发生变化。具体。具体情况需仔细分析。情
18、况需仔细分析。压力可引起绝缘体金属转变!压力可引起绝缘体金属转变!金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素压力压力一些半导体和绝缘体转变为导体的压力极限一些半导体和绝缘体转变为导体的压力极限金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素冷加工冷加工正常情况正常情况:冷加工将导致金属电阻率增加:冷加工将导致金属电阻率增加纯金属(纯金属(Fe,Cu,Ag,Au):):26W可达可达50,Mo可达可达20,有序固溶体可达,有序固溶体可达100以上。以上。原因:冷加工导致的晶格畸变、晶体缺陷引起,能增加电子散射几率。原因:冷加工导致的晶格畸变、晶体缺陷引起,能增加电子散射几率。反常情况反常情况:Ni
19、-Cr,Ni-Cu-Zn等。原因:等。原因:K态有关。态有关。冷加工将导致材料剩余电阻率增加。冷加工将导致材料剩余电阻率增加。点缺陷引起的剩余电阻率变化远大于线缺陷引起的变化。点缺陷引起的剩余电阻率变化远大于线缺陷引起的变化。金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素缺陷缺陷低浓度碱金属的剩余电阻低浓度碱金属的剩余电阻金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素位错位错一般金属在形变量为一般金属在形变量为8时,位错密度为时,位错密度为105108/cm2再结晶温度退火,位错大量湮灭,因而此时位错的影响可忽略再结晶温度退火,位错大量湮灭,因而此时位错的影响可忽略4.2K时位错密度对电阻的影响时
20、位错密度对电阻的影响(a)Fe,(b)Mo6.1.4霍尔效应霍尔效应霍尔效应:霍尔效应:将金属导体放在与通过它的电流方向垂直的磁将金属导体放在与通过它的电流方向垂直的磁场内,则在横跨样品的两面产生一个与电流和磁场都垂直场内,则在横跨样品的两面产生一个与电流和磁场都垂直的电场。的电场。霍尔场霍尔场霍尔系数霍尔系数:表征霍尔场的物理参数:表征霍尔场的物理参数霍尔效应示意图霍尔效应示意图导体处于电场导体处于电场Ex和磁场和磁场Hs中,电子运动速度为中,电子运动速度为vx,则有电场,则有电场Ey产生。产生。霍尔效应霍尔效应产生的原因产生的原因:磁与电的相互作用磁与电的相互作用在在试试样样的的x方方向向
21、上上施施加加电电场场Ex,同同时时在在与与x垂垂直直的的方方向向上上施加磁场施加磁场Hz,产生洛伦兹力对运动的电子起作用,产生洛伦兹力对运动的电子起作用电电子子在在y方方向向上上也也受受力力,稳稳定定状状态态下下,在在y方方向向上上发发生生电电子子的的极极化化,极极化化的的电电场场与与洛洛伦伦兹兹力力处处于于平平衡衡状状态态,即即在在y上上产产生生感应电压感应电压由于由于Jx=-nevx,霍尔系数:霍尔系数:Ey/Hx若是自由电子的状态下,则通过若是自由电子的状态下,则通过测定霍尔系数可求出电子浓度测定霍尔系数可求出电子浓度n。测定霍尔系数在确定半导体载流子类型和浓度的测定中是不可缺少的。测定
22、霍尔系数在确定半导体载流子类型和浓度的测定中是不可缺少的。霍尔系数为负则由电子传导,霍尔系数为正则由空穴传导霍尔系数为负则由电子传导,霍尔系数为正则由空穴传导,这里的空穴,这里的空穴是指价电子带中的电子被抽去的状态。是指价电子带中的电子被抽去的状态。金属中霍尔系数为正的情形也很多金属中霍尔系数为正的情形也很多(Zn,Fe等等),由于这些金属的能带结,由于这些金属的能带结构具有复杂形状,从实际效果看,空穴处于控制传导的状态。构具有复杂形状,从实际效果看,空穴处于控制传导的状态。其中其中霍尔系数霍尔系数变为变为根据金属的原子价和密度,可得出单位体积中的根据金属的原子价和密度,可得出单位体积中的自由
23、电子数自由电子数(n)。霍尔系数只与金属中的自由电子密度有关;霍尔系数只与金属中的自由电子密度有关;霍尔效应证明了金属中存在自由电子,它是电荷的载体;霍尔效应证明了金属中存在自由电子,它是电荷的载体;对典型金属,其理论计算与实验测定结果一致。对典型金属,其理论计算与实验测定结果一致。u应用应用A.证明了金属中有自由电子,是电荷的载体。证明了金属中有自由电子,是电荷的载体。B.对自由电子的情形,可以用测量对自由电子的情形,可以用测量RH计算电子密度。计算电子密度。C.可用测量可用测量RH判断半导体载流子的类型。判断半导体载流子的类型。RH0 自由电子导电自由电子导电 RH0 空穴导电空穴导电 实
24、验表明金属中也有实验表明金属中也有RH0的情形,如的情形,如Zn,Fe等,等,即不是简单的自由电子导电,因其能带结构复杂,可即不是简单的自由电子导电,因其能带结构复杂,可能由空穴控制传导。能由空穴控制传导。反常反常RH,即,即R0推动了金属中推动了金属中电子状态电子状态的研究的研究6.1.5电导功能材料电导功能材料仅对导电材料、电阻材料、电触点材料作简介仅对导电材料、电阻材料、电触点材料作简介(1)导电材料导电材料l常用的有常用的有Cu,Al。lCu导线一般为电解铜,提高纯度。导线一般为电解铜,提高纯度。Al的相对电导率为的相对电导率为61%,密度是密度是Cu的的1/3,但强度低且不耐高温,一
25、般不用,但强度低且不耐高温,一般不用纯铝。纯铝。(2)电阻材料电阻材料lA.精密电阻合金:小电阻温度系数的特殊合金。如精密电阻合金:小电阻温度系数的特殊合金。如Cu-Mn-Ni,Mn-Cu,Cu-Ni-Mn,Cu-Mn-Fe,Ag-Mn-Sn等。等。lB.电热合金:在电热合金:在9001350C工作的电热体,如工作的电热体,如Ni-Cr,Fe-Cr-Al等合金。等合金。lC.高温加热元件和电极:高温加热元件和电极:1500C以上工作的电热体,以上工作的电热体,用陶瓷,如用陶瓷,如SiC(硅碳棒)(硅碳棒),MoSi2,LaCrO3,SnO2等。等。(3)电触点材料电触点材料l开关、继电器等涉及
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