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6N137中文.pdf

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文档编号：56608219

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1、6N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器，其内部有一个850 nm 波长 AlGaAs LED和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的集电极开路的三极管组成。具有温度、电流和电压补偿功能，高的输入输出隔离，LSTTL/TTL兼容，高速(典型为 10MBd)，5mA的极小输入电流。特性：转换速率高达10MBit/s;摆率高达 10kV/us;扇出系数为8;逻辑电平输出;集电极开路输出;工作参数：最大输入电流，低电平：250uA 最大输入电流，高电平：15mA 最大允许低电平电压(输出高)：0.8v 最大允许高电平电压：Vcc 最大电源电压、输出：5

2、.5V 扇出(TTL 负载)：8 个(最多)工作温度范围：-40C to+85 C 典型应用：高速数字开关，马达控制系统和A/D 转换等6N137光耦合器的内部结构、管脚如图1 所示。6N137光耦合器的真值如表1 所示：6N137光耦合器的真值表输入使能输出H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H 需要注意的是，在6N137光耦合器的电源管脚旁应有个0.1uF 的去耦电容。在选择电容类型时，应尽量选择高频特性好的电容器，如陶瓷电容或钽电容，并且尽量靠近6N137光耦合器的电源管脚；另外，输入使能管脚在芯片内部已有上拉电阻，无需再外接上拉电阻。6N137 光耦

3、合器的使用需要注意两点：第一是 6N137光耦合器的第6 脚 Vo输出电路属于集电极开路电路，必须上拉一个电阻；第二是6N137光耦合器的第2 脚和第 3 脚之间是一个LED，必须串接一个限流电阻6N137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2 和脚 3 输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。型号：单通

4、道：6N137，HCPL2601，HCPL2611 双通道：HCPL2630，HCPL2631 高速 10MBit/s的逻辑门光电引脚图原理如上图所示，若以脚2 为输入，脚3 接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3 输入，脚2 接高电平。真值表功能（正逻辑）文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O

5、3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8

6、S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT

7、9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM1

8、0O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7

9、E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:

10、CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 H

11、M10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9Input 输入Enable 使能Output 输出H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H 绝对最大额定值（Ta=25 除非另有说明）：Symbol 符号Parameter 参数Value 数值Units 单位TSTG Storage Temperature 贮藏温度-55 to+125 TOPR Operating Temperature 操作温度-40 to+85 TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度260 for 10 sec EMITTER 发送端IF DC/Average

12、Forward 直流/平均正向单通道50 mA Input Current 输入电流双通道(每通道)30 VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道5.5 V VR Reverse Input Voltage 反向输入电压每个通道5.0 V PI Power Dissipation 功耗单通道100 mW 双通道(每通道)45 DETECTOR 接收端VCC(1 minute max)Supply Voltage 电源电压7.0 V IO Output Current 输出电流单通道50 mA 双通道(每通道

13、)50 VO Output Voltage 输出电压每个通道7.0 V PO Collector Output 集电极输出单通道85 mW Power Dissipation 功耗双通道(每通道)60 建议操作条件：Symbol 符号Parameter 参数最小最大Units单位文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1

14、N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B

15、4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O

16、3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8

17、S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT

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19、0O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7

20、E8S1N4V9IFL Input Current,Low Level 输入电流，低电平0 250 A IFH Input Current,High Level 输入电流，高电平*6.3 15 mA VCC Supply Voltage,Output 供电电压，输出4.5 5.5 V VEL Enable Voltage,Low Level 使能电压，低电平0 0.8 V VEH Enable Voltage,High Level 使能电压，高电平2.0 VCC V TA 工作温度范围-40+85 N Fan Out(TTL load)扇出期(TTL 负载)8 电学特性（Ta=0 至 70，除

21、非另有规定）单独的组件特征：Symbol 符号Parameter 参数测试条件最小典型最大单位VFInput Forward Voltage输入正向电压IF=10mA1.8V TA=25 1.41.75BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压IR=10 A 5.0 V CIN Input Capacitance 输入电容VF=0,f=1MHz 60 pF VF/TA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数IF=10mA-1.4 mV/DETECTOR 接收端ICCH High Level Su

22、pply Current高电源电流VCC=5.5V,IF=0mA,VE=0.5V 单通道7 10 mA 双通道10 15 ICCL Low Level Supply Current 低电平电源电流单通道VCC=5.5V,IF=10mA9 13 mA 双通道VE=0.5V 14 21 IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流VCC=5.5V,VE=0.5V-0.8-1.6 m A IEH High Level Enable Current 高电平使能电流VCC=5.5V,VE=2.0V-0.6-1.6 m A VEH High Level Enable Volta

23、ge 高电平使能电压VCC=5.5V,IF=10mA 2.0 V VEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压VCC=5.5V,IF=10mA(3)0.8 V 开关特性 (TA=-40 to+85,VCC=5V,IF=7.5mA 除非另有说明)：Symbol 符号AC Characteristics交流特性测试条件最小典型最大单位文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N

24、4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4

25、E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3

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27、1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9

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29、O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E

30、8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9TPHHPropagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出RL=350,CL=15pF(4)(Fig.12)TA=25 204575ns100TPHLPropagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出TA=25(5)2545 75 ns RL=350,CL=15pF(Fig.12)100|TPHL TPLH|Pulse Width Distortion 脉宽失真(RL=350,CL=

31、15pF(Fig.12)3 35 ns tr Output Rise Time(10 90%)输出上升时间(10-90 )RL=350,CL=15pF(6)(Fig.12)50 ns tf Output Rise Time(90 10%)输出上升时间(90-10 )RL=350,CL=15pF(7)(Fig.12)12 ns tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出IF=7.5mA,VEH=3.5V,RL=350,CL=15pF(8)(Fig.13)20 ns tEHL Enable Propag

32、ation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出IF=7.5mA,VEH=3.5V,RL=350,CL=15pF(9)(Fig.13)20 ns|CMH|Common Mode Transient Immunity(at Output HIGH Level)共模瞬态抑制比(输出高电平)TA=25,|VCM|=50V(Peak),IF=0mA,VOH(Min.)=2.0V,RL=350(10)(Fig.14)6N137,HCPL2630 10,000 V/s HCPL2601,HCPL2631 5000 10,000|VCM|=400V HC

33、PL2611 10,000 15,000 V/s|CML|Common Mode Transient Immunity(at Output LOW Level)共模瞬态抑制比(输出低电平)RL=350,IF=7.5mA,VOL(Max.)=0.8V,TA=25(11)(Fig.14)6N137,HCPL2630 10,000 HCPL2601,HCPL2631 5000 10,000|VCM|=400V HCPL2611 10,000 15,000 电气特性（续）转移特性(TA=-40 to+85 除非另有说明)Symbol 符号DC Characteristics 直流特性测试条件最小典型最

34、大Unit 单位文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码

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40、6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9IOH HIGH Level Output Current 高输出电流VCC=5.5V,VO=5.5V,IF=250 A,VE=2.0V(2)100 A VOL LOW Level Output Current 低电平输出电流VCC=5.5V,I

41、F=5mA,VE=2.0V,ICL=13mA(2).35 0.6 V IFT Input Threshold Current 输入阈值电流VCC=5.5V,VO=0.6V,VE=2.0V,IOL=13mA 3 5 mA 隔离特性（Ta=-40 至+85 ，除非另有说明.）：Symbol 符号Characteristics 特性测试条件最小典型最大Unit 单位II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流相对湿度=45%,TA=25,t=5s,VI-O=3000 VDC(12)1.0*A VISO Withstand Insula

42、tion Test Voltage 经受绝缘测试电压)RH 50%,TA=25,II-O 2 A,t=1 min.(12)2500 VRMS RI-O Resistance(Input to Output)电阻(输入输出VI-O=500V(12)1012CI-O Capacitance(Input to Output)电容(输入输出)f=1MHz(12)0.6 pF 测试电路和波形 tPLH,tPHL,tr and tf文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:C

43、T9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM

44、10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP

45、7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码

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49、编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9测试电路tEHL 和 tELH文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9

50、文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G8V1 HM10O3K6X2O6 ZP7E8S1N4V9文档编码:CT9B4E8G

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4.3 金币

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