《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库.pdf

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1、一、填空题（30 分=1 分*30）10 题/章晶圆制备1 用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）。2 单晶硅生长常用（CZ 法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。3 晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。4 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。5 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。6 CZ 直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成 p 型或 n

2、型）的固体硅锭。7 CZ 直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响 CZ 直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。8 晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。9 制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。氧化10二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。11热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。12根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。13用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、

3、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。14选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS 和（STI）。15列出热氧化物在硅片制造的4 种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。17硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。18热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石

4、英舟）组成。淀积20目前常用的 CVD 系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。21淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。22缩略语 PECVD、LPCVD、HDPCVD 和 APCVD 的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。23在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。24如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的

5、（膜应力）、（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷）。25深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。26化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。27化学气相淀积的基本方面包括：（）；（）；（）。28在半导体产业界第一种类型的CVD 是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（）的气体分子供发生反应。29HDPCVD 工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（）、（）、（）、热中性 CVD 和反射。金属化30金

6、属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。31气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。32溅射现象是在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（），还可以用来（）。33对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。34在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。35写出三种半导体制造业的金属和合金（Al）、（Cu

7、）和（铝铜合金）。36阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W）和（W）。37多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。38被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。39溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。平坦化40缩略语 PSG、BPSG、FSG 的中文名称分别是（）、（）和（）。41列举硅片制造中用到CMP 的几个例子：（）、LI 氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。42

8、终点检测是指（CMP 设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。43硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。4420 世纪 80 年代后期，（）开发了化学机械平坦化的（），简称（），并将其用于制造工艺中对半导体硅片的平坦化。45传统的平坦化技术有（）、（）和（）。46CMP 是一种表面（全局平坦化）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（磨料），并同时施加（压力）。47磨料是精细研磨颗粒和化学品的混合物，在（）中用来磨掉硅片表

9、面的特殊材料。常用的有（）、金文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F

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11、3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6

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16、其他材料作为平坦化的牺牲层，这一层牺牲材料填充（），然后用（）技术来刻蚀这一牺牲层，通过用比低处快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面的平坦化。光刻50现代 光刻 设备 以 光 学光 刻 为 基础，基 本包 括：（）、光 学系 统、（）、对 准 系统 和（）。51光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。52写出下列光学光刻中光源波长的名称：436nmG线、405nm（）、365nmI线、248nm（）、193nm 深紫外、157nm（）。53光学光刻中，把与掩膜版上图形（）的图形复制到硅片表面的光刻是（

17、）性光刻；把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻。54有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为（）、（）和（）。55I 线光刻胶的 4 种成分分别是（）、（）、（）和添加剂。56对准标记主要有四种：一是（），二是（），三是精对准，四是（）。57光刻使用（）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形，光刻过程的其它说法是（）、光刻、掩膜和（）。58对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶，其有 4 个步骤：（）、旋转铺开、旋转甩掉和（）。59光学光刻的关键设备是光刻机，其有三个基本目标：（使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦，包括图形）；（通过对光

18、刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。刻蚀60在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：（）和（）。前者是（）尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3 微米的情况下。61干法刻蚀按材料分类，主要有三种：（）、（）和（）。62在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（化学作用）、（物理作用）和（化学作用与物理作用混合）。63随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（介质）以形成一个凹槽，然后淀积（金属）来覆盖其上的图形，再利用（CMP）把铜平坦化至 ILD 的高度。64刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从

19、硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。65刻蚀剖面指的是（被刻蚀图形的侧壁形状），有两种基本的刻蚀剖面：（各向同性）刻蚀剖面和（各向异性）刻蚀剖面。66一个等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：（）、（）、气体流量控制系统和（）。67在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀（）；用氯和氟刻蚀（）；用氯、氟和溴刻蚀硅；文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G

20、6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K

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25、Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V

26、1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10用氧去除（）。68刻蚀有 9 个重要参数：（）、（）、刻蚀偏差、（）、均匀性、残留物、聚合物形成、等离子体诱导损伤和颗粒污染。69钨的反刻是制作（）工艺中的步骤，具有两步：第一步是（）；第二步是（）。扩散70本征硅的晶体结构由硅的（）形成，导电性能很差，只有当硅中加入少量的杂质，使其结构和（）发生改变时，硅才成为一种有用的半导体，这一过程称为（）。71集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种，其中（）是最重要的掺杂方法。72掺杂被广泛应用于硅片制作的全过程，硅芯片需要掺杂（）和 VA 族的杂质，其

27、中硅片中掺入磷原子形成（）硅片，掺入硼原子形成（）硅片。73扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态：（气相）扩散、（液相）扩散和（固相）扩散。74杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（激活杂质后），才有助于形成半导体硅。75扩散是物质的一个基本性质，描述了（一种物质在另一种物质中的运动）的情况。其发生有两个必要条件：（一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度）和（系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料）。76集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散）和（离子注入）两种。在目前生产中，扩散方式主要

28、有两种：恒定表面源扩散和（）。77硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：（预淀积）、（推进）和（激活）。78热扩散利用（高温）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（时间）和（温度）的影响。79硅掺杂是制备半导体器件中（）的基础。其中 pn 结就是富含（IIIA 族杂质）的 N 型区域和富含（VA 族杂质）的 P 型区域的分界处。离子注入80注入离子的能量可以分为三个区域：一是（），二是（），三是（）。81控制沟道效应的方法：（）；（）；（）和使用质量较大的原子。82离子注入机的扫描系统有四种类型，分别为（）、（）、（）和平行扫描。83离子注入机的目标是形成在（）都纯净的离子束。聚束离子束通常很小

29、，必须通过扫描覆盖整个硅片。扫描方式有两种，分别是（）和（）。84离子束轰击硅片的能量转化为热，导致硅片温度升高。如果温度超过 100 摄氏度，（）就会起泡脱落，在去胶时就难清洗干净。常采用两种技术（）和（）来冷却硅片。85离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求。其两个重要参数是（），即（）和（），即离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离。86最常用的杂质源物质有（）、（）、（）和 AsH3等气体。87离子注入设备包含6 个部分：（）、引出电极、离子分析器、（）、扫描系统和（）。88离 子 注 入 工 艺 在（）内 进 行，亚0.25微 米 工 艺 的 注 入 过 程 有 两

30、 个 主 要 的 目 标：（）；（）。89离子注入是一种向硅衬底中引入（）的杂质，以改变其（）的方法，它是一个物理过程，即不发生（）。文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3

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32、文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E

33、4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9

34、U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F

35、10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K

36、3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10工艺集成90芯片硅片制造厂可以分为6 个独立的生产区：扩散区、（光刻区）、刻蚀区、（注入区）、（薄膜区）和抛光区。91集成电路的发

37、展时代分为：（小规模集成电路 SSI）、中规模集成电路MSI、（大规模集成电路 LSI）、超大规模集成电路 VLSI、（甚大规模集成电路ULSI）。92集成电路的制造分为五个阶段，分别为（硅片制造备）、（硅片制造）、硅片测试和拣选、（装配和封装）、终测。93制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（硅衬底）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（微芯片）或（芯片）。94原氧化生长的三种作用是：1、（）；2、（）；3、（）。95浅槽隔离工艺的主要工艺步骤是：1、（）；2、氮化物淀积；3（）；4（）。96扩散区一般是认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。主要设备是高温扩散炉，

38、其能完成（）、扩散、（）、（）以及合金等多种工艺流程。97光刻区位于硅片厂的中心，经过光刻处理的硅片只流入两个区，因此只有三个区会处理涂胶的硅片，它们是（）、（）和（）。98制作通孔 1 的主要工艺步骤是：1、（第一层层间介质氧化物淀积）；2、（氧化物磨抛）；3、（第十层掩模、第一层层间介质刻蚀）。99制作钨塞1 的主要工艺步骤是：1、（钛淀积阻挡层）；2、（氮化钛淀积）；3、（钨淀积）；4、磨抛钨。二、判断题（10 分=1 分*10）10 题/章晶圆制备1半导体级硅的纯度为99.9999999%。（）2冶金级硅的纯度为98%。（）3西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。（）4对半

39、导体制造来讲，硅片中用得最广的晶体平面是（100）、（110）和（111）。（）5CZ 直拉法是按照在 20 世纪 90 年代初期它的发明者的名字来命名的。（）6用来制造 MOS 器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS 器件开态和关态所要求的阈值电压。（）7（111）面的原子密度更大，所以更易生长，成本最低，所以经常用于双极器件。（）8区熔法是 20 世纪 50 年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。（）985%以上的单晶硅是采用CZ 直拉法生长出来的。（）10 成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。（）氧化11

40、当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。（）12 暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。（）文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E

41、4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9

42、U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F

43、10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K

44、3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6

45、F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G

46、6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F1013 二氧化硅是一种介质材料，不导电。（）14 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工

47、艺中要清洗去除。（）15 栅氧一般通过热生长获得。（）16 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn 结，取而代之的是离子注入。（）17 氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。（）18 传统的 0.25 m 工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。（）19 用于亚 0.25 m 工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。（）20 快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。（）淀积21 CVD 是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。（）22

48、 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。（）23 LPCVD 反应是受气体质量传输速度限制的。（）24 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。（）25 在半导体产业界第一种类型的CVD 是 APCVD。（）26 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。（）27 CVD 反应器的冷壁反应器只加热硅片和硅片支持物。（）冷壁反应器通常只对衬底加热，28 APCVD 反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。（）29 与 APCVD 相比，LPCVD 有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。（）30 LPCVD 紧随 PECVD 的发

49、展而发展。由660 降为 450，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。（）金属化31 接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。（）32 大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。（）33 蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（）很难调整淀积合金的组分34 大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。（）35 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。（）36 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。（）37 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的

50、附着。（）38 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。（）39 传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。（）40 溅射是个化学过程，而非物理过程。（）平坦化41 表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。（）文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3E4I1 HI6Y8Q6F9U3 ZV8V1T1G6F10文档编码:CK1K7K3