大功率照明白光LED恒流驱动芯片设计.pdf
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1、硅微电子学大功率照明白光L ED恒流驱动芯片设计郑晓东郭维 朱大中(浙江大学信息与电子工程学系,微电子与光电子研究所,杭州,310027)2008203226收稿,2008205226收改稿摘要:基于016m标准CM O S工艺,研究设计了一款大功率照明白光L ED恒流驱动芯片,可为两路功率型L ED分别提供恒定的350 mA驱动电流。驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准CM O S工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。采用单电源供电,最高输出功率可达3W以上;单电源电压在47 V范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能,驱动电流恒流失配度保持在3109%以内;当标准5 V
2、电源有10%的变化时,驱动电流的变化可控制在1142%之内,恒流失配度保持在2184%以内;而当环境温度在1090范围内变化,驱动电流最多增大1175%,恒流失配度保持在3115%以内。采用双电源供电时,芯片电源转换效率可达83%。关键词:互补金属氧化物半导体功率集成电路;功率型白光发光二极管;蛇形栅结构;恒流驱动中图分类号:TN 432文献标识码:A文章编号:100023819(2009)012122204D esign of Con stant-curren t Dr iver IC for Power W h ite L ED sZH EN G X iaodongGUO W eiZHU
3、D azhong(D epartment of Inf orm ation Science and Electron ics E ng ineering,Z hej iang U niversity,H ang zhou,310027,CH N)Abstract:A monolith ic constant2curren t drivingintegrated circu it(IC)is designed and fab ri2cated by using CSM C 016um standard CM O S p rocess to drive two pow er w hite ligh
4、 t2emittingdiode(L ED)strings w ith 350 mAeach.T he ou tput2stage pow er M O SFET s are designed w ithCM O S bent2 gate structu re,and it m akes po ssible the compatib le integrati on of pow er device w ithconventional CM O S signal p rocessing circu its.In the typical operating circu it w ith singl
5、e pow ersupply,it is able to supply 3 W pow er w hite L ED,and the input voltage range is 4 Vto 7 V.W hen 5 V single voltage supply changes by 10%or ambient temperatu re varies from 10 C to 90C,the variance of the driving curren t can be contro lled w ith in 1142%and 1175%,w hile the cur2rents of th
6、e two path s are m ism atched w ith in 2184%and 3115%respectively.T he pow er effi2ciency of th is chip can reach up to 83%w ith doub le voltage supplies.Key words:CMOS power IC;power wh ite L ED;bent-gateMOS structure;constant-curren tdr ivingEEACC:2570P引言近 年 来,半 导 体 固 体 照 明 光 源 发 光 二 极 管(L ED,L ig
7、ht emitting diode)因其高效、节能、环保、寿命长、可靠性高等优点得到了广泛应用,尤其随着新材料的发展和制造工艺的改进,高亮度大功率照明白光L ED发展迅速,大有取代白炽灯、荧光灯等成为通用照明领域新光源之势 122。因此,开发与之相适应的大功率L ED 驱动芯片具有十分广阔的市第29卷第1期2009年3月 固体电子学研究与进展RESEARCH&PROGRESSOF SSEV o l.29,N o.1M ar.,2009联系作者:E2mail:guow 基金项目:浙江省科学技术厅科技计划项目高效节能技术专项(计划编号2006C11007)场前景。本设计为采用016 m 标准 CM
8、 O S 工艺研制的一款代替传统白光L ED设计中简易镇流电阻的恒流驱动芯片,在标准 CM O S 工艺线上实现了功率器件与 控制电路的集成,可为两路功率型照明白光L ED分别提供恒定的 350mA 驱动电流。对L ED 采用恒流驱动方式较之恒压驱动具有更高的可靠性,同时也有利于保证各个 L ED 之间亮度和色度的一致 3。而对于电源电压或环境温度变化产生的影响,设计中通过取样反馈控制电路以使输出驱动电流保持恒定。1芯片设计驱动芯片采用无锡华润上华016 m双层金属双 层 多 晶 硅 N 阱 标 准 CM O S 工 艺 技 术(CSM C016 m doub le poly doub lem
9、 etal technology)制造,实现了功率器件与控制电路的单片集成。图1所示芯片照片,面积为 2 mm 2 mm,结构布局主要可以分为两大部分,A为恒流控制电路,B则是两个高宽长比的输出级大功率NM O S 管。图1驱动芯片照片A为控制及测试电路,B为功率NM OS管(M 1和M 2)F ig.1Pho to ofthe chip A:Con stant2curren t contro l2lingcircu its;B:Pow er NM O SFET s(M 1 andM 2高宽长比大功率NM O S 管的设计采用了如图2所示的蛇形栅结构(Bent2gateM O S struct
10、u re)。表1所示为该结构与传统的叉指状直栅结构有效宽长比密度的比较。基于本设计所采用的工艺,由表中数据可知,相比叉指状直栅结构,蛇形栅结构的有效宽长比密度增大了2619%。所以采用蛇形栅结构的M OS管具有更高的有效宽长比密度,结构更紧凑,因而可以提高芯片面积利用率 426。图 3 所示为芯片内部电路及外围应用电路框图,其中虚线框内各模块均实现了片上集成,主要包括一个带隙基准电压源、一个运算放大器(A)、两个相同的输出级高宽长比大功率 NM OS 管(M 1 和 M 2)、图2蛇形栅结构大功率NM O S管版图设计Fig.2L ayou t of ben t2gate structu re
11、 pow er NM O SFET表1采用无锡华润上华016m双层金属双层多晶硅N阱标准CMOS工艺设计的不同结构MOS管有效宽长比密度比较Tab.1Com par ison of effective W L density3 3of d ifferen tMOSstructuresdesigned by CS M C 016m D PDMtechnologyM O S structu reEffectiveWL densitym-2N ormalM O S01694Ben t2gate018813 3EffectiveWLden sity=w idth-to-length-ratioarea
12、-of图3芯片内部电路及外围应用电路框图F ig.3Topo logy structu re of app licati on circu it取样M OS管(M3)等部分。芯片共有六个引出端,其中GND 为接地端;EN 为控制电路电源端,标准取值为 5V;L ED 1 和L ED2 为两路 350mA 恒定驱动电流输出端,每路上均可串接若干L ED,而驱动电源电压Vcc的值根据串接L ED的个数确定(5V,9V或 12V);V 313 和 SET 为外接取样电阻(RSET)的接入端。芯片稳定工作时,带隙基准电压源产生313 V和 115 V 两个基准电压。其中,115V 基准电压接入运算放大
13、器的反相输入端,而该运算放大器的输出控制功率NM O S管M 1、M 2 和取样M O S管M 3 的栅压,从而控制流经 L ED 的驱动电流。取样电流ISET在取样电阻RSET上产生取样电压,313 V 基准电压与该取样电压的电压差作为反馈电压反馈回运算放大器的同相输入端,并与放大器反相输入端的电压经3211期郑晓东等:大功率照明白光L ED恒流驱动芯片设计文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO
14、10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 Z
15、O10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10
16、ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10
17、 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z1
18、0 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z
19、10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6
20、Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6文档编码:CY7H3L5G10J5 HH8M5M8F6Z10 ZO10E7S5B2C6比较放大产生一个控制信号,对M 3 的栅电压进行调整,进而对 M 3 上的ISET进行调整,以使整个闭环反馈系统处于动态平衡中。当ISET减小时,RSET上的压降随之减小,则运算放大器同相输入端的电压V+增大,导致放大器的输出增大,从而使ISET增大;反之亦然。总之,该闭环反馈控制电路能使传感电流ISET始终
21、处于恒定状态。由于运算放大器的钳位作用,VSET=115V,则取样电流为ISET=(313-115)VRSET=118 VRSET取k=WLiWL3(i=1,2),因为M 1、M 2 和M 3 均工作于饱和区,且其栅源电压相等,所以输出电流为:IL ED i=kISET=WLiWL3118VRSET应用时通过调节取样电阻RSET便可设定输出驱动电流为所需值。本设计中取k=824,RSET=510 k8,从而输出驱动电流为350mA。在输出级两路完全匹配的情况下,因为满足IL ED 1=IL ED2=824ISET,所以 M 1和M 2 上的输出驱动电流也会跟随保持恒定ISET并且相等。但是,要
22、实现输出级两路的绝对匹配一般是不可能的,故而在实际情况中需要对电流的控制精度和匹配度进行折中考虑。在对电流匹配度要求不是非常高(两路电流恒流失配度5%)的情况下,此电路结构能够很好地实现恒流控制功能 728。图4蛇形栅结构大功率NM O S管ID2VDS特性曲线照片(栅源电压:012V级)F ig.4Pho to ofID2VDScharacteristicofthe ben t2gatestructu re pow er NM O SFET s(VGS:012Vdiv)2测试结果图 4 所示为芯片中两个大功率NM O S管(M 1和M 2)的传输特性曲线。从图中可以看出,其性能良好,当栅源电
23、压(VGS)为1.2V,源漏电压(VDS)为115 5V左右时,输出电流最高可达500 mA,完全可以作为驱动工作电流为350mA 的照明白光 L ED 的输出级功率管使用。该芯片将主要应用于通用照明领域,采用单电源供电,两路输出上各接一个标准工作电压为315V、工作电流为350 mA 的功率型照明白光L ED,其应用电路的标准电源电压为5 V,即VDD=Vcc=5V。图 5 所示为采用单电源供电,电源电压Vcc变化时,两路输出驱动电流的变化情况。由图可知,当电源电压为 215 V 左右时,芯片启动;而当电源电压在4 7V 范围内变化,芯片具有稳定的恒流特性,驱动电流变化?ILED 1=48
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