8月微纳电子技术卷期中国半导体行业协会.pdf

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1、1/10“微纳电子技术”2008 年第 11 期专家论坛P621-InP 中的深能级杂质与缺陷(续 纳 M 器件与技术P627-GeSi/Si 共振隧穿二极管P635-小发散角量子阱激光器研究纳 M 材料与结构P639-MOCVD 生长高 Al 组分 AlGaN 材料研究P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能的影响MEMS 器件与技术P647-RF MEMS 开关的发展现状P654-Research Progress of Passive Micromixers 显微、测量、微细加工技术与设备P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制方法P668-CMP 承载器的初步研究微电子器件与

2、技术P672-高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展P677-RFID 中 EEPROM 时序及控制电路设计市场Invensense 公司获得 1 900 万美元 C 系列基金Yole 报告 2008 年轻引擎和微微投影仪市场手机 MEMS 产业的机遇美新 孙聂枫1，赵有文2，孙同年11.中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室，石家庄 050051；2.中国科学院半导体研究所，北京100083）纳 M 器件与技术P627-GeSi/Si 共振隧穿二极管郭维廉1,2,31.天津工业大学信息与通讯学院，天津300160；2.专用集成电路国家重点实验室，石家庄 050051；3.天

3、津大学电子信息工程学院，天津300072）摘要：GeSi/Si 共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/Si RTD、应力型GeSi/Si RTD 和 GeSi/Si 带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种 GeSi/Si 基 RTD 结构；指出 GeSi/Si 异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间 Ec），形成的电子势阱很浅，因此适用于空穴型 RTD 的研制；n 型带内 RTD 只有通过应力 Si 或应力 GeSi 来实现，这种应力型RTD 为带内 RTD 的主要结构；而带间GeSi/Si RITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/Si RTD 器件结构。关键词：GeSi/S

4、i 共振隧穿二极管；GeSi/Si 异质结；GeSi/Si 带间共振隧穿二极管；能带结构；材料结构P635-小发散角量子阱激光器研究李雅静1,2，安振峰2，陈国鹰1，王晓燕2，赵润2，杜伟华1,2，王薇1,21.河北工业大学信息工程学院，天津300130；2.中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051）摘要：使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角，得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型，获得了垂直发散角的理论值，垂直方向远场发散角减小为28.6；使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱

5、激光器的近场光斑及远场分布，垂直方向远场发散角减小为16。实验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角，理论结果与实验测试获得的发散角基本一致，实现了降低发散角的要求，获得了小发散角量子阱激光器。文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O

6、5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I

7、8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6

8、G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码

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10、K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G1

11、0 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L

12、5P7E7O5 ZG9I8T10G6G53/10 关键词：量子阱激光器；极窄波导；模式扩展；波导结构；发散角纳 M 材料与结构P639-MOCVD 生长高 Al 组分 AlGaN 材料研究刘波，袁凤坡，尹甲运，刘英斌，冯震，冯志宏专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051）摘要：报道了用 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN 基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN 材料。通过优化AlN、AlGaN 生长的工艺条件，如生长温度、生长压力及/比等，得到了器件级高质量的AlN、AlGaN 外延材料。AlN 外延膜 X 射线双晶衍射 002）面扫描曲线半高宽为 97，102）面扫描

13、曲线半高宽为870，Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射 002）面扫描曲线半高宽为240；使用原子力显微镜AFM）对两种样品 5 m5 m 区域的表面平整度进行了表征，AlN 外延膜的粗糙度 摘要：在介绍透明导电薄膜光学性质的基础上，分别讨论了不同情况下，太阳能平板集热器盖板采用镀有透明导电薄膜的玻璃对集热器的光热转换效率和保温性能的影响。结果表明，当集热器吸热板表面没有覆盖选择性吸收涂层,在盖板玻璃下表面镀有透明导电薄膜可以在一定温度范围内提高集热器的转换效率和保温性能，而当吸热板已覆盖有选择性吸收涂层时，盖板玻璃再镀透明导电薄膜，集热器辐射热损则减少很少，甚至不足以补偿由于玻璃透过率降低

14、而增加的光反射损失，在这种情况下，盖板不宜再采用镀有透明导电薄膜的玻璃。关键词：透明导电薄膜；选择性涂层；光学特性；平板集热器；热效率文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5

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20、4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G54/10 MEMS 器件与技术P6

21、47-RF MEMS 开关的发展现状严春早，许高斌，叶刘晓 Abstract：A general review is made on research of passive micromixers,including typical mixing element principles,mixer configurations,microfabrications and numerical simulations.Some main passive micromixing principles,such as the multi-laminating,chaotic advection,spli

22、t-recombining，fluid twisting and flattening,and the circulation flow are studied,respectively.Emphases are put on the micromixers using combined mixing principle to achieve high mixing efficiency in low Re regime.These mixers generally improve the mixing efficiency by other simple outside effects,su

23、ch as using the centrifugal force,geometry constriction and three-inlet structure,multi-inlet structure to increase flows periodically.As the request of low Re and high viscosity growing,more and more attention is paid on the design and research of combined SAR micromixers,in which the split-recombi

24、ning elements can cause rotation of fluid and the geometry constriction structure adopted can cut down the diffusion distance at the same time.These dramatically improve the mixing efficiency,however make the microfabrication more 文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7

25、O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9

26、I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G

27、6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编

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32、P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制方法王昭，吴世法大连理工大学近场光学与纳M技术研究所，辽宁大连116024）摘要：在动态原子力与近场光学扫描显微镜中，探针与样品的间距关系到分辨率以及扫描速度这两个最重要参数的性能。在对几种主要的动态原子力/扫描近场光学组合显微镜的探针/样品间距控制模式分析的基础上，认为提高探针Q 值是提高扫描显微镜分辨率的有效方法。但是，对采用检测控制探针振幅模式，期望在提高分辨率的同时加快扫描成像速度是不可实现的，因而限制了其发展的空间。而在检测控制探针频率模式下，提高探针Q 值，可有效提高扫描探针显微镜的分辨率，且不会制约扫描成像速度的提高。该结论为将来的纳

33、M 操作和纳 M 超高密度光存储的实用化提供了可能，对大连理工大学近场光学与纳M 技术研究所研制的原子力与光子扫描隧道组合显微镜AF/PSTM）的改进和产业化具有积极意义。关键词：动态原子力显微镜；近场扫描光学显微镜；间距控制；控制模式；扫描速度；分辨率P668-CMP 承载器的初步研究周国安,柳滨,王学军,种宝春,詹阳中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京101601）摘要：在 CMP 中，由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点，以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多，从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP 中的作用，详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方

34、法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构，对保持环施加适当的压力，使保持环和晶圆位于同一抛光平面上；针对旋转式CMP 设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题，对 200 mm 晶圆划分两区域进行微压力补偿，同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能，指出今后多区域微文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG

35、9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10

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38、Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5

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40、1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E

41、7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G56/10 压力补偿将采用矩阵控制技术。关键词：化学机械平坦化；边缘效应；多区域控制；承载器；保持环微电子器件与技术P672-高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展张文飞,贺英，谌小斑上海大学材料科学与工程学院高分子材料系,上海 201800）摘要：大功率 LED 的发光强度大，产生的热量多，其产生的短波光辐射也比小功率发光二极管大，对LED 封装材料提出了新的要求。综述了发光二极管封装用透镜胶的研究现状，根据发光二极管对高分子封装材料研发的要求，着重介绍了国内外为提高有机硅封装材料

42、的导热性、耐热性、透光性以及耐紫外线辐射和关于材料折射率的调节方法等方面所做的最新研究成果和现状。对透镜胶研发过程中的重点和难点进行了分析，认为找到合适的填料和合适的方法把填料填入有机硅基体，或者在有机硅聚合物链上引入某些基团来改善封装材料的性能是研发的关键。关键词：发光二极管；封装胶；有机硅；导热性；透明性；折光率P677-RFID 中 EEPROM 时序及控制电路设计程兆贤，戴宇杰，张小兴，吕英杰，樊勃南开大学微电子所，天津300457）摘要：RFID 系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM 的时序控制，提出了一种适用于 RFID 系统中

43、EEPROM 电路的时序，并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路，使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35 m CMOS 工艺,电源电压为 3.3 V，仿真结果显示,3.3 V 电源供电时，擦写编程电流为45 A，读数据工作电流为3 A，读数据周期为300 ns，具有低功耗、高速度的特性。关键词：射频识别卡；电可擦可编程只读存储器；时序；控制电路；模拟仿真市场文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5

44、G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB

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48、G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档

49、编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7

50、Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G5文档编码:CU7Z6K4N5G10 HB1L5P7E7O5 ZG9I8T10G6G57/10 Invensense 公司获得 1 900 万美元 C 系列基金消费应用的移动传感解决方案提供商Invensense有限公司宣布获得 1 900 万美元C 系列风险投资资金。这轮募集活动由新投资商Sierra Ventures领 头，参 与 者包 括Aetiman Ventures、Partech International及 Qualcomm Ven