最新锂电池保护板基本知识资料优秀PPT.ppt
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1、 锂电池(可充型)之所以须要爱护,是由它本身特性确定的。由于锂电池本身的材料确定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电,因此锂电池锂电组件总会跟着一块精致的爱护板和一片电流保险器出现。锂电池的爱护功能通常由爱护电路板和PTC等电流器件协同完成,爱护板是由电子电路组成,在-40至+85的环境下时刻精确的监视电芯的电压和充放回路的电流,刚好限制电流回路的通断;PTC在高温环境下防止电池发生恶劣的损坏。爱护板电芯PTCNTC 爱护板通常包括限制IC、MOS开关、电阻、电容及协助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。其中限制IC,在一切正常的状况下限制MOS开关导通,使电芯与外电路导通
2、,而当电芯电压或回路电流超过规定值时,它马上限制MOS开关关断,爱护电芯的平安。MOS管电阻PCB爱护IC电容爱护板元器件简介 1、电阻:起限流、采样作用;2、电容:对直流电而言电阻值“,对沟通电而言阻值接近零,电容两端电压 不能突变,能起瞬间稳压作用,滤波作用;3、FUSE:熔断保险丝,起过流爱护作用;4、PTC:PTC是Positive temperature coefficient的缩写,意即正温度系数电阻,(温度越高,阻值越大),可以防止电池高温放电和担忧全的大电流的发生,即过流爱护作用。PTC器件接受高分子材料聚合物,通过严格的工艺制成,由聚合物树酯基体及分布在里面的导电粒子组成,在
3、正常状况下,导电粒子在树酯中构成导电通路,器件表现为低 阻抗,电路中有过流发生时,流经PTC的大电流产生的热量使聚合物树酯基体体积臌胀,因而切断导电粒子间的连接,从而对电路的过流起爱护作用。当故障解除后,方可自动复原到初始状态,保证电路正常工作。通路断路受热基体膨胀故障解除基体复原初始状态 5、NTC是Negative temperature coefficient的缩写,意即负温度系数,在环境温度上升时,其阻值降低,运用电设备或充电设备刚好反应、限制内部中断而停止充放电。6、ID是Identification 的缩写,即身份识别的意思它分为两种:一是存储器,常为单线接口存储器,存储电池种类、
4、生产日期等信息;二是识别电阻。两者可起到产品的可追溯和应用的限制。7、IC:特点:内藏高精度电压检出电路;A、过充电检出电压(3.9V4.4V),一般来说,IC 型号不同,过充电检出电压也不一样,就我司现在运用的IC而言,过充电检出电压在4.2V4.4V;B、过放电检出电压(2.0V3.0V),一般来说,IC型号不同,过放电检出电压也不一样,就我司现在运用的IC而言,过放电检出电压在2.6V2.8V;连接充电器的端子接受高耐压装置;各种延迟时间由内载电路来实现(过放、过充电,过电流延迟);内藏三级过电流检出电路(过电路1、过电流2、负载短路);充电器检出功能、异样充电电流检出功能;工作温度范围
5、:-40+85。IC的外形结构五脚六脚IC的内部结构在爱护板正常的状况下,Vdd为高电平,Vss,VM为低电平,DO、CO为高电平,当Vdd,Vss,VM任何一项参数变换时,DO或CO端的电平将发生变更。关于IC几种状态的概念(通常状态下CO、DO为高电平,电池能充放电)1、过充电检出电压:在通常状态下,Vdd渐渐提升至CO端由高电平 变为低电平常VDD-VSS间电压。2、过充电解除电压:在充电状态下,Vdd渐渐降低至CO端由低电平 变为高电平常VDD-VSS间电压。3、过放电检出电压:通常状态下,Vdd渐渐降低至D O端由高电平 变为低电平常VDD-VSS间电压。4、过放电解除电压:在过放电
6、状态下,Vdd渐渐上升到DO端由低电平 变为高电平常 VDD-VSS间电压。5、过电流1检出电压:在通常状态下,VM渐渐升至DO由高电平 变为低电平常VM-VSS间电压。6、过电流2检出电压:在通常状态下,VM从OV起以1ms以上4ms以下的速度升到 DO端由高电平变为低电平常VM-VSS间电压。7、负载短路检出电压:在通常状态下,VM以OV起以1S以上50S以下的速度升至DO端由高电平变为低电平常VM-VSS间电压。8、充电器检出电压:在过放电状态下,VM以OV渐渐下降至DO由低电平变为变为高电平常VM-VSS间电压。9、通常工作时消耗电流:在通常状态下,流以VDD端子的电流(IDD)即为通
7、常工作时消耗电流。10、过放电消耗电流:在放电状态下,流经VDD端子的电流(IDD)即为过流放电消耗电流。记号部件推荐值minmaxR1阻抗4703001.3KC1电容0.1F0.01F1.0FR2阻抗1K3001.3K爱护板IC外置部件要求(以S81241为例):1、在R1处加载比R2小的阻抗的场合,由于充电器连接电流从充电器流向IC,VDD-VSS间电压有超过最大额定值的状况,故R1一般小于R2。2、假如C1上加载少于0.01F的电容,对负载短路检出,充电器的连接,过电流1和过电流2来说,DO有可能发生振荡。3、若R2设定电阻小于300,则在充电时,充电电流有可能超过IC容许功耗而 损坏I
8、C,假如R2超过1.3K时,则高电压充电器充电时,有不能切断充电电源的状况。MOS管 21438765876543211MOS管外型结构 2345678图一图二图三 在图一中,MOS管脚1、8通过MOS管内部线路或爱护板上线路连在一起;脚2和脚3,脚6 和脚7 通过内部连在一起;在图二中,MOS管脚D1、D2通过MOS管内部线路连在一起;在图三中,MOS管脚1、2、3通过内部线路连在一起,MOS管脚5、6、7、8通过内部线路连在一起。IC、MOS管管脚的命名规则21438765一般来说,双列式电子元器件的管脚命名都遵从逆时针命名规则,IC、MOS管也不例外。这一般包含两种类型:1、如元器件上有
9、小圆凹点则凹点所对管脚为1脚,其余的按逆时针排列(图一);2、如没凹点,但有文字(通常为元件型号),则将元件摆放至正常的文字读写状态,(图2)文字下方左侧的第一个管脚为1脚,其余按逆时针排列。G2N图一图二1、导通电阻:定义:当充电电流为500mA时,MOS管的导通阻抗。由于通讯设备的工作频率较高,数据传输要求误码率低,其脉冲串的上升及下降沿陡,故对电池的电流输出实力和电压稳定度要求高,因此爱护板的MOS管开关导通时电阻要小,单节电芯爱护板通常在70m,如太大会导致通讯设备工作不正常,如手机在通话时突然断线、电话接不通、噪声等现象。2、自耗电流 定义:IC工作电压为3.6V,空载状态下,流经爱
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