巴中刻蚀设备项目可行性研究报告_参考模板.docx
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1、泓域咨询/巴中刻蚀设备项目可行性研究报告目录第一章 市场分析7一、 高密度等离子体刻蚀7二、 反应离子刻蚀8三、 干法刻蚀是芯片制造的主流技术8第二章 绪论11一、 项目名称及建设性质11二、 项目承办单位11三、 项目定位及建设理由12四、 报告编制说明13五、 项目建设选址14六、 项目生产规模15七、 建筑物建设规模15八、 环境影响15九、 项目总投资及资金构成15十、 资金筹措方案16十一、 项目预期经济效益规划目标16十二、 项目建设进度规划16主要经济指标一览表17第三章 项目建设背景及必要性分析19一、 等离子体刻蚀面临的问题19二、 离子束刻蚀19三、 加强科技创新平台建设2
2、0四、 项目实施的必要性20第四章 建筑工程说明22一、 项目工程设计总体要求22二、 建设方案23三、 建筑工程建设指标24建筑工程投资一览表24第五章 建设规模与产品方案26一、 建设规模及主要建设内容26二、 产品规划方案及生产纲领26产品规划方案一览表26第六章 法人治理29一、 股东权利及义务29二、 董事34三、 高级管理人员38四、 监事40第七章 运营模式43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第八章 SWOT分析说明51一、 优势分析(S)51二、 劣势分析(W)53三、 机会分析(O)53四、 威胁分析(T)5
3、5第九章 节能方案63一、 项目节能概述63二、 能源消费种类和数量分析64能耗分析一览表64三、 项目节能措施65四、 节能综合评价65第十章 环保方案分析67一、 环境保护综述67二、 建设期大气环境影响分析67三、 建设期水环境影响分析68四、 建设期固体废弃物环境影响分析69五、 建设期声环境影响分析69六、 环境影响综合评价70第十一章 组织架构分析71一、 人力资源配置71劳动定员一览表71二、 员工技能培训71第十二章 工艺技术分析73一、 企业技术研发分析73二、 项目技术工艺分析76三、 质量管理77四、 设备选型方案78主要设备购置一览表79第十三章 劳动安全生产81一、
4、编制依据81二、 防范措施83三、 预期效果评价86第十四章 投资估算87一、 投资估算的依据和说明87二、 建设投资估算88建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表92固定资产投资估算表93四、 流动资金94流动资金估算表95五、 项目总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表97第十五章 经济效益99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析106五、 偿债
5、能力分析106借款还本付息计划表108六、 经济评价结论108第十六章 项目风险防范分析109一、 项目风险分析109二、 项目风险对策111第十七章 总结说明114第十八章 附表116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表127建筑工程投资一览表128项目实施进度计划一览表12
6、9主要设备购置一览表130能耗分析一览表130第一章 市场分析一、 高密度等离子体刻蚀在先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。根据产生等离子体方法的不同,等离子体刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀(CCP)、电感性等离子体刻蚀(ICP)、电子回旋加速震荡(ECR)和双等离子体源。电子回旋加速震荡(ECR)反应器是最早商用化的高密度等离子体反应器之一,它是1984年前后日本日立公司最早研究的,第一次使用是在20世纪80年代初。它在现代硅片制造中仍然用于0.25微米及以下尺寸图形的刻蚀。ECR反应器的一个关键是磁场平行于反应剂的流动方向,这使自由电子
7、由于磁力作用做螺旋形运动。增加了电子碰撞的可能性,从而产生高密度的等离子体。优点在于能产生高的各向异性刻蚀图形,缺点是设备复杂度较高。耦合等离子体刻蚀机包括电容耦合(CCP)与电感耦合(ICP),相比ECR结构简单且成本低。电容耦合等离子体刻蚀机(CCP)通过电容产生等离子体,而电感耦合等离子体刻蚀机(ICP)通过螺旋线圈产生等离子体。硅片基底为加装有低功率射频偏置发生器的电源电极,用来控制轰击硅片表面离子的能量,从而使得整个装置能够分离控制离子的能量与浓度。电容性等离子体刻蚀(CCP)主要是以高能离子在较硬的介质材料上,刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构;而电感性等离子体刻蚀(ICP)主要是
8、以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。双等离子体源刻蚀机主要由源功率单元、上腔体、下腔体和可移动电极四部分组成。这一系统中用到了两个RF功率源。位于上部的射频功率源通过电感线圈将能量传递给等离子体从而增加离子密度,但是离子浓度增加的同时离子能量也随之增加。下部加装的偏置射频电源通过电容结构能够降低轰击在硅表面离子的能量而不影响离子浓度,从而能够更好地控制刻蚀速率与选择比。二、 反应离子刻蚀反应离子刻蚀(RIE)是一种采用化学反应和物理离子轰击去除硅片表面材料的技术,是当前常用技术路径,属于物理和化学混合刻蚀。在传统的反应离子刻蚀机中,进入
9、反应室的气体会被分解电离为等离子体,等离子体由反应正离子、自由基、反应原子等组成。反应正离子会轰击硅片表面形成物理刻蚀,同时被轰击的硅片表面化学活性被提高,之后硅片会与自由基和反应原子形成化学刻蚀。这个过程中由于离子轰击带有方向性,RIE技术具有较好的各向异性。三、 干法刻蚀是芯片制造的主流技术刻蚀设备处于半导体产业链上游环节。半导体产业链的上游由为设计、制造和封测环节提供软件及知识产权、硬件设备、原材料等生产资料的核心产业组成。半导体产业链的中游可以分为半导体芯片设计环节、制造环节和封装测试环节。半导体产业链的下游为半导体终端产品以及其衍生的应用、系统等。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的
10、复制掩模图形。刻蚀是指使用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,并保证有图形的光刻胶在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。常用来代表刻蚀效率的参数主要有:刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差和选择比等。刻蚀速率指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度;刻蚀剖面指的是刻蚀图形的侧壁形状,通常分为各向同性和各向异性剖面;刻蚀偏差指的是线宽或关键尺寸间距的变化,通常由横向钻蚀引起;选择比指的是同一刻蚀条件下两种材料刻蚀速率比,高选择比意味着不需要的材料会被刻除。刻蚀技术按工艺分类可分为湿法刻蚀和干法刻蚀,其中干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法,湿法刻蚀主要包括化学刻蚀和电解刻蚀。由于在湿法刻
11、蚀技术中使用液体试剂,相对于干法刻蚀,容易导致边侧形成斜坡、要求冲洗或干燥等步骤。因此干法刻蚀被普遍应用于先进制程的小特征尺寸精细刻蚀中,并在刻蚀率、微粒损伤等方面具有较大的优势。目前先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。一个等离子体刻蚀机的基本部件包括发生刻蚀反应的反应腔、产生等离子体气的射频电源、气体流量控制系统、去除生成物的真空系统。刻蚀中会用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅,氯和氟刻蚀铝,氯、氟和溴刻蚀硅,氧去除光刻胶。第二章 绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称巴中刻蚀设备项目(二)项目建设性质本项目属于新建项目二、 项
12、目承办单位(一)项目承办单位名称xx有限公司(二)项目联系人郝xx(三)项目建设单位概况公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板
13、,推进供给侧结构性改革。公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。三、 项目定位及建设理由随着国际上高端量产芯片从14nm-10nm阶段向7nm、5nm甚至更小的方向
14、发展,当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制,关键尺寸无法满足要求,必须采用多重模板工艺,利用刻蚀工艺实现更小的尺寸,使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。(二)报告编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠,保证项目投产后,能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠,并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施,以降低投资,加快项目建设进
15、度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求,符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案,以最大程度减少投资,提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性,实事求是地作出研究结论。(二) 报告主要内容1、项目提出的背景及建设必要性;2、市场需求预测;3、建设规模及产品方案;4、建设地点与建设条性;5、工程技术方案;6、公用工程及辅助设施方案;7、环境保护、安全防护及节能;8、企业组织机构及劳动定员;9、建设实施与工程进度安排;10、投
16、资估算及资金筹措;11、经济评价。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约81.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后,形成年产xxx套刻蚀设备的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积101705.46,其中:生产工程63889.56,仓储工程24290.28,行政办公及生活服务设施10239.29,公共工程3286.33。八、 环境影响本期项目采用国内领先技术,把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中,使外排的“三废”量达到最低限度,项目投产后不会
17、给当地环境造成新污染。九、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资37845.22万元,其中:建设投资29316.80万元,占项目总投资的77.47%;建设期利息614.75万元,占项目总投资的1.62%;流动资金7913.67万元,占项目总投资的20.91%。(二)建设投资构成本期项目建设投资29316.80万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用25465.13万元,工程建设其他费用3132.70万元,预备费718.97万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资37845.22万元,其中申请
18、银行长期贷款12545.87万元,其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):80500.00万元。2、综合总成本费用(TC):68516.53万元。3、净利润(NP):8743.55万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):6.66年。2、财务内部收益率:15.43%。3、财务净现值:4962.00万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价该项目工艺技术方案先进合理,原材料国内市场供应充足,生产规模适宜,产品质量可靠
19、,产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著,抗风险能力强,盈利能力强。综上所述,本项目是可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积54000.00约81.00亩1.1总建筑面积101705.461.2基底面积34020.001.3投资强度万元/亩354.162总投资万元37845.222.1建设投资万元29316.802.1.1工程费用万元25465.132.1.2其他费用万元3132.702.1.3预备费万元718.972.2建设期利息万元614.752.3流动资金万元7913.673资金筹措万元37845.223.1自筹资金万元25299.353.2银行贷款万
20、元12545.874营业收入万元80500.00正常运营年份5总成本费用万元68516.536利润总额万元11658.077净利润万元8743.558所得税万元2914.529增值税万元2711.7110税金及附加万元325.4011纳税总额万元5951.6312工业增加值万元20671.2813盈亏平衡点万元35890.91产值14回收期年6.6615内部收益率15.43%所得税后16财务净现值万元4962.00所得税后第三章 项目建设背景及必要性分析一、 等离子体刻蚀面临的问题随着当前先进芯片关键尺寸的不断减小以及FinFET与3DD等三维结构的出现,不同尺寸的结构在刻蚀中的速率差异将影响
21、刻蚀速率,对于高深宽比的图形窗口来说,化学刻蚀剂难以进入,反应生成物难以排出。另外,薄膜堆栈一般由多层材料组成,不同材料的刻蚀速率不同,很多刻蚀工艺都要求具有极高的选择比。第三个问题在于当达到期望深度之后,等离子体中的高能离子可能会导致硅片表面粗糙或底层材料损伤。干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。在这种情况下,一个等离子体刻蚀机应装上一个终点检测系统,使得在造成最小的过刻蚀时停止刻蚀过程。当下一层材料正好露出来时,重点检测器会触发刻蚀机控制器而停止刻蚀。二、 离子束刻蚀离子束刻蚀(IBE)是具有较强方向性等离子体的一种物理刻蚀机理。他能对小尺寸图型产生各向异性刻蚀,等离子体通
22、常是由电感耦合RF源或微波源产生的。热灯丝发射快速运动的电子。氩原子通过扩散筛进入等离子体腔内。电磁场环绕等离子体腔,磁场使电子在圆形轨道上运动,这种循环运动是的电子与氩原子产生多次碰撞,从而产生大量的正氩离子,正氩离子被从带格栅电极的等离子体源中引出并用一套校准的电极来形成高密度束流。离子束刻蚀主要用于金、铂、铜等较难刻蚀的材料。优势在于硅片可以倾斜以获取不同的侧壁形状。但也面临低选择比和低刻蚀速率的问题。三、 加强科技创新平台建设立足资源禀赋、产业特征、区位优势,突出绿色生态创新特色,创建省级创新型城市。聚焦战略性新兴产业发展,加强科研平台建设。提升巴中国家农业科技园区建设质效,发挥对农业
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