宁夏碳化硅晶片项目招商引资报告(模板范本).docx
《宁夏碳化硅晶片项目招商引资报告(模板范本).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《宁夏碳化硅晶片项目招商引资报告(模板范本).docx(125页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、MACRO 泓域咨询 /宁夏碳化硅晶片项目招商引资报告报告说明清洁能源汽车是未来汽车的发展方向,其中相关的功率器件将绝大部分采用SiC功率器件,仅全球汽车业年需要SiC晶片将超过100万片。在智能电网方面,日本和美国已经制定SiC功率器件研发计划,预计在3-5年内可以投入实际应用,届时可以极大地降低电力传输过程损耗,无疑将对全球节能减排计划起到关键性作用。在LED照明领域,高亮度LED照明市场将以30左右的年增长率快速递增。在军用应用领域,SiC微波通讯器件已经应用于美国军方的雷达、通讯领域;在俄罗斯,军事用途的研究正在大范围开展;我国也在积极进行SiC射频微波器件研发。由于军用领域应用研发周
2、期相对较长,且对价格不敏感,因此在民用领域不断拓展的情况下,一旦军用领域大规模采购,高端SiC单晶晶片的需求将出现爆发式增长。根据谨慎财务估算,项目总投资9101.93万元,其中:建设投资7107.74万元,占项目总投资的78.09%;建设期利息205.36万元,占项目总投资的2.26%;流动资金1788.83万元,占项目总投资的19.65%。项目正常运营每年营业收入17000.00万元,综合总成本费用14844.28万元,净利润1564.67万元,财务内部收益率10.07%,财务净现值-1201.29万元,全部投资回收期7.50年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期
3、合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 项目建设背景、必要性8一、 行业发展前景8二、 行业进入壁垒9三、 行业发展现状10第二章 项目基本情况12一、 项目名称及项目单位12二、 项目建设地点12三、 可行性研究范围12四、 编
4、制依据和技术原则13五、 建设背景、规模14六、 项目建设进度15七、 原辅材料及设备15八、 环境影响15九、 建设投资估算15十、 项目主要技术经济指标16主要经济指标一览表16十一、 主要结论及建议18第三章 行业发展分析19一、 行业竞争情况19二、 影响行业发展的主要因素20第四章 产品规划与建设内容24一、 建设规模及主要建设内容24二、 产品规划方案及生产纲领24产品规划方案一览表25第五章 选址方案分析26一、 项目选址原则26二、 建设区基本情况26三、 创新驱动发展29四、 社会经济发展目标30五、 产业发展方向31六、 项目选址综合评价33第六章 运营管理模式34一、 公
5、司经营宗旨34二、 公司的目标、主要职责34三、 各部门职责及权限35四、 财务会计制度38第七章 SWOT分析45一、 优势分析(S)45二、 劣势分析(W)47三、 机会分析(O)47四、 威胁分析(T)49第八章 进度实施计划57一、 项目进度安排57项目实施进度计划一览表57二、 项目实施保障措施58第九章 环保方案分析59一、 环境保护综述59二、 建设期大气环境影响分析59三、 建设期水环境影响分析62四、 建设期固体废弃物环境影响分析62五、 建设期声环境影响分析63六、 营运期环境影响64七、 环境影响综合评价65第十章 原辅材料分析66一、 项目建设期原辅材料供应情况66二、
6、 项目运营期原辅材料供应及质量管理66第十一章 劳动安全生产分析67一、 编制依据67二、 防范措施68三、 预期效果评价74第十二章 技术方案75一、 企业技术研发分析75二、 项目技术工艺分析77三、 质量管理79四、 项目技术流程80五、 设备选型方案83主要设备购置一览表84第十三章 投资计划85一、 投资估算的依据和说明85二、 建设投资估算86建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表90固定资产投资估算表91四、 流动资金92流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表95第十四章 经济效益分析9
7、7一、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配表101二、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104三、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106第十五章 风险评估108一、 项目风险分析108二、 项目风险对策110第十六章 项目综合评价113第十七章 附表115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综
8、合总成本费用估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表123借款还本付息计划表125第一章 项目建设背景、必要性一、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现;2014年1月,美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟,协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持,1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占
9、据统治地位。随着电子技术的发展,人们对超高频光电子器件的要求越来越高,但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前,碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今,人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发,未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究
10、起步较晚,但国内几家科研发力量很强的单位在SiC单晶材料制备研究已具有一定的基础,并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的SiC晶片中试加工线,建成了百级超净室,开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前,中国制造2025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业,国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能
11、电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域的应用开始陆续加大投资,碳化硅行业在国内方兴未艾。二、 行业进入壁垒碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料,属于资金密集型投资行业,具有一定的投资壁垒;同时行业属于新兴行业,技术积累较少,技术门槛很高,具有较高的技术壁垒。三、 行业发展现状碳化硅(SiC)是继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)之后发展起来的第三代宽禁带半导体(即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等)的代表,也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs,第三代半导体SiC具有更高的热导率(热导率约是Si的3倍
12、、GaAs的10倍),更高的击穿电场(击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍)、更高的饱和电子漂移速率(饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍)、更宽的带隙(禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍)以及更好的热稳定性和化学稳定性。由于SiC材料优异的物理电学性能,用SiC材料替代Si材料,将从根本上提升现有电力电子器件功率模块的工作效率、降低功率损耗、实现节能减排,减少散热装置、减小系统体积和重量,提高工作温度,实现集高功率、高温、高效率和高可靠性于一身的电力电子器件:(1)SiC的击穿电场强度比Si大一个数量级,可减薄器件中耐压层的厚度,使得通态电阻小于Si器件,达到降低功率损耗,实现节
13、能减排;与Si基器件相比,SiC基器件可降低能耗约70%;(2)SiC的热导率优于Si,可大幅度减少Si基器件的庞大散热系统;(3)SiC的禁带宽度约是Si的3倍,并且熔点高,可在600以下温度长时间工作,远高于Si材料的180工作温度。SiC材料被认为是制造高温、高频、大功率电子器件的理想半导体材料,在家用电器、风能光伏、汽车电子、智能电网、轨道交通、航天航空、石油勘探、微波通讯、军事等领域具有广阔应用前景。此外,SiC在制备高亮度发光二极管(LED)方面具有显著的优势。首先,SiC与氮化镓(GaN)的晶格失配率仅为3.5,并且两者的热膨胀系数非常接近;其次,SiC良好的导热性可有效解决大功
14、率、高亮度LED的散热问题;再次,导电型SiC单晶衬底(电阻率小于0.03cm)可制作低功耗电极,大大降低LED的功率损耗。第二章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称:宁夏碳化硅晶片项目项目单位:xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约27.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围投资必要性:主要根据市场调查及分析预测的结果,以及有关的产业政策等因素,论证项目投资建设的必要性;技术的可行性:主要从事项目实施的技术角度,合理设计技术方案,并进行比选和评
15、价;财务可行性:主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算,评价项目的财务盈利能力,进行投资决策,并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力;组织可行性:制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等,保证项目顺利执行;经济可行性:主要是从资源配置的角度衡量项目的价值,评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益;风险因素及对策:主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价,
16、制定规避风险的对策,为项目全过程的风险管理提供依据。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。(二)技术原则按照“保证生产,简化辅助”的原则进行设计,尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下,综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度,采取有效的环境保护措施,使生产中的排放物符合国家排放标准和规定,重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。五、 建设背景、
17、规模(一)项目背景2012年7月,国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出:“到2020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发,重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件(如整流器、转换器、逆变器等)在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势,因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积18000.00(折合约27.00亩),预计场区规划总建筑面积26184.10。其中:生产工程16089.3
18、0,仓储工程3721.25,行政办公及生活服务设施3072.85,公共工程3300.70。项目建成后,形成年产xx万片碳化硅晶片的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 原辅材料及设备(一)项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括硅片、磷纸、石英杆舟、电子清洗液、哈摩粉、异丙醇、硅单晶片、预扩石英管、主扩SIC管、热电偶、高纯洗净剂、高纯液态磷源、抛光液。(二)主要设备主要设备包括:引线框架、铜丝、塑封料、盐酸、硫酸、甲基磺酸、
19、锡球。八、 环境影响本项目建成后产生的各项污染物如能按本报告提出的污染治理措施进行治理,保证治理资金落实到位,保证污染治理工程与主体工程实行“三同时”,且加强污染治理措施和设备的运行管理,实施排污总量控制,则本项目建成后对周围环境不会产生明显的影响,从环境保护角度分析,本项目是可行的。九、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资9101.93万元,其中:建设投资7107.74万元,占项目总投资的78.09%;建设期利息205.36万元,占项目总投资的2.26%;流动资金1788.83万元,占项目总投资的19.65%。(
20、二)建设投资构成本期项目建设投资7107.74万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用6065.31万元,工程建设其他费用805.63万元,预备费236.80万元。十、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入17000.00万元,综合总成本费用14844.28万元,纳税总额1170.24万元,净利润1564.67万元,财务内部收益率10.07%,财务净现值-1201.29万元,全部投资回收期7.50年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18000.00约27.00亩1.1总建筑面积26184.1
21、01.2基底面积10620.001.3投资强度万元/亩254.932总投资万元9101.932.1建设投资万元7107.742.1.1工程费用万元6065.312.1.2其他费用万元805.632.1.3预备费万元236.802.2建设期利息万元205.362.3流动资金万元1788.833资金筹措万元9101.933.1自筹资金万元4910.993.2银行贷款万元4190.944营业收入万元17000.00正常运营年份5总成本费用万元14844.286利润总额万元2086.227净利润万元1564.678所得税万元521.559增值税万元579.1910税金及附加万元69.5011纳税总额万
22、元1170.2412工业增加值万元4315.1213盈亏平衡点万元8951.29产值14回收期年7.5015内部收益率10.07%所得税后16财务净现值万元-1201.29所得税后十一、 主要结论及建议本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标准;本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。第三章 行业发展分析一、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司,德
23、国SiCrystal公司(2009年被日本Rohm公司收购),日本NipponSteel(新日铁)公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断,但其市场份额正在逐年下降,从2008年的75%下降到2015年的50%左右;包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外,其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期,但如此布局
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 宁夏 碳化硅 晶片 项目 招商引资 报告 模板 范本
限制150内