2022年无机材料测试技术思考与练习题答案.docx

《2022年无机材料测试技术思考与练习题答案.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年无机材料测试技术思考与练习题答案.docx（37页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、精选学习资料 - - - - - - - - - 1、X 射线产生的基本条件是什么？答： X 射线产生的基本条件：1 产生自由电子2 使电子做定向高速运动X 射线的性质有哪些 . 3 在其运动的路径上设置一个障碍物,使电子突然减速；X 射线的性质：X 射线肉眼看不见, 可使物质发出可见的荧光, 使照相底片感光,使气体电 离；X 射线沿直线传播,经过电场或磁场不发生偏转,具有很强的穿透才能,可 被吸取强度衰减,杀伤生物细胞；2、连续 X 射线谱及特点 X 射线谱的产生气理是什么？答：连续 X 射线谱的产生气理：当高速电子流轰击阳极外表时, 电子运动突然受到阻挡, 产生极大的负加速度,一个带有负电

2、荷的电子在受到这样一种加速度时,电子四周的电磁场将发生急剧的变化,必定要产生一个电磁波, 该电磁波具有肯定的波长； 而数量极大的电子 流射到阳极靶上时, 由于到达靶面上的时间和被减速的情形各不相同,因此产生 的电磁波将具有连续的各种波长,形成连续 X 射线谱；特点 X 射线谱的产生气理：当 X 射线管电压加大到某一临界值Vk 时,高速运动的电子动能足以将阳极物质原子的 K 层电子给激发出来；于是低能级上显现空位,原子系统才能上升,处于不稳固的激发状态,随后高能级电子跃迁到K 层空位,使原子系统能量降低重新趋于稳固；在这个过程中,原子系统内电子从高能级向低能级的这种跃迁,余外的能量将以光子的形式

3、辐射出特点 X 射线；3、以表中的元素为例,说明 以说明？X 射线 K 系波长随靶材原子序数的变化规律,并加答：依据莫赛莱定律 1 =K Z-,靶材原子序数越大, X 射线 K 系波长越小；靶材的原子序数越大, 对于同一谱系, 所需激发电压越高,h c =eV k,X 射线 K k系波长越小；名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - 4、什么是 X 射线强度、 X 射线相对强度、 X 射线肯定强度？答： X 射线强度是指垂直于 光子数目的能量总和；X 射线传播方向的单位面积上在单位时间内通过的5、为什么 X 射线管的窗口要

4、用 Be 做,而防护 X 光时要用 Pb 板？答：I I =0 e-m t,Be 吸取系数和密度比较小,强度透过的比较大；而 Pb 吸取系数和密度比较大,强度透过的比较小；因此 X 射线管的窗口要用 Be 做,而防护 X光时要用 Pb 板；6、说明 X 射线的光电效应、俄歇效应与吸取限,吸取限的应用有哪些？答：光电效应： X 射线与物质作用,具有足够能量的X 射线光子激发掉原子K层的电子,外层电子跃迁填补,余外能量辐射出来,被X 射线光子激发出来的电子称为光电子,所辐射的 X 射线称为荧光 X 射线,这个过程称为光电效应；俄歇效应：原子在 X 射线光子的作用下失掉一个 K 层电子,它所处状态为

5、 K 激发态,当一个 L2 层电子填充这个空位后,就会有数值等于 EL2-Ek 的能量释放出来,当这个能量 EL2-EkEL,它就有可能使 L2、L3、M、N 等层的电子逸出,产生相应的电子空位,而这被 程称为俄歇效应；K 荧光 X 射线激发出的电子称为俄歇电子,这个过7、说明为什么对于同一材料其 kkk；答：导致光电效应的 X 光子能量 =将物质 K 电子移到原子引力范畴以外所需作的功 h v k =W k；h v k =E -E =W -W =h L k k L v k-h v ；L h v k =E -E =W -W =h M k k M v k-h v Mh v k = h v k-h

6、 v hv k又 E -E E -E k 故 hv hv k 所以 hv k hv k hv kv = c 所以 kk k3 Cuk 能激发 CuL 荧光辐射；kL9、试运算当管电压为 50kV 时,X 射线管中电子在撞击靶面时的速度与动能,. 以及对所发射的连续谱的短波限和辐射光子的最大能量是多少 解：已知条件： U=50kv；电子静止质量 m0=9.1 10-31kg；光速 c=2.998 10 8m/s；电子电量 e=1.60210-19C；普朗克常数 h=6.626 10-34J.s 电子从阴极飞出到达靶获得的总动能E=eU=1.602 10-19C 50kv=8.01 10-18kJ

7、 由于 E=m0v0 2/2,所以电子与靶碰撞时的速度为v0=2E/m01/2=4.2 10 6m/s 连续谱的短波限 0的大小仅取决于加速电压 0. 12400/v伏 .辐射出来的光子的最大动能为E0h.0hc/ 01.99 10-15J 10、运算 0.071nmMoK 和 0.154nmCuK 的 X 射线的振动频率和能量；解：对于某物质 X 射线的振动频率C ；能量 W=h .1034J s1015J其中： C 为 X 射线的速度108 m/s; 为物质的波长； h 为普朗克常量为对于 Mo KkC =2. 998108m/s4.2231018s10 .071109ms1=2 .797

8、kW k =h.k=6.6251034Js4.2231018对于 CuKkC =2. 998108m/s1. 951018s10. 154109m1015JkW k =h.k=6.6251034Js1. 951018s1=1 .2911、欲用 Mo 靶 X 射线管激发 Cu 的荧光 X 射线辐射, 所需施加的最低管电压是多少？激发出的荧光辐射的波长是多少？解： eVk=hc/Vk10-3410 810-1910-10=17.46kv 0=1.24/vnm=1.24/17.46nm=0.071nm 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 20 页精选学习资料 - - - - -

9、- - - - 其中 h为普郎克常数,其值等于 10-34 e为电子电荷,等于 10-19c 故需加的最低管电压应 kv,所发射的荧光辐射波长是纳米；12、为使 CuK 的强度衰减 1/2,需要多厚的 Ni 滤波片？解：由I = I 0-emt得13、试运算将 Cu 辐射中的 IK /IK 从提高到 600 的 Ni 滤片厚度 Ni 对 CuK的质量吸取系数 m=350cm2/g；解：I k =I k 0 e-m k tI k =I k 0 e-m k t又 II kk 0 0 =7.5I Ik k =600 就 8= e- t m k-m k= e-8.9 t 45.7-350t=7.68

10、10-4 14、运算空气对 CrK 的质量吸取系数和线吸取系数假设空气中只有质量分数 80的氮和质量分数 20的氧,空气的密度为 1.29 10-3gcm3；解： cm2/g =m =30.18 1.29 10-3=3.89 10-2 cm-115、X 射线试验室中用于防护的铅屏,其厚度通常至少为 lmm,试运算这种铅屏对于 CuK 、MoK 和 60KV 工作条件下从管中发射的最短波长辐射的透射因数各为多少？解：透射因数 I/I 0=e- mt,Pb cm-3,t 对 CuK ,查表得 m=585cm 2 g-1,其透射因数 I/I 0=e- mt=e=7.82 e-289= 1.13 10

11、7对 MoK ,查表得 m=141cm 2 g-1,其透射因数 I/I 0=e- mt=e=3.62 e-70= 1.352 101216、用倒易点阵概念推导立方晶系面间距公式；名师归纳总结 解：dhkl 与其倒易点阵中的倒易矢量长度=H* hkl成反比dhkl=1H* * *=ha +kb + c第 4 页,共 20 页hklH* hkl又由于立方晶系* * *a =b =c =bc=cVaab=1=1=1VVabc- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 就H*=h+k+lH*=h2+k2+l2=2 2h +k +l2hklhklaaaaa因此dhkl=a

12、22 2h +k +l17、利用倒易点阵概念运算立方晶系110和 111面之间的夹角；18、布拉格方程式中各符号的物理意义是什么？该公式有哪些应用？布拉格方程各符号物理意义：满意衍射的条件为 2dsin =nd 为面间距, 为入射线、反射线与反射晶面之间的交角,称掠射角或布拉格角,而2 为入射线与反射线衍射线之间的夹角,称衍射角,n 为整数,称反射级数, 为入射线波长；布拉格方程应用：布拉格方程是X 射线衍射分布中最重要的基础公式,它形式简洁,能够说明衍射的基本关系,一方面是用已知波长的 X 射线去照耀晶体,通过衍射角的测量求得晶体中各晶面的面间距d,这就是结构分析 X 射线衍射学；另一方面是

13、用一种已知面间距的晶体来反射从试样发射出来的 X 射线,通过衍射角的测量求得 X 射线的波长,这就是 X 射线光谱学；该法除可进行光谱结构的争论外,从 X 射线的波长仍可确定试样的组成元素；电子探针就是按这原理设计的；19、为什么说劳厄方程和布拉格方程实质上是一样的 . 20、一束 X 射线照耀在一个晶面上,除“镜面反射 ”方向上可获得反射线外,在其他方向上有无反射线 .为什么 .与可见光的镜面反射有何异同 .为什么 . 答：有,满意布拉格方程的方向上都能反射；可见光的反射只在晶体外表进行,X 射线的反射是满意布拉格方程晶体内部全部晶面都反射；21、-Fe 属立方晶系,点阵参数；如用CrK X

14、 射线 =0.2291nm 照耀,试求110200及211可发生衍射的掠射角；名师归纳总结 解： 2d hklsin = =arcsin=arcsin2 2 h +k +l2第 5 页,共 20 页2dhkl2a110 =arcsin2 20.2291 1 +1 +02=34.422 0.2866- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 200 =arcsin2 20.2291 2 +0 +02=53.0720.2866211 =arcsin0.2291 2 +1 +1 2 2 2=78.242 0.286622、衍射线的肯定强度、相对强度、累积强度积分强度

15、的物理概念是什么 . 答：累积强度、肯定强度积分强度 ：某一组面网衍射的X 射线光量子的总数；相对强度：用某种规定的标准去比较各个衍射线条的强度而得出的强度相比照值,实际上是；由I 累除以 I0 及肯定的常数值而来；23、影响多晶体衍射强度各因子的物理意义是什么.结构因子与哪些因素有关系. 答：多重性因子、结构因子、角因子、温度因子和吸取因子；结构因子只与原子在晶胞中的位置有关,而不受晶胞的外形和大小的影响；24、某立方系晶体,其 100 的多重性因子是多少 .如该晶体转变成四方晶系,这个晶面族的多重性因子会发生什么变化 .为什么 . 答：立方系晶,其 100 的多重性因子是 6：100、10

16、0、010、010、001、001；四方晶系,其 100 的多重性因子是 4：100、100、010、010；25、金刚石晶体属面心立方点阵,每个晶胞含8 个原子,坐标为 0,0,0、1/2,1/2,0、1/2,0,1/2、0,1/2,1/2、1/4,1/4,1/4、3/4,3/4,1/4、3/4,1/4,3/4、1/4,3/4,3/4,原子散射因子 f a,求其系统消光规律 F2简化表达式 ,并据此说明结构消光的概念；解：2 F hkl2 =f cos20 +cos 2h+k+cos 2h+l+cos2k+l+cos 2+h+k+l222222444+cos 23h 4+3k+l+cos23

17、h+k+3 l+cos 2h+3k+3 l244444444k+l0 +sin 2h+k+sin 2h+l+sin 2k+l+sin 2h2 +f sin 2222222444+sin 23h+3k+l+sin 23h+k+3 l+sin 2h+3k+3 l244444444426、有一四方晶系晶体,其每个单位晶胞中含有位于 1/4、1/2,0,3/4、0,1/2,3/4上的四个同类原子,:0,1/2, 1/4、1/2, 0,1试导出其 F 2的简化表名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - 达式 ; 2该晶体属哪种布拉维

18、点阵. 3运算出 100002111001反射的 F 值；解0+k+l 4+cos 2h+0+l+cos 2h+0+3 l4+cos 2k0+k 2+3 l：2 F hkl2 =f cos 22224242 +f sin 20+k 2+l+sin 2h 2+0+l+sin 2h+0+3 l+sin 20+3 l424424227NaCl 晶胞中原子的位置如下：Na 离子 0、0、0, 0、 1/2、1/2,1/2、0、1/2,1/2、1/2、0；Cl 离子 1/2、0、0, 0、1/2、0, 0、0、1/2,1/2、1/2、1/2；Na 和 Cl 离子的散射振幅分别为fNa+、fCl-,争论系

19、统消光规律；F hkl 2=f Na +2cos 2 0 + cos2 h + k + cos2 h + l + cos2 k + l 22 2 2 2 2 2+2 h k h l k l 2+f Na sin 2 0 +sin 2 + +sin 2 + +sin 2 + 2 2 2 2 2 2+f Cl -2cos2 h + cos2 k + cos2 l + cos2 h + k + l 22 2 2 2 2 2+f Cl -2sin 2 h +sin 2 k +sin 2 l +sin 2 h + k + l 22 2 2 2 2 228、CuK 射线 k =0.154nm 照耀 Cu

20、样品,已知 Cu 的点阵常数,试用布拉格方程求其 200反射的 角；解： 2d hklsin = =arcsin=arcsin2 2 h +k +l22dhkl2a200 =25.25 29、表达粉晶徳拜照相法的基本原理；答：1 由于粉末柱试样中有很多结构相同的小晶粒,同时它们有着一切可能的取向,所以某种面网锥顶角为 4hkl；dhkl所产生的衍射线是形成连续的衍射圆锥,对应的圆2 由于晶体中有很多组面网,而每组面网有不同的 d 值,因此满意布拉格方程和结构因子的全部面网所产生的衍射线形成一系列的圆锥,不同的 4hkl；而这些圆锥的顶角为3 由于底片是环绕粉末柱环形安装的,所以在底片上衍射线表

21、现为一对对称的名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - 弧线 =45时为直线,每对弧线代表一组面网 dhkl,每对弧线间的距离 S 为4hkl 所张的弧度,即： S=R4 hkl；30、表达猎取衍射把戏的三种基本方法 答：. 它们的应用有何不同 . 试验方法所用辐射样品照相法徳拜照相机衍射仪法粉末法单色辐射多晶体或晶体粉末样品转动或不转粉末衍射仪劳厄法连续辐射单晶体样品固定不动劳厄照相机单晶或粉末衍射仪转晶法单色辐射单晶体样品转动或摇摆转晶 -回摆照相机单晶衍射仪31、说明用衍射仪进行多晶试样的衍射分析的原理和过程；答：衍

22、射仪主要由 X 射线发生器、测角仪、辐射探测器及各检测记录装置等部 分组成；通过 X 射线发生器产生 X 入射线,试样在平面粉晶试样台上绕中心轴转动,在满意布拉格方程的方向上产生X 衍射线,由探测器探测 X 衍射线强度,由测角仪测定产生 X 射线衍射的 角；32、表达各种辐射探测器的基本原理；答：正比计数器气体电离计数器的工作原理：由窗口射入的 X 射线光子会将计数器里的气体分子电离, 由于计数器内电场强度高, 而且越靠近阳极丝越高,这样向阳极丝靠近的电子会被越来越高的电场加速,使之获得足够高的能量, 以至于把其他气体分子电离, 而电离出来的电子又被加速到能进一步电离其他气体 分子的程度,如此

23、逐级进展下去；闪耀计数器的工作原理：衍射的 体上,单晶体发出可见光,一个X 射线光子进入计数器,第一照耀到一种单晶 X 光子激发一次可见光闪光,闪光射入光电倍增管的光敏阴极上又激发出很多电子,任何一个电子撞到联极上都从外表激发出几个电子,由于联极至少有 10 个,每个联极的电压递增 100V,所以一个电子可倍增到 106-107个电子,这样在外电路中就会有一个较大的电流脉冲；半导体计数器的工作原理：借助于电离效应形成电子-空穴对,硅半导体的能带结构由完全被电子填充的价带和部分被电子填充的导带组成,两者之间被禁带分开,当一个外来的 X 光子进入,它把价带中的部分电子激发到导带,于是在价带中产生一

24、些空穴,在电场作用下,这些电子-空穴对可以形成电流,在温度和名师归纳总结 压力肯定时,电子 -空穴对的数目和入射的X 光子能量成正比例关系；第 8 页,共 20 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 33、衍射仪扫描方式、衍射曲线上2 位置及 I 的测量方法；答：扫描方式：连续扫描和步进扫描；2 位置测量方法：巅峰法、焦点法、弦中点法、中心线峰法、重心法；I 测量方法：峰高强度、积分强度；34、简要比较衍射仪法与德拜照相法的特点；答：与德拜照相法相比,衍射仪法所具有的特点：简便快速、灵敏度高、辨论能力强、直接获得强度I 和 d 值、低角度区的2 测量范畴

25、大、样品用量大、对仪器稳固的要求高；35、晶胞参数的精确测定及详细方法有哪些 . 答：图解外推法、最小二乘法、衍射线对法；36、物相分析的一般步骤及定性鉴定中应留意的问题是什么 . 答：物相分析的一般步骤： 用肯定得试验方法获得待测试样的衍射把戏,运算并列出衍射把戏中各衍射线的 d 值和相应的相对强度 I,参考比照已知的 X 射线粉 末衍射卡片鉴定出试样的物相；定性鉴定中应留意的问题：1 d 的数据比 I/I 1 数据重要； 2 低角度线的数据比高角度线的数据重要； 3 应重视特点线； 4 明白待测试样的来源、化学成分、物理性质以及用化学或物理方法对试样进行预处理,正确快速地分析鉴定；并借助于

26、平稳相图都有助于37、从一张简洁立方点阵物质的德拜照片上,已求出四根高角度线条的 角系由 CuK 线所产生 对应的衍射指数,试用 “ a-cos2 ”的图解外推法求出四位有效数字的点阵参数：解：HKL 532 620 443 541 2=0.7397cos21a obs1=2 2h +k +l2=2 20.2291 5 +3 +22sin2sin 72.68名师归纳总结 a obs2=2 2 h +k + l2=2 20.2291 6 +2 +02=0.7408cos 224372第 9 页,共 20 页2sin2sin 77.93a obs3=2 2 h +k + l2=2 20.2291

27、4 +4 +32=0.7424cos232sin2sin81.11- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - a obs4=2 2 h +k + l2=2 2 20.2291 5 +4 +1=0.7431cos21019952sin2sin87.44ac38、依据上题所给数据用柯亨法运算四位有效数字的点阵参数；解：22 81.112 25 +3 +222 2 2sin 72.68 + 6 +2 +022 2 2sin 77.93 + 4 +4 +322 sin 81.112 2 2+ 5 +4 +12 sin 87.44 =A2 25 +3 +2222 2+ 6

28、 +2 +0222 2+ 4 +4 +3222 2 2+ 5 +4 +1+B2 25 +3 +2210sin2222 272.68 + 6 +2 +0210sin222 277.93 + 4 +4 +3210sin22 2 2+ 5 +4 +110sin287.442 2 2 2 2 210sin 2 72.68 sin 72.68 +10sin 2 77.93 sin 77.93 +10sin 2 81.11 sin 81.112 2+10sin 2 87.44 sin 87.44 =A2 2 2 2 2 2 2 25 +3 +2 10sin 2 72.68 + 6 +2 +0 10sin

29、2 77.932 2 2 2 2 2 2 2+ 4 +4 +3 10sin 2 81.11 + 5 +4 +1 10sin 2 87.44+B2 10sin 2 72.6822 + 10sin 277.9322 + 10sin 2 81.1122 + 10sin 2 87.442代入数据由A=2得a =2=42 0.2291=0.74312 4a c4A0.0237603439、某陶瓷坯料经衍射定性分析为高岭石、石英和长石原料组成, 称取样品做衍射试验,其中它们的最强线各为 1864、923、620CPS,已知参比强度各为、,定 量各原料的含量；40、试比较光学显微镜成像和透射电子显微镜成像的

30、异同；答：光学显微镜和透射电镜显微镜成像的基本光学原理相像,区分在于使用的照明源和聚焦成像的方法不同, 光学显微镜是可见光照明, 玻璃透镜聚焦成像, 透射电子显微镜用电子束照明,用肯定外形的磁场聚焦成像；41、电子的波长运算及电子光学折射定律的表述；名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - 答：=12.25-6 V1+0.9788 10 Vsin=vt1/ v1=v2=2eV 1=V2=1msinvt2/ v2v12eV2V 12m42、试运算真空中电子束在200KV 加速电压时,电子的质量、速度和波长；解：m=m02=

31、9.11 10-312-31 =9.110002 103 200 10 0.0251-V C1-200 10 33 10 8v=2eV=2 1.6 10-19200 10 38 =7.025 10m-31 9.110002 10=12.2512.25-6 V1+0.9788 10 V3-6200 10 1+0.9788 1043、何谓静电透镜和磁透镜 . 答：静电透镜：把能使电子曲折射聚焦的具有旋转对称等电位曲面簇的电极装置；磁透镜：在电子光学系统中用于使电子波聚焦成像的磁场是一种非匀称磁场,把能使电子波聚焦的具有旋转对称非匀称的磁极装置；44、表达电磁透镜的特点、像差,产生像差的缘由；答：电

32、磁透镜的特点： 能使电子偏转会聚成像, 但不能加速电子； 总是会聚透镜；焦距 f、放大倍数 M 连续可调；像差包括几何像差球差、像散、畸变和色差：球差是由电磁透镜中近轴区域对电子束的折射才能与远轴区域不同而产生的；像散是由透镜磁场非旋转对称引起的；色差是由于成像电子波长 或能量 变化引起电磁透镜焦距变化而产生的一种像差；45、影响光学显微镜和电磁透镜辨论率的关键因素是什么 辨论率 . .如何提高电磁透镜的答：影响光学显微镜辨论率的关键因素是入射光波长和数值孔径；影响电磁透镜辨论率的关键因素是透镜的像差和衍射效应所产生的散焦斑尺寸 的大小；名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页,共

33、 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - 提高电磁透镜的辨论率： 确定电磁透镜的最正确孔径半角,使得衍射效应散焦斑与球差散焦斑尺寸相等,说明两者对透镜辨论率影响成效一样；46、试运算加速电压为100KV 时的电子束波长,当球差系数、孔径半角 =10-2弧度时的辨论率；解：=12.25-312.250.037.V1+0.9788 10 V-6100 10 1+0.9788 10 3-6100 10 313130r =0.49Cs =0.490.88 1040.037 10-104=2.2514.47、电磁透镜的景深和焦深主要受哪些因素影响 的缘由；.说明电磁透镜景深大、焦深长答

34、：景深受辨论率和孔径半角影响；焦深受辨论率、孔径半角、透镜放大倍数影 响；电磁透镜景深大、焦深长的缘由是由于其辨论率高、孔径半角小；48、何谓景深与焦深 .当 r0=10 . 、 =10-2 弧度、 M=3000 时,请运算 Df 与 DL 值；答：景深是透镜物平面答应的轴向偏差；焦深是透镜像平面答应的轴向偏差；D =2 r 02 r 0=2 10=2000.=1.8mtan10-2D = L2 r M2 r M=2 r M2=2 2 10 3000-2 10tan49、何谓衬度 .透射电镜有几种衬度像 .其原理是什么 . 答：衬度是指试样不同部位由于对入射电子作用不同,差异；在显示装置上显示

35、的强度透射电镜有三种衬度像：散射衬度像、衍射衬度像、相位衬度像；散射衬度像是由于样品的特点通过对电子的散射能量的不同变成了有明暗差异 的电子图像；衍射衬度是来源于晶体试样各部分满意布拉格反射条件不同和结构 振幅的差异；相位衬度是利用电子束透过样品的不同部分后其透射波发生相位 差,将这相位差转换为振幅差,实现图像衬度；50、分别表达各种不同样品复型样品、粉末样品、萃取复型样品、经投影的二级复型样品、薄膜样品 散射衬度像的形成原理；答：在未经投影的塑料一级或碳一级复型样品中,A、B 处只是 t 不同, AB,就 A 处 t 大于 B 处 t,就 A 处对电子的散射才能就大, 通过光阑参加成像的电子

36、名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - 强度 IAIB ,表现在观看屏上就是B 处比 A 处更亮,形成明暗差异的散射衬度像；假设是粉末样品、萃取复型及经投影的二级复型样品,其 A、B 二处除 t 不 同外,其他的如 、 、A 等也会不一样,同样会造成该两处将电子散射到物镜 光阑以外的才能的不同； 而对于薄膜样品, 就是 A、B 二处除 t 相同之外, 、 、A 等都不一样；51、透射电镜样品制备方法有哪些 答：粉末颗粒样品：.简洁表达它们的制备过程；塑料支持膜 将一种火棉胶的醋酸异戊酯溶液滴在蒸馏水外表上,瞬时就能在

37、水面上形成厚度约 200-300 . 的薄膜,将膜捞在专用样品铜网上即可；塑料 -碳支持膜 在塑料支持膜的基础上,再喷镀一层很薄的碳膜；碳支持膜 在制成塑料 -碳支持膜以后,增加一道溶掉塑料支持膜的操作,使 碳膜粘贴在样品铜网上,即得到碳支持膜；复型样品：塑料一级复型 取一滴火棉胶的醋酸异戊酯溶液滴于清洁的已腐蚀的待争论 材料外表,干燥后将其剥离材料外表即可得到塑料一级复型样品；碳膜一级复型 用真空蒸发设备在样品外表蒸上50-300 . 厚的碳,并可用重金属投影,然后将其从样品外表剥离即得碳一级复型样品；塑料碳膜二级复型 用醋酸纤维素膜或火棉胶等塑料制成第一次复型,剥下后对其与样品的接触面先投影重金属然后再制作碳膜复型,级复型样品；萃取复型：再去掉塑料膜就得到二利用一种薄膜如喷镀碳膜把经过腐蚀的试样外表的待争论相粒子粘附下来,由于这些相粒子在膜上的分布仍保持不变,所以萃取复型样品可以直接观看分析争论对象的外形、大小、分布及它们的物相；52、透射电镜如何