电力电子技术总复习优秀PPT.ppt
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1、题型1.填空题(20分)2.分析题(20分)3.简答题(30分)4.计算题(15分)5.设计题(10分,5分)第一章电力电子器件本章重点内容本章重点内容:各种器件的工作原理、基本特性、主要参数以各种器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和运用中应留意的一些问题。及选择和运用中应留意的一些问题。电力电子器件的驱动、爱护问题。电力电子器件的驱动、爱护问题。电力电子器件的特征?能处理电功率的实力,一般远大于处理信息的电子器件。电力电子器件一般都工作在开关状态。电力电子器件往往须要由信息电子电路来限制。电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件,一般都要安装散热器。电力电子器件的分类?半控型器件
2、(Thyristor)全控型器件(IGBT,MOSFET)不行控器件(Power Diode)电流驱动型电压驱动型1.不控器件-二极管1.工作原理?2.基本特性?3.主要参数?1)额定正向平均电流IF(AV)2)正向压降UF3)反向重复峰值电压URRM4)反向复原时间trr5)最高工作结温TJM6)浪涌电流IFSMAKAKa)IKAPNJb)c)AK4、大功率二极管的型号、大功率二极管的型号ZP电流电流电压电压/100 如如ZP50-16表示一般型功率二极管,额表示一般型功率二极管,额定电流为定电流为50A,额定电压为,额定电压为1600V。2.半控器件半控器件晶闸管晶闸管(Thyristor
3、)特点:只能限制其导通,不能限制其关断。能承受的电压和电流容量最高,工作牢靠,在大容量的场合具有重要地位。阳极电压上升至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发只有门极触发是最精确、快速而牢靠的限制手段晶闸管正常工作时的特性总结如下:晶闸管正常工作时的特性总结如下:承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。承受正向电压时,仅在门极有触发电流的状况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通,门极就失去限制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。伏安特性正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRM
4、URRMURSM动态特性动态特性100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA反向阻断复原时间反向阻断复原时间trr正向阻断复原时间正向阻断复原时间tgr关断时间关断时间tq以上两者之和以上两者之和tq=trr+tgr (延迟时间延迟时间td(0.51.5 s)上升时间上升时间tr (0.53 s)开通时间开通时间tgt以上两者之和,tgt=td+tr晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数1)电压定额电压定额通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压额定电压。选用时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。2)、)、电流定额电流定额 通通
5、 态态 平平 均均 电电 流流(额额 定定 电电 流流)IT(AV)选用器件时 IT(AV)=(1.5 2)IT/1.57维持电流维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流擎住电流 IL晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说对同一晶闸管来说,通常通常IL约为约为IH的的24倍倍。浪涌电流浪涌电流ITSMITSM指由于电路异样状况引起的并使结温超指由于电路异样状况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。断态电压临界上升率断态电压临界上升率du/dt du/dt 电压上升率过大,使结电容
6、充电电流足电压上升率过大,使结电容充电电流足够大,造成晶闸管误导通够大,造成晶闸管误导通 。通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dtdi/dt电流上升太快,可能造成局部过热而使电流上升太快,可能造成局部过热而使晶闸管损坏。晶闸管损坏。4)、晶闸管的型号、晶闸管的型号 一般一般,快速型,快速型,双向型,双向型,逆导型,逆导型,可关断可关断 KP电流电流电压电压/100 KP500-12通态平均电压组别正反向重复峰值电压通态平均电流普通型闸流特性3.全控型器件全控型器件1.GTO2.GTR3.MOSFET4.IGBT1-15GTO GTO 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO导通过程与一般
7、晶闸管一样,只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程中有猛烈正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比一般晶闸管开通过程快,承受di/dt实力强。特点:1-16GTR GTR 电力晶体管电力晶体管 典型输出特性:截截止止区区、放放大大区区和饱和区饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中,即在截止区和饱和区之间过渡时,要经过放大区。截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib220V将导致绝缘层击穿。除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有:(4)极间电容极间电容极间电容CGS、CGD和CDS1-22IGBT-IGBT-绝缘
8、栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管驱动原理与电力MOSFET基本相同,场控器件,通断由栅射极电压uGE确定。导通:uGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管供应基极电流,IGBT导通。通态压降:电导调制效应使电阻RN减小,使通态压降减小。关断:栅射极间施加反压或不加信号时,MOSFET内的沟道消逝,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断。IGBT的原理的原理1-232 2 电力电子器件驱动电路电力电子器件驱动电路使电力电子器件工作在较志向的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗。对装置的运行效率、牢靠性和平安性都有重要的意义。一些爱护措施也往往设在驱动电路中,或通过驱动电路实现
9、。驱动电路的基本任务:按限制目标的要求施加开通或关断的信号。对半控型器件只需供应开通限制信号。对全控型器件则既要供应开通限制信号,又要供应关断限制信号。驱动电路驱动电路主电路与限制电路之间的接口主电路与限制电路之间的接口1-24 驱动电路还要供应限制电路与主电路之间的电气隔离环节,一般接受光隔离或磁隔离。光隔离一般接受光耦合器磁隔离的元件通常是脉冲变压器图1-25光耦合器的类型及接法a)一般型b)高速型c)高传输比型1-25依据驱动信号的性质分,可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的,但目前的趋势是接受专用集成驱动电路。双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集
10、成电路。为达到参数最佳协作,首选所用器件生产厂家特地开发的集成驱动电路。分类分类1-26晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路脉冲的宽度应保证晶闸管牢靠导通。触发脉冲应有足够的幅度。不超过门极电压、电流和功率定额,且在牢靠触发区域之内。有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。tIIMt1t2t3t4图1-26志向的晶闸管触发脉冲电流波形t1t2脉冲前沿上升时间(1s)t1t3强脉宽度IM强脉冲幅值(3IGT5IGT)t1t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值(1.5IGT2IGT)晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路1-27触发脉冲要求:1、触发信号的形式:沟通、直流、脉冲。一般接受脉冲形式2、触发脉冲
11、信号有确定的功率和宽度。一般接受双窄脉冲或宽脉冲。1-283、为使并联晶闸管同时导通,接受强触发脉冲。4、触发脉冲的同步及其移相范围。5、隔离输出方式和抗干扰实力。接受脉冲变压器进行隔离,并接受静电屏蔽。1-29典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。为快速建立驱动电压,要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET开通的驱动电压一般1015V,使IGBT开通的驱动电压一般1520V。关断时施加确定幅值的负驱动电压(一般取-5-15V)有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。2)电压驱动型器件的驱动电路电压驱动型器件的驱
12、动电路典型驱动芯片:IR2110IR2130IPM:PS215641-313.电力电子器件器件的爱护电力电子器件器件的爱护1.过电压的产生及过电压爱护过电压的产生及过电压爱护2.过电流爱护过电流爱护3.缓冲电路缓冲电路1-32过电压爱护方法:过电压爱护方法:1-33过电流过载和短路两种状况爱护措施负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器变流器直流快速断路器电流互感器变压器同时接受几种过电流爱护措施,提高牢靠性和合理性。电子电路作为第一爱护措施,快熔仅作为短路时的部分区段的爱护,直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现爱护,过电流继电器整定在过
13、载时动作。图1-37过电流爱护措施及配置位置1-34关断缓冲电路(du/dt抑制电路)吸取器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗。开通缓冲电路(di/dt抑制电路)抑制器件开通时的电流过冲和di/dt,减小器件的开通损耗。复合缓冲电路关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。按能量的去向分类法:耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路(无损吸取电路)。通常将缓冲电路专指关断缓冲电路,将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路。缓冲电路缓冲电路(Snubber Circuit):又称吸取电路,抑又称吸取电路,抑制器件的内因过电压、制器件的内因过电压、du/dt、过电流和、过电流和di/dt,减,减小
14、器件的开关损耗。小器件的开关损耗。2-35第2章 整流电路重点:重点:2.1 单相可控整流电路单相可控整流电路 2.2 三相可控整流电路三相可控整流电路 2.4 电容滤波的不行控整流电路电容滤波的不行控整流电路 2.7 整流电路的有源逆变工作状态整流电路的有源逆变工作状态2-362.1 单相可控整流电路 2.1.1 单相半波可控整流电路单相半波可控整流电路 2.1.2 单相桥式全控整流电路单相桥式全控整流电路 2.1.3 单相全波可控整流电路单相全波可控整流电路 2.1.4 单相桥式半控整流电路单相桥式半控整流电路2-372.2三相可控整流电路2.2.1 三相半波可控整流电三相半波可控整流电路
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