磁性陶瓷及超导陶瓷.优秀PPT.ppt
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1、磁性陶瓷及超导陶瓷部分磁性陶瓷及超导陶瓷部分提纲提纲7.4.4铁氧体铁氧体7.4.5超导陶瓷超导陶瓷7.4.6陶瓷热应用陶瓷热应用7.4.7生物陶瓷生物陶瓷7.4.4铁氧体铁氧体 一一.基本概念基本概念 磁性陶瓷又称为铁氧体,严格说,磁性陶瓷还包括不磁性陶瓷又称为铁氧体,严格说,磁性陶瓷还包括不含铁的磁性陶瓷。含铁的磁性陶瓷。物质的磁性来源于物体原子的磁性,原子的磁性来源物质的磁性来源于物体原子的磁性,原子的磁性来源于电子自旋和轨道运动,原子内具有未被填满的电子于电子自旋和轨道运动,原子内具有未被填满的电子是其具有磁性的必要条件,电子的交换是原子具有磁是其具有磁性的必要条件,电子的交换是原子具
2、有磁性的重要条件。性的重要条件。初始磁导率、磁化率、顺磁性、逆磁性,软磁初始磁导率、磁化率、顺磁性、逆磁性,软磁铁氧体、永磁体铁氧体、永磁体。(1)(1)磁导率和磁化率磁导率和磁化率l 物体置于磁场中,物体将磁化,材料的磁化强度M是单位体积磁偶极矩,是单位体积的单元磁偶极子数n与磁矩Pm的乘积,同时M与磁场强度H存在关系:l 式中:am为单元组分的磁化强度,磁矩与磁场强度成正比;磁化率m为磁化强度与外场强度的比值。磁化时,物质对外磁场供应了大小为HD=4M的附加磁场,因此物质中产生的磁感应强度B由外磁场H(宏观电流所产生的磁场)和物质内部由电子自旋产生的附加磁场HD(分子电流或微观电流所产生的
3、磁场)两部分组成。l 式中:0=1为自由空间(真空)的磁导率,真空中=0;是材料的有效磁导率(2)抗磁性和顺磁性抗磁性和顺磁性 抗磁性抗磁性(0,1,M0,1,M0)抗磁性指磁化方向与磁场方向相反,此时磁化抗磁性指磁化方向与磁场方向相反,此时磁化率是负常数。率是负常数。抗磁性效应是微弱的,相对磁导率抗磁性效应是微弱的,相对磁导率/0仅略小于仅略小于1。凡是离子具有填满的电子壳层。凡是离子具有填满的电子壳层或者说没有不成对电子的陶瓷材料,几乎都呈抗或者说没有不成对电子的陶瓷材料,几乎都呈抗磁性,这就一般地意味着不含过渡金属离子或稀磁性,这就一般地意味着不含过渡金属离子或稀土离子的陶瓷是抗磁性的,
4、土离子的陶瓷是抗磁性的,为为-10-5-10-7数量级。数量级。过渡族和稀土离子因为离子包含奇数电子,故都有净磁矩,这些磁矩通常取向混乱,不显示宏观磁性;然而在外磁场作用下,这些磁矩则会沿外磁场方向择优排列而产生净磁化强度。当不成对电子各自行动而其间没有相互作用时,这种效应称为顺磁性。由于磁矩是沿外磁场方向排列的,顺磁磁化率是正值,以致提高磁通密度。室温下,为10-310-5数量级,随温度上升而降低。(3)铁磁性、反铁磁性、亚铁磁性铁磁性、反铁磁性、亚铁磁性 铁磁性铁磁性(0,0,1,M0);1,M0);反铁磁性反铁磁性(0,0,1,M=0);1,M=0);亚铁磁性亚铁磁性(0,0,1,M0)
5、1,M0)。铁、钴、镍等金属及其某些合金在没有外磁场时铁、钴、镍等金属及其某些合金在没有外磁场时也有宏观磁性,表明它们会发生自发磁化,即只要加也有宏观磁性,表明它们会发生自发磁化,即只要加上微弱的外磁场就会产生很大的磁化强度;这种磁性上微弱的外磁场就会产生很大的磁化强度;这种磁性物质被称为铁磁体。物质被称为铁磁体。铁磁材料中,电子自旋之间的交换相互作用为正,铁磁材料中,电子自旋之间的交换相互作用为正,即全部自旋都按相同方向排列。然而,在某些固溶体即全部自旋都按相同方向排列。然而,在某些固溶体中,未成对电子之间的交换作用呈反方向排列,这种中,未成对电子之间的交换作用呈反方向排列,这种特性被称为反
6、铁磁性,宏观上类似于顺磁性而不显示特性被称为反铁磁性,宏观上类似于顺磁性而不显示磁性,某些过渡金属的一氧化物磁性,某些过渡金属的一氧化物(MnO(MnO,FeOFeO,NiONiO和和CoO)CoO)就有这种特性。由于两个方向的离子磁矩相互抵就有这种特性。由于两个方向的离子磁矩相互抵消,因此从总体上而言,反铁磁性物质没有磁矩。消,因此从总体上而言,反铁磁性物质没有磁矩。亚铁磁性与反铁磁性很相像,然而由于两个方向上的磁矩不相等,导致净宏观磁矩,因而在某特征温度下表现出自发磁化。亚铁磁体的宏观磁化性质与铁磁体很相像,这类材料中最重要的是磁性氧化物(铁氧体)及MnSb、MnAs等,达102数量级。典
7、型的磁滞回线典型的磁滞回线 铁磁性和亚铁磁性材料在外磁场作用下的宏观磁化,具有不行逆性,也即具有磁滞效应。磁化曲线(磁滞回线)中,端点对应的磁场和磁感应强度为最大磁场Hm和最大磁感应强度Bm,横坐标交点Hc是矫顽力,纵坐标交点Br是剩余磁感应强度。饱和磁滞回线在纵坐标上最高点BS是饱和磁化强度。磁滞效应磁滞效应 宏观磁化宏观磁化(技术磁化技术磁化)过程大致过程大致可分为三个阶段:当磁场较弱时,可分为三个阶段:当磁场较弱时,磁化的主要缘由是畴壁的可逆移动,磁化的主要缘由是畴壁的可逆移动,起始磁导率起始磁导率i较小;当磁场增加,较小;当磁场增加,畴壁的可逆移动逐步转化为大幅度畴壁的可逆移动逐步转化
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