磁阻效应实验new优秀PPT.ppt
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1、物理学实验教学示范中心物理学实验教学示范中心电磁学实验电磁学实验试验目的试验目的1.1.了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法效应的方法.2.2.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系度的关系.物理学实验教学示范中心物理学实验教学示范中心电磁学实验电磁学实验w磁阻效应磁阻效应-试验原理试验原理w确定条件下,导电材料的电阻值确定条件下,导电材料的电阻值R随磁感应强度随磁感应强度B的变更规律称为磁阻效应。如图的变更规律称为磁阻效应。如图1所所示,当半导体处于磁场中时,导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,示,当半导体
2、处于磁场中时,导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。假如霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。假如霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数量将削减,电阻增大,表现出横向磁阻效应。若将图运动的载流子数量将削减,电阻增大,表现出横向磁阻效应。若将图1中中a端和端和b端短路,端短路,则磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对变更量来表示磁阻的大小,即用则磁阻效应更明显。通常
3、以电阻率的相对变更量来表示磁阻的大小,即用/(0)表)表示。其中示。其中(0)为零磁场时的电阻率,设磁电阻在磁感应强度为)为零磁场时的电阻率,设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为的磁场中电阻率为(B),则),则=(B)-(0)。由于磁阻传感器电阻的相对变更率)。由于磁阻传感器电阻的相对变更率R/R(0)正比)正比于于/(0),这里),这里R=R(B)-R(0),因此也可以用磁阻传感器电阻的相对变更),因此也可以用磁阻传感器电阻的相对变更量量R/R(0)来表示磁阻效应的大小。)来表示磁阻效应的大小。试验证明,当金属或半导体处于较弱磁场中时,一般磁阻传感器电阻相对变更率试验证明,当金属或半导体
4、处于较弱磁场中时,一般磁阻传感器电阻相对变更率R/R(0)正比于磁感应强度)正比于磁感应强度B的平方,而在强磁场中的平方,而在强磁场中R/R(0)与磁感应强度)与磁感应强度B呈线呈线性关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。性关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。处于磁场中的磁阻器件和一个外接电阻串联,接在恒流源的分压电路中,通过对处于磁场中的磁阻器件和一个外接电阻串联,接在恒流源的分压电路中,通过对R的调的调整可以调整磁阻器件中电流的大小,电压表联接整可以调整磁阻器件中电流的大小,电压表联接1或或2可以分别监测外接电阻的电压和可以分别监测外接电阻的电
5、压和磁阻器件的电压。磁阻器件的电压。阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变更而变更的现象。同霍尔效应一阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变更而变更的现象。同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时,某样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时,某速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等,载流子在两端聚集产生霍尔电场,比速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等,载流子在两端聚集产生霍尔电场,比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转,比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。该速度慢的载流子将向电场力方向偏转,比该速度快的
6、载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说,沿外加电场方向运动的载流子数削减,这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说,沿外加电场方向运动的载流子数削减,从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应。一般状况下,载流子的有阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应。一般状况下,载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关,则纵向磁感强度不引起载流子偏移,因而无纵向磁效质量的驰豫时时间与方向无关,则纵向磁感强度不引起
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